【課題】本願発明は、狭いチップ面積でも、大きな遅延時間−帯域幅積を得ることのできる光バッファ機能を実現する導波路共振器型光バッファを提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明の導波路共振器型光バッファは、両端に光入出力端を備え、光を伝搬させる導波路からなる光バス導波路と、光を伝搬させる導波路からなり、それぞれ固有の光周波数で共振する複数のリングで構成される１以上の多重リング共振器と、を備える導波路共振器型光バッファであって、前記多重リング共振器を構成する複数のそれぞれのリングの導波路は、少なくとも他の一つのリングの導波路との間でエバネッセント結合により電磁エネルギーを交換し、前記多重リング共振器を構成する複数のリングのうち少なくとも一つのリングの導波路は、前記光バス導波路の導波路とエバネッセント結合により電磁エネルギーを交換することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動面が互いに直交する２つの偏光について、中心波長における温度特性を調整して、同一温度において同一の中心波長を得る。
【解決手段】光導波路は、光導波路の内部に残留応力を持たせることによって、光導波路の共振波長の温度無依存化を図り、また、光導波路を伝播する直交する偏光の共振波長の温度特性が異なることを用い、温度制御を行うことによって両偏光の共振波長差を制御して共振波長の偏光無依存化依を図る。さらに、この温度無依存存化および偏光無依存化において、コアに紫外線を照射することによって共振波長をトリミングし、共振波長を所望の波長に制御する。 （もっと読む）

【課題】 制御が容易であって、出力する光の波長を変更可能な半導体発光素子及び半導体光源装置を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１１Ａは、出力端部４７から出力される光の波長を変更可能な半導体発光素子であって、キャリヤが注入されることで光を発生可能な半導体層５７ａを有する発光ダイオード部１３と、発光ダイオード部から出力される光から所定の波長λｒの光を選択して出力端部４７側に出力すると共に、所定の波長を変更可能な波長可変フィルタ部１５と、発光ダイオード部及び波長可変フィルタ部を設ける基板Ｓと、を備え、出力端部は、波長可変フィルタ部から出力される光の反射を抑制する低反射膜Ｒ１を有しており、波長可変フィルタ部は、光路長が互いに異なっており光学的に結合された複数のリング状導波路２９，３１と、複数のリング状導波路の少なくとも一つに信号を印加するための電極２５，２７と、を有する。 （もっと読む）

本発明の様々な態様は、レーザ、モジュレータ及び光検出器として使用することができるマイクロ共振器システム、並びにこのマイクロ共振器システムを製造する方法に関する。一態様では、マイクロ共振器システム（１００）は、上表面層（１０４）を有する基板（１０６）、基板（１０６）内に埋め込まれた少なくとも１つの導波路（１１４、１１６）、並びに上層（１１８）、中間層（１２２）、底層（１２０）、電流分離領域（１２８）及び周辺環状領域（１２４、１２６）を有するマイクロディスク（１０２）を備えている。マイクロディスク（１０２）の底層（１２０）は、基板（１０６）の上表面層（１０４）と電気的に連絡しており、周辺環状領域（１２４、１２６）の少なくとも一部が、少なくとも１つの導波路（１１４、１１６）の上に配置されるように位置する。電流分離領域（１２８）は、マイクロディスクの中央領域の少なくとも一部を占有し、周辺環状領域よりも低い屈折率及び大きなバンドギャップを有するように構成されている。
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【課題】波長成分内の干渉による分析等への影響を低減できる光源装置およびスペクトル分析装置を提供する。
【解決手段】スペクトル分析装置１は、試料Ａに光を照射する光源装置２と、試料Ａからの反射光、透過光、または散乱光を検出する検出装置３と、試料Ａを載置する試料載置部４とを備えている。光源装置２は、広帯域光源２０及び光照射部２３を備えている。広帯域光源２０は、スーパーコンティニューム光（ＳＣ光）といった広帯域光Ｐ１を生成する。また、光源装置２は、広帯域光Ｐ１の各波長成分における干渉を抑える干渉抑制手段を備える。 （もっと読む）

