【目的】斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果の位置依存性誤差について補正可能な描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板に照明光を斜入射してマスク基板からの反射光を用いてマスク基板に形成されたパターンを被露光基板に転写する露光装置におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を補正する補正値が定義された補正テーブルを記憶する記憶装置１４２と、複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、補正テーブルから対応する補正値を取得する取得部１２と、図形毎に、補正値を用いて、当該図形をリサイズするリサイズ処理部１４と、荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 正確なパターン転写を行うことが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、複数のマスク基板それぞれの形状に関する第１のデータを取得する工程Ｓ１２と、複数のペリクルそれぞれの形状に関する第２のデータを取得する工程Ｓ１３と、第１のデータ及び第２のデータに基づいて、マスク基板とペリクルとの組み合わせを決定する工程Ｓ１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 転写能力を損なわずに洗浄を行えるマスクを提供すること。
【解決手段】 実施形態のマスクは、露光装置を用いて被加工基板上のレジスト膜にパターンを転写するためのマスクである。前記パターンに対応するパターン（以下、メインパターンという）２と、前記メインパターン２の隣りに配置され、前記露光装置の解像限界以下の寸法を有するパターン（以下、サブパターンという）とを具備する。前記サブパターンは、前記メインパターンの隣りに配置された第１のサブパターン３と、前記第１のサブパターン３に接触するように、前記第１のサブパターンの長手方向に沿って配置された複数の第２のサブパターン４とを含む。さらに、Ｐ≦λ／（ＮＡ（１＋σ₀ ））を満たす。Ｐは第２のサブパターンの配置ピッチ、ＮＡは露光装置の開口数、λは露光装置を用いてメインパターンを転写する時の露光波長、σ₀ は露光装置を用いてメインパターンを転写する時の最大σである。 （もっと読む）

【課題】デフォーカス時において、レジストパターンのコーナー部での断線の抑制が可能であり、マスク作成工程におけるプロセスマージンを拡大する。
【解決手段】第１のコーナー部を有する帯状パターンを含むマスクパターンの設計レイアウトデータに対してＯＰＣ処理を行う工程ＳＴＥＰ１と、ＯＰＣ処理されたマスクパターンを用いて、プロセスコンディション変動時の条件で露光した際のレジストパターンの形状を取得する工程ＳＴＥＰ２と、第１のコーナー部に対応するレジストパターンの第２のコーナー部の幅を取得する工程ＳＴＥＰ６と、第２のコーナー部の幅が所定の基準値以下である場合、透光性基板に形成された帯状パターンの第１のコーナー部の内側に補正パターンを配置する工程ＳＴＥＰ８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、ハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥を修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥の画像を取得する画像取得工程（Ｓ２）と、前記画像と予め格納されている参照情報とに基づいて欠陥情報を抽出する欠陥抽出工程（Ｓ３）と、前記欠陥情報から前記欠陥がハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥であるか否かを判定する判定工程（Ｓ４）と、前記判定工程（Ｓ４）にて前記欠陥がハーフトーン欠陥であると判定された場合に前記ハーフトーン部の高さを測定する高さ測定工程（Ｓ９，Ｓ１２）と、この高さ測定工程で高さを測定したハーフトーン部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程（Ｓ１０）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】容器本体の所定位置に固定した状態のペリクルを蓋体で被覆して異物付着を防止しつつ、輸送中にも前記固定状態を確実に維持でき、且つ前記固定状態を簡単に解除してペリクルの取り出しを可能とするペリクル収容容器を提供する。
【解決手段】ペリクル１６を載置した容器本体１２と蓋体１４とから構成され、ペリクルフレーム１６ａの凹部２６に、先端部２８ａを挿入した状態で回動可能のピン２８と、容器本体１２に設けた、ペリクルフレーム１６ａの凹部２６から先端部２８ａが抜き出し可能にピン２８を装着するピン装着部３２と、容器本体１２に被着した蓋体１４の外側からピン装着部３２のピン２８を回動できるように蓋体１４に形成した開口部１４ａと、開口部１４ａの閉塞板４０とを備えたペリクル固定部１８を複数設置し、ピン装着部３２に装着したピン２８を所定角度回動して、ピン２８を保持する突起部３０と切欠部３２ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクのパターンに損傷を及ぼす危険性を解消し、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えた反射型マスクであって、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域が設けられ、前記遮光領域が反射層と吸収層とを備え、前記遮光領域の反射層が、転写パターン領域の反射層と同一平面上になく、基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、遮光領域に入射したＥＵＶ光の反射光を、転写パターン領域に入射したＥＵＶ光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の吸収体膜と、クロム系材料のエッチングマスク膜とが積層した反射型マスクブランクを用いて、高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な吸収体膜を有する反射型マスクを作製することを可能とする反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】反射型マスクを作製するために用いられる反射型マスクブランク１００であり、基