【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子９が、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０５原子％／ｎｍ以上である第１結晶群の結晶粒子９ａと、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０３原子％／ｎｍ以下である第２結晶群の結晶粒子９ｂとを有しており、第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａおよび前記第２の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が０．１５〜０．４０μｍであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａの面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子９ｂの面積をｂとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ）が０．４〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜４．００モルを含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜０．７０モルを含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｓｉ酸化物０．２０〜２．００モルを含む第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ａｌ酸化物０．０２〜１．００モルを含む第４副成分と、上記第３副成分に対して、ＢａまたはＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物２０〜１４０％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】分散性及び低温での焼結性に優れたジルコニア複合微粒子を大量かつ安価に製造することが可能なジルコニア複合微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のジルコニア複合微粒子の製造方法は、ジルコニア微粒子の分散平均粒子径が２０ｎｍ以下でありかつ希土類元素イオンおよび／またはアルカリ土類金属イオンを含むジルコニア酸性分散液に、炭酸アルカリ溶液を添加して中和沈殿物を生成し、次いで、この中和沈殿物を乾燥し、この乾燥した中和沈殿物を４００℃以上かつ６００℃以下の温度にて熱処理し、次いで、洗浄し、炭酸アルカリ成分を除去する。 （もっと読む）

【課題】
研磨剤またはジルコニアセラミックスの焼結用原料として適するジルコニア粉末を提供する。
【解決手段】
フッ化リチウムの含有量が１〜２００ｐｐｍであり、結晶子径が５０ｎｍ以上であり、比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下であることを特徴とするジルコニア粉末は、粗大で硬い凝集粒子が含まれず、研磨剤並びに焼結用原料として好適な粉末となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びそれを利用した積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、表面に硫化物及び硫黄を含む塩で構成された群から選択された一つ以上の被膜層が形成されたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を利用したペロブスカイト粉末を合成する際に、硫化物及び硫黄を含む塩で構成された群から選択された一つ以上の被膜層を形成することにより、粒子の粒成長を抑制した高結晶性微粒のペロブスカイト粉末を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】 極力少ない半導体化元素を添加し、経時変化が小さく、上記ＰＴＣ特性が実用レベルで満足するＰＴＣサーミスタ用磁器組成物、及びＰＴＣサーミスタを提供する。
【解決手段】 組成式が、(Ba_1-x-yA1 _x A2_y)Ti_z O₃ (但し、A1はLa、Dy、Eu、Gdの一種又は二種以上の元素、A2はY、Ho、Er、Ybの一種又は二種以上の元素)で表され、
前記x、y、ｚが、0.0005≦x≦0.0045、0.0005≦y≦0.0045、1.00<z≦1.05であり、かつｘ＋ｙ≦0.005の範囲に有るＰＴＣサーミスタ用磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ１）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、Ｃｅ元素（含量はｚ ａｔ％）及び少なくとも一つの希土類元素（含量はｗ ａｔ％）を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含み、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１≦ｚ≦ｘ１＋４ｙであり、０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ１＋４ｙである誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が厚み１μｍ未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-x/100Ｃａ_x/100）_ｍＴｉＯ_３（２≦ｘ≦２０）で表わされる化合物を主成分とし、ａＭｇ−ｂＳｉ−ｃＭｎ−ｄＲ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種。ａ、ｂ、ｃおよびｄ［モル部］は、前記主成分１００モル部に対して、それぞれ、０．１＜ａ≦２０．０、０．５＜ｂ≦２０．０、０．１＜ｃ≦１０．０、および１．０＜ｄ≦３０．０である。）を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は２０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてＢａ、ＴｉおよびＺｒを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Ｂａを１００モル部としたときの、Ｚｒの含有モル部が１０以上４０以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ａの個数割合をＴＡ、結晶粒子中心においてＴｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ｂの個数割合をＴＢ、とするとき、ＴＢが０．１以上である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９ａと酸化イッテルビウムの結晶粒子９ｂとを有するとともに、チタン１００モルに対してマグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜３．０モル含有してなり、Ｘ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数（２２２）の回折強度が０．５〜３．０％である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、粉砕用ジルコニア焼結体を一旦粉砕・溶解して得られるリサイクルジルコニア粉末を用いてジルコニア焼結体を得ることで、資源を有効に利用できるとともに、ジルコニア焼結体の強度、靭性を向上させることにある。
【解決手段】本発明は、粉砕用ジルコニア焼結体を用いてリサイクルジルコニア粉末を製造する方法において、（１）粉砕用ジルコニア焼結体を、粉砕してジルコニア粒子とする工程、（２）粉砕工程で得られたジルコニア粒子を、酸で溶解する工程、（３）溶解工程で得られた溶解液を、水で希釈する工程、（４）希釈工程で得られた希釈液を、共沈法、加水分解法、水熱合成法または噴霧乾燥法によりジルコニア粉末前駆体を調製する工程、（５）前駆体調製工程で得られた前駆体を、乾燥・仮焼してリサイクルジルコニア粉末とする工程、を用いることを特徴とするリサイクルジルコニア粉末の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が従来よりも高い多孔質金属酸化物誘電体粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の多孔質金属酸化物誘電体粒子は、多数の開気孔を有し、ＪＩＳ Ｒ １６５５の水銀圧入法に準じて測定された細孔面積が３〜３５ｍ²／ｇであることを特徴とする。この誘電体粒子は、平均粒子径Ｄ₅₀が０．１〜２μｍであり、最大粒子径が１０μｍ以下である。前記金属酸化物は、結晶構造がＡＢＯ₃（式中、Ａ及びＢはそれぞれ独立に１種以上の金属原子を表す。）で表されるペロブスカイト構造を有するものであることが好適である。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い耐食性を兼ね備えた安定化ジルコニア焼結耐火物、特に溶融ガラスに対する耐食性を高めた焼結耐火物を提供する。
【解決手段】化学成分として、質量％でＺｒＯ_２を６０〜９２％、ＳｉＯ_２を２．５〜１２％、Ａｌ_２Ｏ_３を０．３〜４％、ＣａＯを０．１〜１０％、Ｙ_２Ｏ_３を０〜１８％、ＣｅＯ_２を０〜１８％含有し、かつ、Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２で表わされる質量比が０．０５〜０．８の範囲である焼結耐火物であって、ＺｒＯ_２がＹ_２Ｏ_３、ＣａＯ及びＣｅＯ_２から選ばれる少なくとも１種の成分を含んだ安定化ジルコニアとして存在し、焼結耐火物の気孔率が３〜５０％である安定化ジルコニア焼結耐火物。 （もっと読む）