【課題】導入された光束の向きを変えながら集光して該光束から近接場光を効率良く発生させること。
【解決手段】光束Ｌを導入方向とは異なる方向に反射させる反射面４０ａと、一端側から他端側に向かう長手方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形され、反射された光束を集光させながら他端側に向けて伝播させる光束集光部４０ｂと、該光束集光部の端部から他端側に向けてさらに絞り成形され、集光された光束から近接場光Ｒを生成して他端側から外部に向けて発する近接場光生成部４０ｃと、を有する多面体のコア４０と、コアの側面に密着してコアを内部に閉じ込めるクラッド４１とを有し、端面４０ｄが光の波長以下のサイズとされ、近接場光生成部の側面が遮光膜４２によって遮光されている近接場光発生素子２２を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来のモード結合型光変調器では、金属層に近接する誘電体層として電気光学定数の高い材料を使用できなかった。
【解決手段】入力光５が入射する導波路１と、導波路１に隣接した、少なくとも導波路１の伝搬方向に周期構造を有する２次元周期金属層２と、２次元周期金属層２の導波路１が隣接する面とは反対側の面に隣接し、電気光学効果を有する電気光学材料層３とを備えた。２次元周期金属層２が周期構造を有していることにより、電気光学材料層３の材料として電気光学定数の高い材料を選択できる。 （もっと読む）

円筒状コア（104）と、第1の光クラッド層（104）とを有する光ファイバ（100A-100D）が提供される。コア（102）は、光学的に透過性のコア材料で構成される。コア材料（105）は、熱エネルギー、光エネルギー、磁界、および電気的電位のような、第1のエネルギー刺激に応答して、所定の範囲にわたって、値が連続的に変化するコア屈折率を有する。コア（102）は、第1の光クラッド層（104）内に、軸方向に配置されたボア（103）を有する。ボア（103）は、コア材料（105）で充填される。第1の光クラッド層（104）は、コア（102）上に配置される。第1の光クラッド層（104）は、光伝導性材料で構成される。光伝導性材料は、第1の光クラッド層屈折率を有し、この屈折率は、第2のエネルギー刺激に対する暴露に応答して、恒久的に選択的に設定可能である。第1の光クラッド層（104）は、内部に刻印された格子（114-1、114-2）を有する。
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【課題】可変分散補償器の分散補償量を最適に制御すること。
【解決手段】低周波発振回路１０１は、所定周波数の信号を発振する。可変分散補償器１０２は、受信する光信号に対して分散補償を行い、発振された所定周波数の信号に応じて分散補償の分散補償量を変化させる。復調部１０３は、分散補償された光信号を復調する。エラー監視部１０４は、復調信号のエラー状態を監視するバンドパスフィルタ部１０５は、エラー状態を示す信号から所定周波数以下の周波数の信号を取り出す。同期検波回路１０６は、バンドパスフィルタ部１０５によって取り出された信号と、所定周波数の信号と、に基づいて分散補償量変更信号を生成する。重畳回路１０７は、低周波発振回路１０１から可変分散補償器１０２に出力される所定周波数の信号に、分散補償量変更信号を重畳する。 （もっと読む）

【課題】誘電体単結晶からなるスラブと、貫通孔によって形成されている格子列とを備えているスラブ型２次元フォトニック結晶構造を製造するのに際して、多数の貫通孔を精度良く高効率で形成できる方法を提供することである。
【解決手段】誘電体単結晶からなる誘電体単結晶基板１の一方の主面１ａをエッチングすることによって、誘電体単結晶基板１に凹部４を形成する凹部形成工程、および
誘電体単結晶基板１の他方の主面１ｂを機械加工することによって、スラブ１０を形成し、かつ凹部４を貫通させて貫通孔１１を形成する貫通孔形成工程を有する。 （もっと読む）

