【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造できる湿式法を用い、ダイヤモンドやＣＢＮ等の不活性な硬質粒子の表面に均一な表面処理皮膜を形成して分散性の良い表面処理皮膜付き硬質粒子を製造する方法等を提供する。
【解決手段】ヌープ硬度が１０００以上の硬質粒子２を準備する工程と、その硬質粒子２をＺｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＶから選ばれる１種又は２種以上の金属のフッ化物錯体を含む水溶液中に保持して、前記硬質粒子２の表面に前記金属の水和酸化物含有膜３’を形成する工程と、前記金属の水和酸化物含有膜３’が形成された硬質粒子を乾燥させる工程と、を有する方法により、表面処理皮膜付き硬質粒子１を製造した。水和酸化物含有膜形成工程と乾燥工程との間には、リン化合物を含有する水溶液への接触工程を設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作方法と手段でシリコンと炭化ケイ素を回収することができるカッティング廃液の処理、回収方法とその手段を提供する。
【解決手段】第一のステップと、第二のステップと、第三のステップと、第四のステップを含んでなり、第一のステップでは、カッティング廃液を希塩酸で攪拌混合して流動し易い混合材料にし、第二のステップでは、混合材料を過熱して液体分離して水とポリエチレングリコールを蒸発させ、冷却、脱水してポリエチレングリコールを回収し、分離して得られる固体が炭化ケイ素とシリコンの固体混合物で、第三のステップでは、固体混合物を二次洗浄して炭化ケイ素とシリコンの二次洗浄の固体混合物を回収し、第四のステップでは硝酸とハフニウムから組成した混合酸性溶液で、炭化ケイ素とシリコンを回収し、廃液重量から計算すると、２６−４６％の回収率に達する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】音声再生装置に関し、特にマグネシウム基複合材料を利用した音声再生装置を提供する。
【解決手段】音声再生装置は、筺体及び音声装置を備える。前記筺体の前部１２及び後部１６の少なくとも一つは、マグネシウム基複合材料からなる。該マグネシウム基複合材料は、マグネシウム基材料及び該マグネシウム基材料の中に分散したナノ材料を含む。該ナノ材料は、カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化チタン、炭化ホウ素、黒鉛のいずれか一種又はその多種の混合物である。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】目的の粒子径の炭化ケイ素粉体を効率よく得ることができるα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法、及び、この粒径制御方法により粒径が制御されたα型炭化ケイ素粉体を用いることで不純物が少なくかつ均質な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】本発明のα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法は、β型炭化ケイ素または炭化ケイ素前駆体を非酸化性の雰囲気中にて加熱し、前記β型炭化ケイ素、または前記炭化ケイ素前駆体から生成するβ型炭化ケイ素をα型炭化ケイ素に相転移させて生成するα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法であり、雰囲気の圧力を変化させてβ型炭化ケイ素からα型炭化ケイ素への相転移温度を制御し、平均粒子径が１０μｍ以上のα型炭化ケイ素粉体を生成する。 （もっと読む）

【課題】表面の平滑度の高い炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、β型炭化ケイ素部材を表面加工する工程と、この表面加工を施したβ型炭化ケイ素部材を、Ｓｉを含有する雰囲気中において１４００〜１９００℃の加熱温度で熱処理することにより、β型炭化ケイ素部材の表面における炭化ケイ素の粒成長を促進させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が２００ｎｍ以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を１５００℃以上かつ１９００℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
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【課題】シリコンおよび炭化珪素砥粒を含む使用済スラリから、シリコンと炭化珪素を分離抽出して、双方を回収する方法およびそれに用いる装置を提供することを課題とする。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下、容器中で炭化珪素粒とシリコン粒とを含む混合物を第１温度に加熱してシリコン粒を溶融させ、次いで得られた溶融シリコンを含む融液を第２温度に保持し、次いで融液の上層部位に取り出し治具を浸漬して取り出し治具に炭化珪素を析出させ、析出した炭化珪素を回収し、かつ容器から精製された溶融シリコンを回収することにより炭化珪素とシリコンとを分離することを特徴とする炭化珪素とシリコンとの分離方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】空き缶から破砕および分別処理を通して得られるアルミチップ製品の純度を向上させること。
【解決手段】原料チップＢＭが炭化装置２００に導入され、炭化装置２００より炭化したアルミチップおよびスチールチップに炭化したゴミ類や異物の混じったものが炭化原料チップＣＭとして容器２２０に排出される。容器２２０から炭化原料チップＣＭは、スクリュー・コンベア２２４によって上方に位置する空き缶破砕物分別装置１０に送られる。空き缶破砕物分別装置１０は、炭化原料チップＣＭを磁性炭化チップＣＳと非磁性炭化チップＣＫとに分離する磁選部１２と、この磁選部１２で分別された非磁性炭化チップＣＫから炭化アルミチップＣＡを選別または分別する第１および第２炭化アルミチップ選別部１４，１６とを有している。 （もっと読む）