周波数依存性の光スイッチングのためのデバイス、方法、および技法が提供される。一実施形態では、デバイスが、基板と、基板上に位置する第１の光場閉込め構造体および第２の光場閉込め構造体と、第１の光場閉込め構造体と第２の光場閉込め構造体の間に配置された量子構造体とを含む。第１の光場閉込め構造体は、光子を受け取る表面を含むことができる。第２の光場閉込め構造体は、第１の光場閉込め構造体から離隔させることができる。第１の光場閉込め構造体および第２の光場閉込め構造体は、間に光子の光場を実質的に閉じ込めるように構成することができる。
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【課題】２値の電気信号で光変調手段を駆動し、光変調手段の出力光信号のベクトル加算により多値の光信号を生成する光変調器において、ベクトル合成に伴う原理過剰損失を低減して光損失を小さくすること。
【解決手段】２並列のQPSK変調器を入力側及び出力側の非対称カプラで接続している。入力側非対称カプラは２本の出力ポートを備え、メイン入力ポートから光を順方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1で分岐する。出力側非対称カプラは２本の入力ポートを備え、メイン出力ポートから光を逆方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1（67%:33%）で分岐する。各アームを経由し出力側非対称カプラにおいてベクトル加算される各QPSK変調器の出力光信号の位相差θを０とする。本構成により、各QPSK変調器からの出力QPSK信号を電場振幅比2:1で合波し、ベクトル加算により16QAM信号を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化と省電力化を同時に実現する。
【解決手段】基板１と、光導波路２及び光変調のために電圧を印加する中心電極４及び接地電極５ａ，５ｂとを備え、光導波路２が、入力光導波路２ａと、分岐光導波路２ｂと、相互作用光導波路２ｃ₁ ，２ｃ₂ と、合波光導波路２ｄと、合波点２ｇと、出力光導波路２ｅとからなり、位相変調された光が合波された高次モード光が出力光導波路２ｅをほとんど伝搬せずに合波点２ｇから放射光６ａ，６ｂとして放射される光変調器１００と、キャピラリ１４と、放射光６ａ，６ｂを受光するフォトディテクタ９と、光変調器１００、キャピラリ１４及びフォトディテクタ９を収容する筐体１２とを備える光変調器モジュール１０１において、筐体１２はその内壁面１３が放射光６ａ，６ｂを反射するように形成され、フォトディテクタ９を内壁面１３で反射した放射光６ａ，６ｂを受光する位置に配置した。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路によって形成され、しかも製造上の歩留まりが高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体光変調器２４は光導波層４を内部に有し、半導体によって形成された帯状のメサ２６を具備している。また光導波路の両脇に配置された一対の半導体層２８、３０と、この一対の半導体層の夫々と光導波路の間に形成された溝３２、３４を埋め込む樹脂層３６、３８とを具備する。さらにメサの頂上に形成された上部電極１２、および基板４２の裏面に形成された下部電極１４を備える。 （もっと読む）