向上した応答特性を示す光変調器デバイスは、リング共振器構造内に配置された同調可能な損失素子を有するリング共振器と、１つまたは複数の移相器とから構成される。共振器内の損失を同調および／または制御することによって、所望の変調器応答特性が得られる。
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光学素子は、第一および第二のリッジ導波路を含む半導体構造を備え、各導波路は、半導体構造の表面を横切って延在するリッジを備える。第一の導波路のリッジは、表面の第一の領域上に第一の高さを有し、第二の導波路のリッジは、表面の第二の領域上にそれよりも高い第二の高さを有する。半導体構造は、第一および第二のリッジ導波路の間に位置する多モード干渉（ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ； ＭＭＩ）領域を含み、かつその間に遷移を提供する。ＭＭＩ領域の少なくとも一部の幅はテーパー状であり、ならびに／あるいは第一および／または第二のリッジ導波路の少なくとも一部の幅は、ＭＭＩ領域から離れて延出する方向にテーパー状である。
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【課題】 民生用途で必要な反射波長の広帯域化を行った場合でも、電圧印加時の反射波長帯域を電圧未印加時の反射波長帯域と重ならないようにシフトさせることが可能である光変調素子を実現する。
【解決手段】 本発明の光変調素子１０１は、基板１上に、格子部材５が周期的に配置される格子層３と、格子層３における導波方向に対して垂直の方向に電圧を印加するようになっている第１の導電性部材２と第２の導電性部材４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高い消光特性を維持しつつ、より少ない段数で構成されるマトリクス光スイッチを提供する。
【解決手段】 １×２素子ｎ・（ｎ−１）個および２×１素子ｎ・（ｎ−１）個および１×１素子２・ｎ個（ここで、ｎはｎ≧３の自然数）で構成されており、該単位光スイッチ素子が（ｎ＋１）段に配置され、第１段は１×２素子ｎ個からなり、第（ｎ＋１）段は２×１素子ｎ個からなり、第２段は１×２素子ｎ個と１×１素子ｎ個からなり、第ｎ段は２×１素子ｎ個と１×１素子ｎ個からなり、第１段、第２段、第ｎ段および第（ｎ＋１）段を除く第ｉ段（ここで、ｉは３≦ｉ≦ｎ−１の自然数）は１×２素子ｎ個と２×１素子ｎ個からなる、ｎ入力×ｎ出力のマトリクス光スイッチとした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、媒質の屈折率を大きく変化させることができる光回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 光共振または光導波を行う光回路であって、前記光回路を複数の部分に分割し、分割した一部を残りの部分に対し空間的に変位させる変位手段を有する。前記光回路は、光共振器または光導波路である。 （もっと読む）

【課題】電磁波導波路を構成する半導体層のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長光であって導波路を伝搬するか導波路上に照射される電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に伝搬状態を制御できる光学素子である。
【解決手段】光学素子は、一部に半導体層01を含んだ電磁波導波路04と、半導体層01のバンドギャップエネルギーより高い光子エネルギーを持つ波長の第1の電磁波06を、半導体層01上の任意の場所に任意のパターン08で照射する照射部05、07を有する。照射部による照射で生じた半導体層01表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、半導体層01のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波09、10に対して複素屈折率の異なるパターンを生じさせることによって、導波路04を伝搬するかこのパターン08上に照射される電磁波09、10の伝搬状態が制御される。 （もっと読む）

半導体量子井戸素子及びその製造方法を開示する。一態様では、素子は、半導体層（40-52）を含む量子井戸構造（38）からなり、半導体層（40-52）は交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定する。量子井戸のそれぞれは、障壁層の間に介在する量子井戸層を含む。軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの障壁層として機能する半導体層の一つは、重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの量子井戸層としても機能する。重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの障壁層として機能する他の半導体層は、軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの量子井戸層としても機能する。 （もっと読む）

本発明は、利得媒体、同調可能要素およびチャネル割当グリッド要素を含んだ単一モード外部空洞同調可能レーザに関する。チャネル割当グリッド要素は、好ましくは、ＦＰエタロンであり、このＦＰエタロンは、ＩＴＵチャネルグリッド、例えば２００、１００、５０または２５ＧＨｚに対応する複数の等間隔の透過ピークを確定するように構造化され、かつ構成されている。好ましくは同調可能ミラーである同調可能要素は、グリッドエタロンのピークを区別する粗同調要素として役立つ。本発明の同調可能レーザは、１５ｍｍ以下、好ましくは１２ｍｍ以下の比較的短い空洞長を有する。ＦＰエタロンは外部空洞に位相非直線性を導入し、この位相非直線性は、エタロン透過ピークに対応して、空洞モードの圧縮、すなわち空洞モード間隔の減少を引き起こすことが見出された。モード圧縮は、以下で（ＦＷＨＭ）_ＦＰと呼ばれる、グリッドＦＰエタロンのＦＷＨＭ帯域幅の減少と共に、増加する。（ＦＷＨＭ）_ＦＰは、約２ＧＨｚから約８ＧＨｚまでの範囲に含まれるべきである。好ましくは、（ＦＷＨＭ）_ＦＰは、ほぼ３から６ＧＨｚの間に含まれる。
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