【課題】小型で偏波を分離あるいは合成することのできる低損失な導波路型光デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に入力用光導波路と出力用光導波路とを有する光導波路が形成されており、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラを有し、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラの間に２本の光導波路を具備し、２本の光導波路は、伝搬する光の等価屈折率が構造複屈折のために異なるように、少なくとも一部の幅が互いに異なった幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路を具備するマッハツェンダー導波路のアームを構成しており、入力光導波路から入射したＴＥモードとＴＭモードの光が前記入力用３ｄＢカプラ通過後に略３ｄＢずつに分割され、略３ｄＢずつに分割された光が、幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路とを伝搬することにより各々異なった量の位相変化を受け、出力用３ｄＢカプラ通過後に、出力用光導波路にＴＥモードとＴＭモードの混在波が伝搬する。 （もっと読む）

【課題】
共振型電極を用いながら、動作帯域を拡大すると共に、製造時の電極形状のバラツキに起因する特性の劣化を抑制することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、共振型電極と、該共振型電極に制御信号を給電する給電電極とを備え、該共振型電極は、１本の信号電極３０を有し、該信号電極の長さは、所定周波数を有する該制御信号が該信号電極上に形成する波長より長く設定され、該給電電極は、１本の入力配線部４１を複数に分岐した分岐配線部４２，４３を有し、該分岐配線部の全てが、該信号電極上の異なる位置５１，５２に接続され、該信号電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定的な伝送を可能とする半導体ゲイン領域集積型ＭＺ変調器モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザから発せられた光を交流信号により変調して出力するマッハツェンダ変調器とがチップ上に集積された半導体レーザ集積型マッハツェンダ変調器であって、温度に変化が生じた場合に、チップ温度の変化に応じて交流信号を制御（交流信号の振幅の制御、及び交流信号のバイアス電圧の制御を含む）することで、マッハツェンダ変調器から出力される光の消光比を大きくすることを特徴とするレーザ集積マッハツェンダ変調器。 （もっと読む）

【課題】 数〜数十Ｇｂｐｓでもプリエンファシスをかけることなしに、低電圧のＣＭＯＳ駆動で十分な光変調をかけることができる、Ｓｉ系光変調器を実現する。
【解決手段】 ｐ型ａ−Ｓｉ層５、アンドープａ−Ｓｉ層６、ｎ型ａ−Ｓｉ層７からなるｐｉｎダイオード構造の外側に、アンドープ−ａ−Ｓｉ層４とｎ型ａ−Ｓｉ層３からなるｐ型ａ−Ｓｉ層５内の電子に対するドレイン１９と、アンドープａ−Ｓｉ層８とｐ型ａ−Ｓｉ層９からなるｎ型ａ−Ｓｉ層７内の正孔に対するドレイン２０が付加されている。ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の損失を低減する。
【解決手段】第１のリッジは、第１の溝と第２の溝とで形成され内側導波路が存在する。第２のリッジは、第２の溝と第３の溝とで形成され外側導波路が存在する。第３のリッジは、第３の溝と第４の溝とで形成される。第１の導波路と第２の導波路との結合部に対して、結合部へ光が到達するまでの平行導波路区域である光入力側導波路区域と、結合部から光が伝搬される平行導波路区域である光出力側導波路区域とに存在する、第１のリッジ、第２のリッジおよび第３のリッジのそれぞれのリッジ幅をＷａとし、結合部の近傍に存在する第１のリッジ、第２のリッジおよび第３のリッジのそれぞれのリッジ幅をＷｂとし、第２の導波路が位置する導波路区域である曲がり導波路区域に存在する第１のリッジ、第２のリッジおよび前記第３のリッジのそれぞれのリッジ幅をＷｃとした場合、Ｗａ＝Ｗｃ＞Ｗｂとなるようにリッジ幅を形成する。 （もっと読む）

