【課題】 本発明は，広帯域であり，平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は，基本的には，平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生器と，帰還回路とを組み合わせることで，広帯域であり，平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生装置を得ることができるという知見に基づく。光コム発生器１３は，マッハツェンダー導波路を有する光変調器２１と，光変調器２１に印加される光コム発生器の駆動信号を発生するための信号源２２を有する。そして，帰還回路１５のループ長は，光コム発生器の駆動信号の波長のｎ倍である。 （もっと読む）

【課題】光変調器の特性差やＲＦドライバの振幅特性差による同期検波値の差を適正に補正することにより、最適な送信波形品位が得られる制御収束点に収束させることができる光信号送信装置を提供すること。
【解決手段】ディザ信号が重畳された変調信号に基づき位相変調を行う光変調器を用いた光信号送信装置において、
前記光変調器の駆動電圧に基づき前記ディザ信号の振幅を補正する手段を設けたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】光導波方向における素子長を短縮することが可能なマッハツェンダー型光変調素子を提供すること。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、半導体基板４と、導波光を反射する反射部１ｂと、導波光を合分波する光合分波器３０と、光合分波器３０まで延在する第一及び第二光導波路２Ａ，３Ａと、光合分波器３０から反射部１ｂまで延在する第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂと、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの少なくとも一方の屈折率を変化させることにより光の位相を制御する位相制御部１０とを備え、位相制御部１０は、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの一部を各々構成し、該基板４上に設けられた下部クラッド層、該下部クラッド層上に設けられたコア層、及び該コア層上に設けられた上部クラッド層を各々含む第一及び第二光導波路構造と、第一及び第二光導波路構造の上に各々設けられた上部電極１１ａ，１１ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】光ネットワークの任意の場所での情報伝送が容易となる。
【解決手段】発振器１は、キャリア信号を発生する。乗算器２は、発振器１のキャリア信号をデータ信号Ｂによって変調する。光変調器３は、データ信号Ｂによって変調されたキャリア信号により変調した制御光Ｅ_Ctを出力する。合波器４は、非線形光学媒質５を伝搬する搬送光Ｅ_Sと光変調器３の制御光Ｅ_Ctとを合波する。非線形光学媒質５は、制御光Ｅ_Ctに基づいて搬送光Ｅ_Sを相互位相変調する。 （もっと読む）

【課題】長波長用の可変光モジュールに用いることができる電気光学特性に優れた光学素子を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する単結晶基板１１０と、単結晶基板１１０上にエピタキシャル成長により形成された第１の電極１３０と、第１の電極１３０上にエピタキシャル成長により形成された電気光学効果を有する電気光学膜１６０と、電気光学膜１６０上に形成された第２の電極１８０とを備え、第１及び第２の電極１３０及び１８０は、電気光学膜１６０の膜厚方向に電圧を印加するためのものであり、電気光学膜１６０は、単一配向を有しない結晶化膜である光学素子。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ干渉部を有する導波路型光素子をパッケージに収納した光変調器において、導波路型光素子の設計位置からの位置ずれを低減すること。
【解決手段】光変調器４００は、マッハツェンダ干渉部４４０を有する導波路型光素子４１０がパッケージ４２０に収納されており、マッハツェンダ干渉部４４０は、第１の方向性結合器４４５により分波を行い、第２の方向性結合器４４６により合波を行う。第１の方向性結合器４４５の一方のアームは第１の受光素子４５０Ａへの出射に使用されるモニタ用であり、同様に、第２の方向性結合器４４６の一方のアームは第２の受光素子４５０Ｂへの出射に使用されるモニタ用である。光変調器４００は、動作時には干渉光のモニタに使用する、予めパッケージ４２０に固定された第１及び第２の受光素子４５０Ａ、４５０Ｂを、導波路型素子４１０のパッケージ４２０への精確な搭載のために利用する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】
特別な製造工程を用いることなく、光導波路自体に偏光子作用を安定的に付加することが可能な導波路型偏光子を提供すること。
【解決手段】
Ｚカット型のニオブ酸リチウム基板１と、該基板上にリッジ構造の光導波路が形成された導波路型偏光子において、該リッジ構造の幅は、該光導波路を伝播する光波の常光の光分布が変化するリッジ幅であり、かつ、該光波の異常光の光分布が変化しないリッジ幅であり、該リッジ構造の角度は９０°よりも小さく、該リッジ構造の側面に、膜厚が０≦ｎ・ｔ／λ≦０．３７４２の条件（ただし、ｎは屈折率，ｔは膜厚，λは光波の波長であり、膜厚、波長の単位はμｍである。）を満足する低屈折率膜３が形成され、該低屈折率膜の上に、膜厚が０．０８９≦ｎ・ｔ／λの条件を満足する高屈折率膜４が形成されて、異常光透過偏光子機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子と接続基板との電気的接続の不連続性を減少させ、電気特性の劣化を防止した光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路を伝搬する光波を制御する制御電極を有する光導波路素子と、該制御電極と電気的に接続された配線を有する接続基板とを筐体内に収容する光導波路素子モジュールにおいて、該制御電極は、信号電極と該信号電極を挟むように配置された接地電極とから構成され、該接続基板は、信号線路と該信号線路を挟むように配置された接地線路とが設けられ、該制御電極の入力端部又は出力端部における該接地電極の間隔Ｗ１が、該接続基板の該光導波路素子側の該接地線路の間隔Ｗ２よりも大きく、該制御電極は、該入力端部又は該出力端部から離れた部分に、該接地電極の間隔が該間隔Ｗ２よりも小さい部分を有し、該光導波路素子と該接続基板とを繋ぐ接地用の配線間隔Ｗは、少なくとも該間隔Ｗ１よりも小さい配線を有する。 （もっと読む）

