説明

Fターム[4K022DB26]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 測定、検出 (529) | 温度 (181)

Fターム[4K022DB26]に分類される特許

101 - 120 / 181


【課題】リン酸塩等のような環境負荷物質を含まず、(リン酸塩+石鹸)皮膜と同等或いはそれ以上の潤滑性および耐焼付き性を発揮する皮膜を備えた塑性加工用金属材料を製造するために有用な方法を提供すること。
【解決手段】母材金属の表面にめっき層である第1層を形成し、次いでめっき層が形成された母材金属を液状の脂肪酸に浸漬することにより、めっき層の上に第2層を形成することを特徴とする塑性加工用金属材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 パラジウム皮膜上に美麗な外観の置換金めっき皮膜を良好に形成する。
【解決手段】 パラジウム皮膜上に金皮膜を形成する置換金メッキ浴において、可溶性金塩と縮合リン酸類を含有し、pH2〜7である非シアン系の置換金メッキ浴である。置換金メッキ浴にポリリン酸、ピロリン酸、或はその塩などの縮合リン酸類を含有するため、この縮合リン酸類が金イオンに対して適度の錯化機能とレベリング機能を発揮し、パラジウム皮膜上に均一でレモンイエローの明るい色調の美麗な金皮膜を析出させることができる。 (もっと読む)


【課題】めっき液の安定化を実現できるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面に無電解めっきを施すめっき処理槽10と、めっき処理槽10にめっき液を供給するめっき液供給槽12と、めっき液供給槽12内のめっき液を循環させるめっき液循環ライン22と、めっき液供給槽12内に配置されたpH検出器34の検出値を基にめっき液循環ライン22から選択的に分岐して該めっき液循環ラインに合流するめっき液分岐循環ライン30を有し、めっき液分岐循環ライン30には、基板表面と同様な無電解めっき反応が生じる補助反応物を内部に有する補助反応ユニット32が設置されている。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理を採用して装置としての処理能力を高め、しかも、無電解めっき装置に適用した場合に、均一な膜厚のめっき膜を選択性よく形成できるようにする。
【解決手段】処理液を保持する処理槽10と、複数枚の基板Wを保持して処理槽10内の処理液Q中に浸漬させる基板ホルダ16と、処理槽10内の処理液Qの温度を制御する温度制御部52と、処理槽10内の処理液Qを循環させる処理液循環系40,42,44と、基板ホルダ16を、複数枚の基板Wを保持したまま処理槽10内の処理液Q中で回転させる回転機構26,28,30,32を有する。 (もっと読む)


本発明は、本質的に触媒を含まない基体に金属を沈着させるための無電解法を提供し、上記方法は、(a)本質的に触媒を含まない基体を用意する工程、および(b)上記本質的に触媒を含まない基体を無電解溶液に暴露して上記基体上に金属を沈着させる工程、ここで上記溶液は金属イオンおよび上記金属イオンを金属に還元するための還元剤を含む、を含み、上記基体の少なくとも表面が、上記溶液の温度(T2)よりも高い温度(T1)を有しまたは上記温度(T1)に加熱される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、金属またはその合金の層が表面または内部に適用された成形製品の作製方法を提供する。
【解決手段】この方法では、成形型が使用され、この方法は、成形工程および金属化工程から構成され、成形工程および金属化工程は、両方とも、成形型内で行われ、該金属化工程は、無電解プロセスよりなり、本発明は、さらに、該方法により得られた成形製品を含むデバイスに関するものである。 (もっと読む)


【課題】無電解ニッケルめっき皮膜上に直接かつ、置換パラジウムめっき処理等の処理をすることなく密着性良好で、めっき厚バラツキの少ない純パラジウムめっき皮膜が形成可能な無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】第1錯化剤と、第2錯化剤と、リン酸又はリン酸塩と、硫酸又は硫酸塩と、ギ酸又はギ酸塩からなり、前記第1錯化剤は、エチレンジアミンを配位子とした有機パラジウム錯体であり、第2錯化剤は、カルボキシル基を有するキレート剤又はその塩及び/又は水溶性脂肪族有機酸又はその塩であることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 (もっと読む)


