【課題】ベース基板への設置範囲の制約が少ない小形で光・電気複合基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】光・電気複合基板１０は、光導波路２０と、光導波路２０が配置された板状のフレキシブル基板４０と、光電気変換素子６０と、を備える。フレキシブル基板４０は、フレキシブル基板４０の厚さ方向からみて光導波路２０が配置された範囲の配置部４６と光導波路２０が配置されない範囲の非配置部４４とを有する。フレキシブル基板４０は、光導波路２０が積載された表面４３のうち、配置部４６の表面４３に形成され、ベース基板電極８６に電気的に接続するためのフレキシブル基板接続電極４８を有する。 （もっと読む）

【課題】広波長帯域にわたり消光比が高い復調用遅延回路および光受信器を提供する。
【解決手段】入力側カプラ６，１０と出力側カプラ７，１１とを接続する第一のアーム導波路８，９と第一のアーム導波路よりも光路長が短い第二のアーム導波路１２，１３とを有し、入力光信号を遅延させて干渉させる光干渉計を備え、光伝搬方向が入力側カプラと出力側カプラとで略１８０度異なる。入力側および出力側カプラはそれぞれ第一および第二の導波路を有し、第一の導波路は第二の導波路よりも光路長が長く、第一の導波路と第二の導波路とは長手方向２箇所において第一の方向性結合器と第二の方向性結合器とが形成されており、略５０％の結合率の波長無依存カプラとして構成され、入力側カプラの長手方向に対して入力側カプラの第一の導波路が配置されている側と、出力側カプラの長手方向に対して出力側カプラの第一の導波路が配置されている側とが同一である。 （もっと読む）

【課題】小型化と偏波無依存性とを同時に達成しつつ、幅誤差による偏波無依存性の悪化に対する耐性を高める。
【解決手段】基板８の主面８ａ側に延在するクラッド１２と、光導波路型要素１３とで構成される光導波路７を有し、光導波路は、２個の偏波無依存な方向性結合器１６及び１８と、２個の方向性結合器間を接続するとともに、光路長が異なっていて、互いに並列された第１湾曲光導波路２０ａ及び第２湾曲光導波路２０ｂと、第１及び第２湾曲光導波路のそれぞれに少なくとも１個以上設けられ、厚みよりも幅が大きな、合計２個以上の光路長調整領域２２_１及び２２_２とを備え、光導波路材料は、クラッドの屈折率よりも４０％以上大きな屈折率を有しており、それぞれの光路長調整領域の偏波間における光路長差を、全ての光路長調整領域について総和した値が０となるように、それぞれの光路長調整領域の幾何学的長さを設定する。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】典型的な２次元フォトニック結晶構造を有する光共振器において、Ｑ値等の性能が十分高い構造を実現する。
【解決手段】光共振器１００は、所定の穴径で一列に一定周期で並んだ結晶穴５を持つ１次元のフォトニック結晶２を利用する。フォトニック結晶部材の厚さを所定の範囲に設定する。光波回路・電子回路において層間分離膜や封止膜としての役割を果たす低屈折率のシリコン酸化膜３，４を使用して１次元フォトニック結晶共振器を埋め込み、必要十分なＱ値を確保できる。前記層間分離膜または封止膜を利用して、フォトニック結晶と光波回路または電子回路とを集積化する。 （もっと読む）

【課題】バッファ層中へのＬｉイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光導波路２と、基板１の上に形成されたバッファ層５と、バッファ層５上に形成され、光導波路２を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、光導波路２とバッファ層５との間に、基板１に含まれる金属イオンがバッファ層５内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】精密な寸法調整を必要とせずにモード分離を行うことができる光合分波器を提供する。
【解決手段】第一のコア２１と、第一のコアが延びる延在方向Ｚに平行に、第一のコアに対して延在方向に直交する並列方向Ｘに並べて配置された第二のコア３０と、を有し、第一のコアの延在方向に直交する基準平面による断面形状は、並列方向に平行な並列側基準線Ｃ１に対して鏡映対称に形成されるとともに、並列方向および延在方向にそれぞれ直交する直交方向Ｙに平行な直交側基準線Ｃ２に対して鏡映対称に形成され、並列方向の長さの方が直交方向の長さより短く設定され、第二のコアの基準平面による断面形状は、第一のコアの基準平面による断面形状を延在方向回りに９０°回転させた形状に等しくなるとともに、第一のコアの中心軸線Ｃ６の並列方向側に第二のコアの中心軸線Ｃ７が配置されるように形成され、第一のコアと第二のコアとは同一の材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 （もっと読む）