【課題】信号電極に折り返しの屈曲部を有する光制御デバイスにおいても２０ＧＨｚ以上の広帯域特性を改善した光制御デバイスを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路３１〜３３と、該光導波路を伝播する光波を変調する変調電極とを有する光制御デバイスにおいて、該変調電極は、信号電極４１，４２と接地電極６１〜６３から構成される、対称または非対称のＣＰＷ電極であり、該信号電極の信号入力端部５１，５２から該光導波路を伝播する光波に変調を行う作用部Ｓの開始点ｂまでの信号電極を入力側信号電極部とし、該入力側信号電極部の少なくとも一部に、配線を折り返す屈曲部Ｒを有し、該屈曲部が存在する領域の該基板の厚みが３０〜１００μｍである。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路のＹ合波部におけるモード不整合光の発生やモード不整合光の放射モード光や出力光への混入を抑制すると共に、放射モード光と出力光を効率良く分離抽出することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】誘電体基板の表面にマッハツェンダー型導波路を形成した光変調器において、該マッハツェンダー型導波路の出射側のＹ合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路２であり、該マルチモード導波路２をシングルモード導波路となる出力主導波路３に変更する箇所に高次モード用導波路である出力副導波路４を接続し、該マルチモード導波路２は、長さが１５０μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】誘電率異方性基板を用いた場合でも、高周波信号の電気反射現象を抑制し、電気損失の少ない光制御デバイスを提供する。
【解決手段】誘電率異方性基板上に形成された信号電極１と、該信号電極を挟むように配置された接地電極２，３とを有し、該信号電極が該基板の誘電率の異なる方向に配置される少なくとも２つの信号電極部と、該２つの信号電極部を接続する曲線形状の接続部とを有し、該接続部が、該２つの信号電極部と接続する部分では特性インピーダンスが各信号電極部と一致し、かつ該２つの信号電極間の該接続部内では特性インピーダンスが連続的に変化するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】光変調部において厚さ１０μｍ以下の薄板を採用して速度整合を図った光変調器において、光変調器と外側の光ファイバとの間の結合損失および光変調器内部での結合損失を抑制することである。
【解決手段】光変調器１０Ａは、支持基板１、電気光学材料からなる変調用基板３、この変調用基板３の一方の主面側３ａに設けられている光導波路４、変調用基板３の他方の主面３ｂ側に設けられており、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する電極、および変調用基板３の一方の主面３ａを支持基板１へと接着する接着層２を備える。変調用基板３が、少なくとも光導波路４を伝搬する光の変調を行うための厚さ１０μｍ以下の変調部７と、変調部７よりも厚い光ファイバ結合部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極が頂上に形成された帯状の半導体積層構造を、有機絶縁体で埋め込んだ光半導体装置の歩留まりを向上させること。
【解決手段】
凸状の半導体積層構造からなる光導波路構造と、前記光導波路構造を埋め込み、前記光導波路構造の頂上に達する複数の開口部を有する有機絶縁体と、前記複数の開口部に形成された電極を具備すること。 （もっと読む）

本発明は、１０Ｇｂ／ｓより速いデータレートの優れた性能を有するように改良された電気光学変調素子、とりわけ、ＳＯＩ型の基板（５０，５１）上の電気光学変調素子に関する。この改良は、構造及びその環境の容量性効果の影響を低減することにより得られ、
そしてより詳細には：
ドープ領域内のアクセス抵抗の低減によって構造それ自体の容量の影響が抑制されること；又は、
活性領域（５２０）に垂直に位置する基板（５０，５１）の構造の改変によって、例えば、シリコン基板（５０）又は絶縁体（５１）の薄化によって環境の容量性効果の影響が低減されること；又は、
これらの特徴の組み合わせ；
により得られる。本発明は、更に、前記素子の製造方法に、及び前記素子を含む装置又はシステムに関する。この改良は、３Ｄ集積化によるアセンブリ方法に、並びに、オプティクス及びエレクトロニクスのハイブリッド回路に適用することができる。
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【課題】マイクロ波帯などの超高周波域で高い変調効率を実現することができる光変調装置を提供する。
【解決手段】変調用電極５，６は、位相シフト光導波路３ｂ，３ｃの等価屈折率をｎ、変調用電極５，６に印加される変調信号の周波数をｆ₀、真空中での光速をｃとすると、位相シフト光導波路３ｂ，３ｃの延伸方向における変調用電極５，６の中心間距離Ｐ＝ｃ／２ｎｆ（但し、ｆ＝０．５ｆ₀〜１．７ｆ₀）となるように配置される。共振回路８Ａ，８Ｂは、変調用電極５による印加電界の方向と、変調用電極６による印加電界の方向とが反対方向になるように、変調用電極５，６に逆相の変調信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された電気光学材料の第１の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された第２の基板とを備える。第１の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の第１の電極を備え、第２の基板は、第１の電極に結合する第２の電極を備える。第１および第２の電極は、誘電体の接着剤で接合される。このように、電極間を誘電体の接着剤で接合することにより、ＤＣブロック用のキャパシタンスを形成することができる。また、この接着剤は、電極間の接合のみならず、基板間の接合にも使用することができる。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

光チップ（平面光波回路）からなる光デバイスが開示され、この光デバイスは、光学的に対称か、もしくは一致する設計および特性、ならびに光デバイス内に非対称性を作り出す光学素子を有する。このデバイスは、コヒーレント光通信システムおよび非コヒーレント光通信システムにおける検出に用途を見出す。 （もっと読む）