【課題】ガーネット型イオン伝導性酸化物において、伝導度の低下をできるだけ抑えると共に、焼成エネルギーをより低減する。
【解決手段】ガーネット型イオン伝導性酸化物は、Ｌｉと、Ｌａと、Ｚｒとを含み、Ｌａと異なる元素でありアルカリ土類金属及びランタノイド元素のうち少なくとも１種以上の元素Ａと、Ｚｒと異なる元素であり酸素と６配位をとることが可能な遷移元素及び第１２族〜第１５族に属する典型元素のうち少なくとも１種以上の元素Ｂとを含む。また、基本組成Ｌｉ_XＬａ_3-YＳｒ_YＺｒ_2-ZＮｂ_ZＯ₁₂（式中、Ｘは、（Ｌａ_3-YＳｒ_Y）の平均価数をａ、（Ｚｒ_2-ZＮｂ_Z）の平均価数をｂとしたとき、Ｘ＝２４−３×ａ−２×ｂを満たし、且つ０＜Ｙ≦１．０，０＜Ｚ≦１．０）を満たす）で表されるものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】熱による体積変化が小さいチタン酸アルミニウム系セラミックス及び成形体を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るチタン酸アルミニウム系セラミックスは、主成分としてチタン酸アルミニウムを含有し、副成分として酸化セリウムを含有する。本発明の一実施形態に係る成形体は、多孔質の隔壁１２０により仕切られた互いに略平行な複数の流路１１０ａ，１１０ｂを有し、隔壁１２０が上記チタン酸アルミニウム系セラミックスを含む。 （もっと読む）

【課題】高温水蒸気電解（ＳＯＥＣ）技術を用いて、例えば炭化水素系ガスなどの改質すべき燃料ガスを、例えば水素ガスなどの燃料ガスに、高い効率で改質する。
【解決手段】実施形態の燃料ガス改質用電解セルは、酸素イオン導電性を有する固体電解質層と、前記固体電解質層の相対向する主面のそれぞれに形成されてなる第１の電子−イオン混合導電性の材料からなるカソード及び第２の電子−イオン混合導電性の材料からなるアノードとを具える。また、前記固体電解質層、前記カソード及び前記アノードは同一室に配置され、改質すべき燃料ガスを前記カソード及び前記アノードに接触するように構成する。 （もっと読む）

【課題】Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。
【解決手段】組成式を[(Bi_0.5Na_0.5)_x(Ba_1-yR_y)_1-x]TiO₃(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0<x≦0.14、0.002<y≦0.02を満足する半導体磁器組成物の製造方法において、焼結を酸素濃度1%以下の不活性ガス雰囲気で行うことにより、室温における抵抗率を大幅に低下させかつ材料内部にまで均一な特性を付与する。 （もっと読む）