【課題】任意の偏光状態を実現可能な偏波制御装置を提供する。
【解決手段】偏波制御装置は、入力された直線偏波の光を２分岐する分岐部と、２分岐された入力光をそれぞれ強度変調する第１強度変調器および第２強度変調器と、前記第１強度変調器と前記第２強度変調器の出力のうち少なくとも一方を位相変調する位相変調器と、前記変調を受けた２つの光を、一方の偏波を直交させて合波する偏波合成部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 スペース上の制約を抑制しつつ、高周波特性と実装性とを両立することができる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】 光変調器モジュールは、信号電極および接地電極を備える光変調器と、前記光変調器を収容し前記光変調器の接地電極と導通する導電性のパッケージと、前記パッケージの外壁とハンダまたは導電性接着剤によって接続される接地電極が一面に形成され、信号電極が他面に形成された基板と、前記光変調器の信号電極と前記基板の信号電極とを電気的に接続するリードピンと、を備える。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡易な構成で４値以上の位相変調方式の光送信機の調整を可能とする光送信機の調整方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の位相変調部と少なくとも１つの位相変調部の前段または後段に設けられた位相シフト部を有するＬＮ光変調器１０を備えた光送信機２０の調整方法および装置であって、駆動パルスパターン信号の振幅を位相変調部ごとに調整する振幅調整段階と、駆動パルスパターン信号のバイアス電圧を位相変調部ごとに調整するバイアス電圧調整段階と、位相シフト部に印加される位相シフト電圧を調整する位相シフト量調整段階と、を含み、振幅調整段階、バイアス電圧調整段階、および、位相シフト量調整段階が、光送信機２０から出力される位相変調信号の光スペクトラムに基づいて、駆動パルスパターン信号の振幅、駆動パルスパターン信号のバイアス電圧、および、位相シフト電圧の最適値を与える。 （もっと読む）

【課題】高圧印加下で作製せざるを得ないプロセスの困難性と、配向緩和による電気光学効果消失の問題とを同時に解決した電気光学導波路の提供。
【解決手段】入射端および出射端を有するコアと、該入射端および出射端を除いてコアを包囲するクラッドとを有し、該コアが電気光学効果を呈する（チオフェン／フェニレン）コオリゴマーからなることを特徴とする電気光学導波路。 （もっと読む）

【課題】高速応答可能な半導体光変調素子の提供。
【解決手段】半導体光変調素子１は、第一及び第二半導体クラッド層３,７、並びにこれらの間に配置された光導波層Ｌを備える。光導波層Ｌは第一及び第二半導体光閉じ込め層４，６と絶縁層５とを含み、第一半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第一半導体クラッド層３との間に配置され、第二半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第二半導体クラッド層７との間に配置され、第一半導体クラッド層３は第一導電型を有し、第二半導体クラッド層７は第一導電型とは異なる第二導電型を有し、第一半導体クラッド層３の屈折率は第一半導体光閉じ込め層４の屈折率より低く、第二半導体クラッド層７の屈折率は第二半導体光閉じ込め層６の屈折率より低く、絶縁層５のバンドギャップは第一半導体クラッド層３、第二半導体クラッド層７、第一半導体光閉じ込め層４、及び第二半導体光閉じ込め層６のバンドギャップより大きい。 （もっと読む）

【課題】電気フィルタ回路を適用して光応答の周波数特性を平坦化した場合でも低周波領域における電気反射特性の劣化を抑えることのできる小型の光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、光導波路１１および電気導波路１２が形成された基板１０と、変調電気信号Ｓを発生する駆動回路２０と、該変調電気信号ＳをコンデンサＣ１および抵抗Ｒ１からなる電気フィルタ回路を介して電気導波路１２に与える中継基板３０と、電気導波路１２を伝播した変調電気信号を終端する終端抵抗Ｒ_Ｔとを備え、電気導波路１２の一端が接地電位に対して開放されるとともに、電気フィルタ回路のインピーダンスと終端抵抗Ｒ_Ｔの抵抗値との和が駆動回路２０のインピーダンスに略等しく、かつ、終端抵抗Ｒ_Ｔの抵抗値と電気導波路１２の特性インピーダンスＺとが略等しくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】変調時の動作条件が変動した場合における光パルスの波形劣化を抑制すること、また、ノイズ成分の小さい光パルスを発生させること。
【解決手段】光パルス発生装置１は、光周波数が増加方向に変化する第１の時間領域と減少方向に変化する第２の時間領域が交互に繰り返され、前記第１及び第２の時間領域の一方の時間領域で大きい光パワーを有し他方の時間領域で小さい光パワーを有する連続した光パルス列を発生させる光パルス発生部２０と、前記光パルス発生部２０からの光が入射され、前記一方の時間領域で前記入射光を透過させ前記他方の時間領域で前記入射光を遮断又は減衰させる光制御部３０と、前記光制御部３０からの光が入射され、前記一方の時間領域の光をパルス圧縮する光パルス圧縮部４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対し温度ドリフトが小さく、あるいは外力に対し機械的な信頼性が高い光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための進行波電極とを有し、進行波電極が、高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための相互作用部を構成する光変調器チップと、光変調器チップがその内部に形成された台座に接着剤で固定される筐体とを具備する光変調器モジュールにおいて、基板の裏面の一部に導電層が形成され、接着剤は、導電性接着剤と硬化後における柔軟特性が導電性接着剤よりも優れる柔軟性接着剤とでなり、基板の裏面と台座とが電気的に接続されるよう、台座の所定面積部分である第１の面領域で導電層と台座とが導電性接着剤で接着されるとともに、台座の第１の面領域以外の部分である第２の面領域で導電層と台座とが柔軟性接着剤で接着される。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＬが低減された導波路型光回路を提供すること。
【解決手段】導波路コア同士が近接して配置されて構成された光分岐結合器である光カプラと、前記光カプラの前記導波路コアの両側に沿って形成され、該導波路コアの光学主軸が傾くのを抑制するダミーパターンと、を備える。好ましくは、前記ダミーパターンの長さは、前記光カプラの結合に寄与する結合部の長さと同等、或いはそれ以上である。好ましくは、前記ダミーパターンと前記光カプラの導波路コアとの間隔は、前記光カプラの前記導波路コア間のギャップサイズと同じ大きさか、或いはそれ以上である。 （もっと読む）

