【課題】ベース基板への設置範囲の制約が少ない小形で光・電気複合基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】光・電気複合基板１０は、光導波路２０と、光導波路２０が配置された板状のフレキシブル基板４０と、光電気変換素子６０と、を備える。フレキシブル基板４０は、フレキシブル基板４０の厚さ方向からみて光導波路２０が配置された範囲の配置部４６と光導波路２０が配置されない範囲の非配置部４４とを有する。フレキシブル基板４０は、光導波路２０が積載された表面４３のうち、配置部４６の表面４３に形成され、ベース基板電極８６に電気的に接続するためのフレキシブル基板接続電極４８を有する。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】光素子とＩＣ基板との間の電気的に接続する距離を短くすることで、高周波に対する損失を抑えることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】基板１５と、内部導波路２１と、ミラー部２０と、光素子３３（３３ａ，３３ｂ）と、外部導波路２５とを備えた光モジュールである。光素子３３の発光面若しくは受光面が基板１５の表面と所定の隙間を隔てるように、裏面で保持する保持部材３０を設けている。保持部材３０の表面で、かつ光素子３３の近傍にＩＣ基板３４ａを実装する。保持部材３０の光素子３３の貫通穴配線３０ｂとＩＣ基板３４ａとを電気的に接続するメタル回路３５ａを設けている。 （もっと読む）

【課題】長波長用の可変光モジュールに用いることができる電気光学特性に優れた光学素子を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する単結晶基板１１０と、単結晶基板１１０上にエピタキシャル成長により形成された第１の電極１３０と、第１の電極１３０上にエピタキシャル成長により形成された電気光学効果を有する電気光学膜１６０と、電気光学膜１６０上に形成された第２の電極１８０とを備え、第１及び第２の電極１３０及び１８０は、電気光学膜１６０の膜厚方向に電圧を印加するためのものであり、電気光学膜１６０は、単一配向を有しない結晶化膜である光学素子。 （もっと読む）

【課題】低コストであり、かつ狭スペースであっても搭載可能な光伝送モジュールを実現する。
【解決手段】本発明の光伝送モジュール１は、光配線４によって伝送される光信号を電気信号に変換する光受信処理部３と、電気信号を伝送する電気配線５を備えた受信側基板部３５と、光受信処理部３および受信側基板部３５に電気信号を供給する受信側コネクタ部３６とを備えている。そして、光受信処理部３及び受信側コネクタ部３６が、受信側基板部３５における同一の基板面に搭載されており、受信側基板部３５は、その法線方向において基板面が互いに背向するように折り曲げられた折り曲げ部３５Ｘを有している。 （もっと読む）

【課題】支持部材と基板との熱膨張差に起因した応力により生じる光導波路の動作点変動を抑制する。
【解決手段】導波部２２の伸延方向Ｄ１に交差する交差方向Ｄ２において、支持部材１３による応力の応力分布中心に近い方にある接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｉｎと、応力分布中心から遠い方にある接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｏｕｔとが、異なる形状で形成されている、光導波路デバイス１０とする。接地電極２５の構造を工夫することにより、支持部材１３から基板１１にかかる応力で生じる、複数の導波部２２間の応力特性の相異を打ち消すような応力を、接地電極２５から基板１１へかける。 （もっと読む）

【課題】電極の配線によるクロストークの影響を低減することができるマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された強誘電体の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された常誘電体の基板とを備える。強誘電体の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の電極を備え、常誘電体の基板は、電極の配線を備える。常誘電体の基板は、強誘電体の基板に比べて電気光学効果による影響が小さいので、電極の配線が常誘電体の基板の導波路と交差しても、クロストークの影響が小さい。また、電極の配線を常誘電体の基板に配置すれば、配線が導波路と交差しても影響が小さいので、配線の等長化のための設計がし易くなる。 （もっと読む）

モノリシックな電子光学的デバイスは導波路に光学的に接続するスポットサイズコンバータを有する。導波路のコア（５４）に延在するオーバークラッド（５８）はスポットサイズコンバータのオーバークラッドに比べ厚みが薄く、より高度にドープされる。この構造は厚みの異なる又はドーピングの程度の異なる選択された領域を備えたオーバークラッド（５８）を形成可能な選択性エッチングと強化型再成長の工程を適用することによって作製される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、動作可能波長帯域が広く、光ファイバによる分散に対しても波形劣化がすくない、小型の光変調器を実現することを目的としている。
【解決手段】 レーザー光に信号を重畳する光変調器であって、レーザー光を導波するための光導波層と、光導波層を間に挟んで設けられ、光導波層より屈折率が小さい第１クラッド層および第２クラッド層と、光導波層を伝搬するレーザー光を多重反射させるために、対向して設けられた２つの反射器と、２つの反射器の間に配置されて、光導波層の屈折率を変化させるための変調信号が印加される電極と、を備え、電極に印加された変調信号によって光導波層の屈折率が相対的に高くなる方向に変化する条件において、対向して設けられた２つの反射器の外側に出力される信号光の強度が高くなる動作点に設定されることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】電気的クロストークの抑制された光導波路デバイス、及び、この光導波路デバイスを用いた光伝送装置を提供する。
【解決手段】一端面２２Ｃの導波路コア２５よりもわずかに下側（入出射面２２Ｂ側）からミラー面２４を含んで上面２２Ａ側にかけて、及び、上面２２Ａの一端面２２Ｃ側は、導電性膜２７で覆われている。一端面２２Ｃの入出射面２２Ｂ側には、導電性膜２７の形成されていない非導電性領域２８が構成されている。ミラー面２４と非導電性領域２８とで、一端面２２Ｃが構成されている。 （もっと読む）