【課題】偏光無依存性を確実に発現できる電気光学特性に優れた新たな構成の光学素子、及びそれを用いた可変光モジュールを提供する。
【解決手段】光学素子１は、Ｓｉ基板等の基板３上に設けられており、且つ、電気光学膜１０が上部電極２０及び下部電極３０に挟持されてなるものである。下部電極３０は、基板３上面の略全体にわたって形成されており、電気光学膜１０を介して対向する上部電極２０は、所定の任意形状に形成されている。また、電気光学膜１０は、電界存在下で屈折率が変化する強誘電体の酸化物である、例えばＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＭＮ−ＰＴ、ＰＺＮ−ＰＴ、ＢａＴｉＯ₃といった電気光学材料からなる正方晶構造を有しており、且つ、ｃドメイン１０ｃ及びａドメイン１０ａを含むａ−ｃドメイン構造が形成されたものである。 （もっと読む）

電荷制御剤を使用して、長距離での静電気斥力を確立し、無極性溶媒中で磁気的に調節可能なフォトニック特性を持つ、超常磁性コロイドを規則構造にする方法。ＡＯＴ分子などの電荷制御剤の導入による逆ミセルは、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン修飾Ｆｅ₃Ｏ₄＠ＳｉＯ₂粒子の表面の電荷分離を増大できる。著しく改良された長距離での静電反発力によって、磁気的に誘導される引力と釣り合うことができ、その結果、無極性溶媒中で超常磁性コロイドを規則正しく配列させることができる。この系は、外部磁場に対して高速で完全に可逆的な光応答性、性能の長期安定性、および良好な回折強度を持つ。 （もっと読む）

【課題】充分に長い共振器長を確保できるとともに、作成を容易とすること。
【解決手段】共通の平面１２ａ内において１個の交差領域Ｃで交差して配置された線分状の３本の光導波路Ｗ１〜Ｗ３と、 交差領域から外側に向かって延在する光導波路の部分のそれぞれを、時計回りに第１〜第６光導波路部分とするとき、第２ｉ−１及び第２ｉ光導波路部分（ｉは１〜３の整数）の交差領域とは反対側の端部同士を接続する湾曲光導波路Ｐｉと、平面に垂直に入出力される光を光導波路に結合するととともに、光導波路が接続されていて交差領域を含む領域に形成された光カプラＫとを備える （もっと読む）

【課題】電極の配線によるクロストークの影響を低減することができるマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された強誘電体の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された常誘電体の基板とを備える。強誘電体の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の電極を備え、常誘電体の基板は、電極の配線を備える。常誘電体の基板は、強誘電体の基板に比べて電気光学効果による影響が小さいので、電極の配線が常誘電体の基板の導波路と交差しても、クロストークの影響が小さい。また、電極の配線を常誘電体の基板に配置すれば、配線が導波路と交差しても影響が小さいので、配線の等長化のための設計がし易くなる。 （もっと読む）

【課題】
小型で、機械的な信頼性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】
二つの相互作用光導波路を有する光変調器と、光変調器の合波光導波路の合波点から放射される二つの放射光のうちの一方を検出するモニタＰＤと、内部に光変調器とモニタＰＤとが配置された筐体と、筐体の側面に配置されたモニタ電流用端子とを含む光変調器モジュールにおいて、モニタＰＤは、出力光導波路近傍における基板の側方で且つモニタ電流用端子と逆側に配置されるとともに、筐体の内壁面を反射した放射光を受光するように配置され、モニタＰＤとモニタ電流用端子とが別体基板を経由して電気的に接続され、当該別体基板は、出力光導波路側の基板の上方に設けられた第２の別体基板と、第２の別体基板を間に挟んでモニタＰＤ側に設けられた第１の別体基板と、第２の別体基板を間に挟んでモニタ電流用端子側に設けられた第３の別体基板とのうち、少なくとも１つでなる。 （もっと読む）

【課題】電流制御を容易にすることが可能な波長可変レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】一端Ｓ１に設けられた高反射膜ＨＲと、一端Ｓ１側に設けられ、電流注入により光が生成される２以上の並列された光素子Ｌ１〜Ｌ４を有する利得領域３と、利得領域３で生成された光を合波する合波器５と、一端Ｓ１と対向する他端Ｓ２側に設けられ、当該合波された光に対して周期的な反射ピークを有する反射器７と、を備え、合波器５は利得領域３と反射器７との間に設けられている波長可変レーザ１。 （もっと読む）