【課題】熱干渉を抑制した小型な多連熱光学位相シフタおよびそれを用いた光干渉回路を提供すること。
【解決手段】２つの方向性結合器１０２ａ、１０２ｂとそれらを連結するアーム導波路１０３からなるマッハツェンダ干渉計と、二重コア、アーム導波路１０３上に設置された薄膜ヒータ１１１、およびそのヒータ１１１に電力を供給する配線１１２とからなる位相シフタと、アーム導波路１０３の両側に形成された断熱溝１２１とから構成されている。二重コアとその上方の薄膜ヒータ１１１は、アーム導波路１０３で（図１の紙面の縦方向に）整列しておらず、アーム導波路１０３の長手方向に対して垂直方向に平行移動した位置にそれぞれが重なることがないように、ずらして配置したことを特徴としている。隣接する二重コアおよび薄膜ヒータ１１１をずらず量としては、薄膜ヒータ１１１の長さ以上にずらずことが重要である。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度変化および水分の影響による光伝播損失の変動を低減化するアレイ状光導波路フィルムを提供する。
【解決手段】アレイ状光導波路フィルム１００は、平面に複数本の光導波路コアが配列させたアレイ状光導波路とそのアレイ状光導波路全面を加熱する発熱体層１０３より成る。アレイ状光導波路はポリマー材料で構成され、熱伝導性が低いため、光導波路の光信号伝搬に影響を与えないように、光導波路コア１０２より１０ミクロン以上離して、均一に加熱されるように配置する。 （もっと読む）

【課題】斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにする。
【解決手段】光集積素子の製造方法を、第１斜め導波路５を有する第１光素子１に、その端面位置を検知しうる複数の端面位置検知マーカ１１Ａ、及び、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成し、第２斜め導波路８を有する第２光素子２に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成し、端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカとこれに対応する第２位置合わせマーカとを合わせて第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装するものとする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力である可変光減衰器、ならびに温度に依存した波長シフトが生じないDPSK受信回路となる、位相制御回路およびこの位相制御回路を用いた光干渉回路を提供する。
【解決手段】基板上における、２つのモード変換器と、これらを連結する複数の光導波路とからなる位相制御回路であって、複数の光導波路の間または外側に、ある材料を充填した溝を、複数の光導波路の上方および、または複数の光導波路の間の上方に薄膜ヒータを有する。熱光学定数の絶対値が光導波路の熱光学定数の絶対値より大きい、溝に充填された材料および、または光導波路の周囲の材料を用いることにより、低消費電力である可変光減衰器を実現する位相制御回路を提供する。さらに、上記の位相制御回路および、同様の構造であるが、溝を有さない位相制御回路、ヒータを有さない位相制御回路を複数適宜組み合わせることにより、温度に依存した波長シフトが生じないDPSK受信回路や波長合分波フィルタなどの光干渉回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】長波長用の可変光モジュールに用いることができる電気光学特性に優れた光学素子を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する単結晶基板１１０と、単結晶基板１１０上にエピタキシャル成長により形成された第１の電極１３０と、第１の電極１３０上にエピタキシャル成長により形成された電気光学効果を有する電気光学膜１６０と、電気光学膜１６０上に形成された第２の電極１８０とを備え、第１及び第２の電極１３０及び１８０は、電気光学膜１６０の膜厚方向に電圧を印加するためのものであり、電気光学膜１６０は、単一配向を有しない結晶化膜である光学素子。 （もっと読む）

【課題】入射光を２つの偏波に分離して光回路に入射する光回路装置において、ＰＤＬ及び挿入損失を低減する。
【解決手段】光回路と、入射波から２つの偏波への分離、及び２つの偏波から出射波への合成を行う偏波分離合成器と、前記光回路及び前記偏波分離合成器の間を接続し、前記分離された２つの偏波が個々に入射される第１及び第２の光導波路と、
前記第１の光導波路に配置され、前記偏波分離合成器により分離された一方の偏波の偏波面を、前記分離されたもう一方の偏波の偏波面となるよう回転する偏波回転素子と、を平面基板上に集積したことを特徴とする光回路装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で信号光と同位相のモニタリングを行うことのできる光導波路デバイスおよび光導波路デバイス製造方法を得ること。
【解決手段】ＬＮチップ１１の出力側端面は、導波路１１ａにおける信号光の進行方向に対して傾斜した構成を有する。傾斜は、信号光の一部が上方向に反射するように形成する。加えて、出力側端面の上方に設けた補強部材３１＿２の上に受光素子４１を配置し、出力側端面で反射した信号光を受光する。かかる構造によって、受光素子４１が取り出すモニタ光と出力側端面から透過する信号光は同位相となり、モニタ光に基づいて制御を行うことでバイアスシフトの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム１１_１に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極１５に印加した場合におけるアーム１１_１の伝搬損失とアーム１１_２の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部１４が設けられている半導体ＭＺ光変調器１０と、半導体ＭＺ光変調器１０の各電極１５に、同時刻における時間変化率の正負が逆の，振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路１８とを、備える。 （もっと読む）