【課題】 受光素子とそれに接続される電子回路素子との間の電気配線および発光素子とそれに接続される電子回路素子との間の電気配線の少なくとも一方を、その配線経路と導光板との位置関係を工夫することにより短くすることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】 光モジュールは、受光素子３と光学的に結合される光導波路１２および発光素子５と光学的に結合される光導波路１３を有する導光板１０を備える。導光板１０は、電子回路素子７，９の少なくとも一方の全部または一部を覆うように配置され、光導波路１２，１３の端部の前方領域は、それぞれ受光素子３と電子回路素子７との間の電気配線および発光素子５と電子回路素子９との間の電気配線がそれぞれ通ることができる空間とされる。 （もっと読む）

【課題】回路基板に光導波路が設けられた光複合基板において、回路基板の電子回路と、回路基板に実装する光素子との間を電気的に接続するための配線長を短くすることができる技術の開発。
【解決手段】光導波路基板２に被着された回路基板３に形成された光素子収納孔３１に光素子４が組み込まれた構造の光導波路モジュール１、及び、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスを、その特性を劣化させることなく低コストに実現する。
【解決手段】光導波路デバイスは、厚さ３０μｍ以下の光導波路基板と、光導波路基板を保持し光導波路基板より誘電率が低い樹脂製の保持基板と、を有する。光導波路基板と保持基板は厚さ９μｍ以下の接着剤層によって接着されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板と、前記光導波路基板を保持する保持基板と、前記光導波路基板より誘電率が低く、前記光導波路基板と前記保持基板との間に介挿された低誘電率基板と、前記光導波路基板と前記低誘電率基板とを接着する厚さ９μｍ以下の接着剤層と、前記低誘電率基板を前記保持基板に固定する固定手段と、を備える （もっと読む）

【課題】光−マイクロ波発振器の共振器長を短くし、半導体もしくは石英基板上に集積可能とすることを目的とする。
【解決手段】光−マイクロ波発振器１０は、半導体基板１５上に、半導体レーザ１１と、半導体レーザから出射されたレーザ光を導く光導波路１２と、光導波路で導かれたレーザ光を検出して電気信号を出力する光検出器１３と、光検出器から出力された電気信号を増幅して増幅信号を生成する増幅器１４とを含む光−電気ループ回路を有する。生成した増幅信号によって半導体レーザ１１から出射されるレーザ光を制御し、光−電気ループ回路におけるキャリアの遅延時間で定まる基本発振周波数、又は、その整数倍の高調波成分の１つで発振する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性に優れた光電子集積回路を安価に提供する。
【解決手段】光電子集積回路６００は、ＳＯＳ基板６１０のサファイア基板６１１を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜６１１をコアとした光導波路と、該シリコン膜６１１に形成された電子集積回路６４０と、光ファイバ６７０，６８０を固定する溝６２１，６２２とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ６５０およびレーザダイオードアレイ６６０がハイブリッドに搭載される。光導波路の下部クラッドをサファイア基板とし且つコアをシリコン膜としたので、屈折率差を十分に大きくでき、その結果シリコン膜を薄くできるので、コアの加工時間等が短縮できる。さらに、サファイア基板６１１上に電子集積回路６４０を形成するので、高周波特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】発明の目的は、光配線の高密度化を可能にすることによって、光配線によって半導体装置間の信号伝送を行う電子装置の信号処理速度を飛躍的に向上させることである。
【解決手段】
電気信号を処理する複数の半導体装置と、前記半導体装置の間で交わされる信号が電気から光に変換されてなる光信号を伝送する複数の光導波路によって構成される光配線を具備する電子装置において、隣接する前記光導波路の間で、コア断面の幅及び厚さの何れか一方又は双方が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、第１および第２の光導波路３ａ、３ｂからなる光導波路３と、基板上に形成されたバッファ層２と、バッファ層の上方に配置された中心導体４ａおよび中心導体を挟むよう配置される第１および第２の接地導体４ｂ、４ｃからなる接地導体により構成された進行波電極とを具備し、基板におけるバッファ層が形成される側の表面が平坦である光変調器において、第１の光導波路の上方に中心導体を、第２の光導波路の上方に第１の接地導体を有し、第１の接地導体が、第２の光導波路直上ではない位置に光導波路の光軸方向に延在する第１の位置を有し、第２の接地導体が、中心導体の中心線に対して第１の位置と対称となる位置に光導波路の光軸方向に延在する第２の位置を有し、第１の位置および第２の位置に導体が欠落した部位１１ａ、１１ｂを具備する。 （もっと読む）