【課題】発生するテラヘルツ波を比較的高いスピードで変調することが可能な電気光学結晶を含むテラヘルツ波発生素子などを提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子の一例は、光を伝播させる電気光学結晶４を含む導波路と、導波路を伝播する光から発生するテラヘルツ波を空間に取り出す光結合部材７と、少なくとも２つの電極６a、６bを備える。電極６a、６bは、導波路に電界を印加することにより、電気光学結晶４の１次電気光学効果により導波路を伝播する光の伝播状態に変化を与える機能を有する。導波路の電気光学結晶４の結晶軸は、２次非線形過程により発生するテラヘルツ波と導波路を伝播する光との位相整合が取れる様に設定される。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を抑制可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、光導波路１０，２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０を備える。光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，複数の信号の強度を小さくせずに，効果的に多値の光信号を得るための装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の偏波合成回路は，第１の光位相変調器１１と，第１の偏波面調整部１２と，第２の光位相変調器１３と，第２の偏波面調整部１４と，合波部１５と，調整部１６と，分離部１７とを有する。そして，第１の偏波面調整部１２及び第２の偏波面調整部１４は，第１の位相変調信号及び第２の位相変調信号の一方がＴＥ波で残りがＴＭ波となるように偏波面を調整する。 （もっと読む）

【課題】プリチャープ伝送時にも良好な伝送特性を得ることができる半導体光変調器及びそれを用いた半導体光送信機を提供する。
【解決手段】半導体光変調器には、基板１上に設けられた光導波路４ａ及び４ｂを備えたマッハ・ツェンダ型光干渉計と、光導波路４ａ上に形成された電極１１ａと、光導波路４ｂ上に形成され、電極１１ａとは長さが相違する電極１１ｂと、が設けられている。更に、基板１上に光導波路４ａ及び４ｂから、光導波路４ａ及び４ｂから被変調光の波長以上離間して設けられた半導体メサ構造体７と、半導体メサ構造体７上に形成され、電極１１ｂに電気的に接続された補助電極１２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，複数のＭＺ構造を有する光変調器に対しても，ＭＺ構造の各々のバイアス点を所望の状態にする方法を提供する。
【解決手段】 本発明は，あるサブＭＺの合波部以降に位相変調器を設置し，その位相変調器にディザリング信号を入力した状態で，そのサブＭＺに印加するバイアス電圧を調整することで，最適なバイアス状況を把握できるという知見に基づく。そして，光変調システムは，第１の位相変調器１０ａ，第２の位相変調器１１ａ，第３の位相変調器１０ｂ及び第４の位相変調器１１ｂの少なくとも１つにディザリング信号を印加するように電源系に指令を出すディザリング信号指示手段と，ディザリング信号を印加される位相変調器の前段に存在するサブマッハツェンダー導波路に印加するバイアス電圧を掃引するように電源系に指令を出すバイアス掃引指令手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】多値位相変調信号がＲＺ変調されなくても、それぞれ位相変調されるデータの遅延差を適切に制御し、光信号の劣化を抑制すること。
【解決手段】フィルタ１００ｅは、入力された信号の中心周波数より高い周波数を持つ上側周波数成分を透過させ、信号の上側周波数成分をパワー差算出部１００ｇへ出力する。フィルタ１００ｆは、入力された信号の中心周波数より低い周波数を持つ下側周波数成分を透過させ、信号の下側周波数成分をパワー差算出部１００ｇへ出力する。パワー差算出部１００ｇは、上側周波数成分と下側周波数成分のパワー差を算出する。遅延量調整部１００ｈは、パワー差算出部１００ｇによって算出されるパワー差が小さくなるように第１変調部１００ｂ及び第２変調部１００ｃへ入力される入力信号の遅延量を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体光変調器の形成プロセスや使用部品点数を増加させることなく、サージ耐性を向上させることができるサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層を複数積層した半導体層構造からなり、光の変調を行う半導体光変調領域１４と、半導体光変調領域１４の半導体層構造と同一の層構造からなり、半導体光変調領域１４を電気的に保護する保護ダイオード２４とを備え、半導体光変調領域１４と共に保護ダイオード２４を半導体基板上にモノリシック集積し、半導体光変調領域１４の活性領域と保護ダイオード２４とを電気的に並列に接続し、かつ、半導体光変調領域１４の活性領域と逆の電界を保護ダイオード２４に印加するように、半導体光変調領域１４と保護ダイオード１４とを配線するサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】入射光を２つの偏波に分離して光回路に入射する光回路装置において、ＰＤＬ及び挿入損失を低減する。
【解決手段】光回路と、入射波から２つの偏波への分離、及び２つの偏波から出射波への合成を行う偏波分離合成器と、前記光回路及び前記偏波分離合成器の間を接続し、前記分離された２つの偏波が個々に入射される第１及び第２の光導波路と、
前記第１の光導波路に配置され、前記偏波分離合成器により分離された一方の偏波の偏波面を、前記分離されたもう一方の偏波の偏波面となるよう回転する偏波回転素子と、を平面基板上に集積したことを特徴とする光回路装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で信号光と同位相のモニタリングを行うことのできる光導波路デバイスおよび光導波路デバイス製造方法を得ること。
【解決手段】ＬＮチップ１１の出力側端面は、導波路１１ａにおける信号光の進行方向に対して傾斜した構成を有する。傾斜は、信号光の一部が上方向に反射するように形成する。加えて、出力側端面の上方に設けた補強部材３１＿２の上に受光素子４１を配置し、出力側端面で反射した信号光を受光する。かかる構造によって、受光素子４１が取り出すモニタ光と出力側端面から透過する信号光は同位相となり、モニタ光に基づいて制御を行うことでバイアスシフトの発生を抑制することができる。 （もっと読む）