板１上に多層反射膜５と吸収体膜２とエッチングマスク膜３が順に積層した構造を有する反射型マスクブランクであって、エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、吸収体膜は、タンタルを含有する材料からなり、吸収体膜の基板側とは反対側の表層に高酸化層２２が形成されており、高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な遮光膜を有する転写用マスクを作製することを可能とする、マスクブランクを提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであり、透光性基板上に遮光膜とエッチングマスク膜とが順に積層した構造を有するマスクブランクであって、前記エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、前記遮光膜は、タンタルを含有する材料からなり、前記遮光膜の透光性基板側とは反対側の表層に高酸化層が形成されており、前記高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】製品の精度向上と製作時間の短縮が可能な、位相シフトマスクを用いた非対称パターンの形成技術、さらには回折格子、半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相シフトマスク３０（遮光部と透過部（位相シフトがない第１の透過部、位相シフトがある第２の透過部）が周期的に配置）を用いた回折格子の製造方法において、照明光源１０から放出された光を、位相シフトマスク３０を透過させ、この位相シフトマスク３０を透過させることにより生じる０次光と＋１次光とをＳｉウエハ５０の表面で干渉させて、このＳｉウエハ５０の表面のフォトレジスト６０を露光し、Ｓｉウエハ５０上にブレーズド状の断面形状を有する回折格子を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板からの後方散乱により、リソグラフィ後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのずれを軽減する。
【解決手段】描画パターンデザインを複数の単位区画に区切り、前記単位区画ごとの描画密度を取得して描画密度に基づく描画補正値を求め、前記単位区画内の密度別に区画されたパターン分布を取得してパターン分布に基づく描画補正値を求め、描画密度に基づく描画補正値とパターン分布に基づく描画補正値とを合わせた最適な露光補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】解像限界の良いポジ型レジストを使用してネガ型の所望のパターンを形成し、ポジ型レジストと同程度の解像限界を得ることにある。
【解決手段】透光性基板３００上に成膜された遮光性膜２００上に、所望パターンのスペース部に第一被覆膜パターン１００を形成した後、その上面を第二被覆膜１１０で被覆する。引き続き、第二被覆膜を研磨によって第一被覆膜パターンを露出させて剥離した後、第二被覆膜をハードマスクとして遮光膜をエッチングして所望パターンを形成するフォトマスクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】レーザ描画装置を用いて被描画基板上の感光性レジストに露光し、所望のパターンをレーザ描画するパターン描画方法において、レーザの消費電力を削減した省エネルギーのパターン描画方法及びパターン描画プログラムを提供する。
【解決手段】レーザ描画装置を用いて複数の被描画基板上の感光性レジストに順次露光し、所望のパターンをレーザ描画するパターン描画方法であって、前記被描画基板にレーザ描画をしていない待機中は、前記レーザ描画装置のレーザの励起電流値を、前記レーザの出力調整が可能な範囲内での許容最低値に下げて消費電力を低減させ、前記被描画基板にレーザ描画をするときに、前記レーザの励起電流値を所定の電流値に立ち上げてから所望のパターンをレーザ描画することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１ショット当たりのチップパターン数を増やすと共に、ステップ送りが複雑にならずにレチクルパターン同士が隙間なく互いに嵌まり込んで、高解像度領域を最大限有効に利用することができてスループットの向上を図る。
【解決手段】ステッパ装置１０の円形の有効露光領域２３内に複数のチップパターン２１からなるレチクルパターン２２を収めた露光用レチクル２において、４×４の１６個のチップパターン２１から４角のチップパターンを取った１２個のチップパターン２１を有するか、または別の見方で、２×２の４個のチップパターン２１からなるレチクルパターン２２の４辺の辺全部から上下に突き出たチップパターン２１が２個づつで、左右に突き出たチップパターン２１も２個づつである。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有し、高い精度で転写パターンを形成できる反射型マスクブランク、その製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】回路パターン領域８５を形成する前段階で遮光枠２５を形成し、また遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないから、回路パターン領域８５へのパーティクル付着を抑制でき、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないため、多層反射層２１が数層残ってしまう懸念が無く、多層反射層２１から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠２５を形成することができる。これらのことから、反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１を用いることで、高い精度で転写パターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を有する反射型マスクブランクの製造工程において、前記基板に遮光枠パターンを掘り込み、その段差分吸収層を厚く形成することにより
反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランクを作製することができる。この反射型マスクブランクに回路パタンーを形成することで、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクを作成することができる。 （もっと読む）