【課題】多波長型光変調システムにおいて、高速な波長切替や複数波長同時変調に対応できるようにする。
【解決手段】電気光学効果を用いたマッハツェンダー干渉計を含み、印加されるバイアス電圧の変化に対して出射光強度が周期的に変化する変調特性を有する光変調器２２に対して、初期動作点設定部３１は、多波長光源２１から複数の異なる波長の光を順次入射させ、光変調器２２の出射光強度を監視しつつ、光変調器２２に供給するバイアス電圧を可変制御して、各波長について出射光強度が所定の許容範囲内となる共通動作点を見付け、その共通動作点に対応したバイアス電圧を光変調器２２の初期動作点に設定する。 （もっと読む）

【課題】損失を低減し、ＩチャネルとＱチャネルの光信号の振幅レベルの差を低減することができる光変調器を得ること。
【解決手段】第１ＭＺ光変調器５ａと、第２ＭＺ光変調器５ｂと、第１ＭＺ光変調器５ａの出力を第１のバイアス信号に基づいた増幅率で増幅する第１光増幅器６ａと、第２ＭＺ光変調器５ｂの出力を第２のバイアス信号に基づいた増幅率で増幅する第２光増幅器６ｂと、第２光増幅器６ｂの出力を位相回転させる光位相調整器７と、第１光増幅器６ａの出力と光位相調整器７の出力とを合波する光合波器８と、相補的な第１のパルス信号と第１のパルス信号を生成し、光合波器８の出力信号の強度変化に基づいて、第１のバイアス値と第２のバイアス値を求める第２ＤＣバイアス補正部１７と、を備え、第１のバイアス信号に第１のパルス信号を重畳し第２のバイアス信号に第２のパルス信号を重畳する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成でマイクロ波帯などの超高周波域で高い変調効率を実現することが可能な導波路型光変調器を提供すること。
【解決手段】 基板２と、マッハツェンダー型光導波路３と変調電極とからなり、変調電極は電界印加線路４ａ、５ａを備えた４段の共振電極部９と給電部６とからなり、給電結合線路７ｂ、８ｂ、共振結合線路４ｂ、５ｂにより各部間の結合がなされている。各共振電極部および４段の共振電極部全体が変調信号の周波数において共振器となるように構成され、１段目と３段目の電界印加線路で同相の電界となり、２段目と４段目の電界印加線路で逆相の反転電界となるように、線路長が調整され、電界印加線路４ａ、５ａの配置の周期Ｐは、位相シフト光導波路３ｂ，３ｃの等価屈折率をｎ、変調信号の周波数をｆ、真空中での光速をｃとすると、Ｐ＝ｃ／２ｎｆとなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】光ＤＱＰＳＫ受信機において、位相が制御される２つの制御変数が振動し続ける
ことを防止できるようにすると共に、位相制御の精度を向上できるようにする。
【解決手段】トラップ検出・脱出回路４０は、ＩブランチＳ［Ｉ］側の制御変更量算出回
路６１により求めた第１の位相制御量の変更量、及びＱブランチＳ［Ｑ］側の制御変更量
算出回路６５により求めた第２の位相制御量の変更量の符号が反転するか否かを判定し、
第１及び第２の位相制御量の変更量の符号が同時に反転した場合、位相制御器６０又は６
４の位相制御量の変更を一旦停止する。これにより、位相制御器６０，６４により位相が
制御される２つの制御変数が振動し続けることを防止できるようになる。 （もっと読む）