【課題】複合材料における強化材の充填率を高くすることができる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素および炭化ケイ素のそれぞれの強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素の粉粒体に液体フェノールをバインダとして加え、セディメント成形する工程と、セディメント成形の結果、作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程とを含む。これにより、プリフォームにおける炭化ホウ素粒子の充填阻害を回避し、充填率を高く維持でき、製造した複合材料における炭化ホウ素粒子の充填率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属−セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、セラミックスがＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４の何れかであり、マトリックス金属及び金属が同種でＳｉ、Ａｌ、Ｃｕの何れかであり、セラミックスの充填率が２０〜５０体積％である金属−セラミックス複合材料からなる。 （もっと読む）

【課題】低コストで炭化ホウ素プリフォームにケイ素を含浸でき、ケイ素含浸中にクラックの発生を防止できる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素１０の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素１０の粒子表面に炭素成分２０をコーティングしたプリフォームを作製する工程と、前記作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程と、を含む。これにより、プリフォーム中の炭化ホウ素１０の粒子表面が炭素成分２０でコーティングされ、金属ケイ素の含浸時に直接に炭化ホウ素１０がケイ素に触れることを防止できる。また、表面にコーティングされた炭素成分２０がケイ素と反応して炭化ケイ素３０になるため、炭化ホウ素１０の粒子表面が炭化ケイ素３０に覆われ、炭化ホウ素１０の粒子が保護される。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性や耐食性に優れた炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材を提供する。
【解決手段】有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰囲気下において反応焼結させて炭化ケイ素化し、シリコンを溶融含浸してシリコン被覆層を形成し、次いで樹脂類を含む第二スラリーを含浸させ炭素化するとともにシリコン被覆層の少なくとも表面を炭化ケイ素化する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生個数の低減化が図られている多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】１００重量部のＳｉＣ粉末と、５重量部以下のカーボン粉末または５重量部以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０重量部以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする。成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０［℃］で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる。 （もっと読む）

【課題】強化繊維の形態を適切に調整することで、破壊エネルギーが高く、かつ熱伝導率や曲げ強度の特性も適切に制御された、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックスを提供する。
【解決手段】炭素繊維３１からなる短繊維を集合してその外表面に炭素被膜３２を形成することで被膜付き繊維集合体３を作製する工程と、炭化ケイ素と炭素材料とを混合して基材部原料２を作製する工程と、これらに炭素被膜のない炭素繊維からなる短繊維４とを混合して混合体を作製する工程と、前記混合体を成型，加圧して成形体を作製し、前記成形体を還元雰囲気下で焼成して焼成体を作製したのち、焼成体に対して減圧下でシリコン含浸を行うことを特徴とする、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックス１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高剛性でかつ高熱伝導率のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を支障なく提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粒子の間にＳｉが充填された構造を有するＳｉＣ／Ｓｉ複合材料において、ＳｉＣ粒子が、粒度が異なる粗粉及び微粉により構成され、ＳｉＣの充填率が、８６〜９４体積％となるようにする。この場合、ＳｉＣ粒子の結晶相は、粗粉においてはα相のみであり、微粉においてはβ相のみであるか又はβ相及びα相が混在しており、α相及びβ相の結晶の含有率をそれぞれα体積％及びβ体積％とすれば、６４≦β／（１００−α）≦８６が成立する。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素発熱体，ハニカムを製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の製造方法は、炭化ケイ素と、ケイ素と、炭素と、アルミニウム原料と、を混合する工程と、混合物を焼成する工程と、を有する製造方法である。そして、アルミニウム原料の割合，焼成条件を調節することで、優れた抵抗値特性が得られるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】押出成形など、低コストの成形法に対して、同じく低コストでかつ環境負荷が少ない酸による洗浄法による半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法を提供する。
【解決手段】水系押出成形において、成形体を乾燥後、不活性ガス雰囲気中で３５０〜４５０℃の温度で熱処理する脱脂工程と、酸で洗浄する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 常圧焼結方法により、割れや欠け等を生じさせずに焼結させることができ、生産性を向上させるチタンシリコンカーバイドの製造方法を提供する。
【解決手段】 チタンシリコンカーバイドの製造に使用する原料粉末を構成するTi粉末の一部をTi繊維に置換したチタン繊維混合粉末を調製する工程と、前記チタン繊維混合粉末を加圧してチタン繊維を含有する圧粉体を形成する工程と、前記圧粉体を常圧下において加熱して焼結させる工程とを備え、前記チタン繊維混合粉末を調製する工程においては、Ti成分と、Si成分と、C成分とがチタンシリコンカーバイドのTiとSiとCのモル比に一致するように、Ti繊維と各粉末の分量比を設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易に製造することができ、電気抵抗値を種々とすることが可能な導電性ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】導電性ハニカム構造体１は、導電性を有するセラミックスの焼結体で形成され、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備える基体１０と、基体の軸方向の一端に開口し、他端に至ることなく軸方向に延びるスリット部１１と、スリット部の内部に充填された、電気絶縁性または前記基体より電気伝導率の小さい、非焼結の充填材１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が０．５〜１．５である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体１０とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部１１を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材１２で充填する充填工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供すること。
【解決手段】基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、ＳｉＣを７０〜９９質量％、Ｓｉを１〜３０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で製造することができ、広い範囲内で種々の比抵抗値をとることが可能な炭化珪素質セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体であって、粒子表面に二酸化珪素層が形成されている。また、二酸化珪素層は、酸素濃度として０．４質量％〜４．８質量％が形成されている。更に、炭化珪素質セラミックス焼結体は、単一の方向に延びて列設された隔壁により区画された複数のセルを備えるハニカム構造に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素焼結体は、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を施してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】流体の温度を安定的にかつ短時間に上昇させることができる流体昇温用フィルターおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンおよび炭化ケイ素を含有しており、マイクロ波によって加熱されて用いられる。 （もっと読む）

【課題】高充填率であっても加工コストを抑えられるＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Ｓｉを浸透させる浸透工程と、を含むＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法。前記有機バインダーの添加量は、前記ＳｉＣ粉末をタップした際にできる空隙の容積の２５〜１００体積％に調整する。 （もっと読む）