【課題】金属めっき浴中に良好に炭素短繊維を分散させてこの炭素短繊維の表面に均一に無電解めっきを施すことができる金属被覆炭素短繊維の製造方法を提供すること。
【解決手段】10〜1000ppmの架橋型カルボキシビニルポリマーおよび/または10〜1000ppmのHLB値が10以下の非イオン性界面活性剤を含有する金属めっき浴中で炭素短繊維を無電解めっきして前記炭素短繊維の表面を金属で被覆することを特徴とする金属被覆炭素短繊維の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層1の被覆、活性化処理、保護多孔体層1の除去、基材表層への保護多孔体層2の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。
【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ダマシン銅配線等において、配線幅130nm以下の超微細配線を欠陥なく埋め込むことができ、めっき膜の密着性が好適で、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 動粘度が1.5cSt以上200cSt以下、好ましくは5cSt以上100cSt以下である無電解銅めっき液。この無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっき膜を形成するダマシン銅配線形成方法、及びこのダマシン銅配線形成方法により配線幅130nm以下のトレンチ・ビアに対してダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー。 (もっと読む)


【課題】溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス。
【解決手段】本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。また、本開示は、固体電解質デバイスを作製するプロセスにも関する。 (もっと読む)


【課題】 無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき液を貯留する無電解めっき槽と、前記無電解めっき槽に接続し、その無電解めっき槽との間で前記無電解めっき液を循環する循環流路を有する外部循環手段と、を備え、前記外部循環手段が、その循環流路内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液に混入すると共に前記無電解めっき液を加圧して前記気体を前記循環流路内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段と、を更に有する無電解めっき装置。 (もっと読む)


【課題】被処理物以外の表面へめっき用金属が析出することを防止した無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき装置1は、無電解めっき液Qを液建するめっき槽10を備えた無電解めっき装置1であって、めっき槽10の、無電解めっき液と接触する接液部は、無電解めっき液Qと接した状態で、無電解めっき液Qと接する側に負電荷を帯びる負電荷帯電部12を有することを特徴とする。無電解めっき液Q中のめっき用金属の陽イオンは、周囲を負イオンで囲まれた錯体として存在している。負電荷を帯びた錯体は、電気的な反発力によって負電荷を帯びた負電荷帯電部12に接近することができず、負電荷帯電部12、すなわちめっき槽10内壁の接液部にめっき用金属が析出することが防止される。 (もっと読む)


【課題】Pb、Bi、Tl、Cdなどの重金属イオンを含まないため人体や環境に優しく、しかも、無電解ニッケルめっき浴として実用に耐えるめっき浴を提供する。
【解決手段】水溶性ニッケル塩、有機酸又はその塩、次亜リン酸塩又はホウ素化合物、及びアセチレン化合物を含有する無電解ニッケルめっき浴において、Pb、Bi、Tl、及びCdのいずれの金属イオンも含まず、かつ以下の(2),(3)のいずれかの特徴を有するめっき浴、及びそれを用いためっき方法。(2)前記有機酸又はその塩が(A)アミノ酸又はその塩とヒドロキシカルボン酸又はその塩、又は(B)ヒドロキシモノカルボン酸又はその塩とヒドロキシポリカルボン酸又はその塩を含有するめっき浴。(3)亜リン酸又はその塩を含有するめっき浴。 (もっと読む)


【課題】配線の表面に保護膜を選択的に形成する無電解めっきを最適なプロセス条件で行うことができるようにする。
【解決手段】表面に金属配線を有する基板を用意し、基板の表面に触媒付与液を接触させて金属配線の露出表面に金属触媒を付与する触媒付与処理を行い、基板の表面にDMABを還元剤とする液温が25〜60℃の無電解めっき液を接触させて配線の露出表面に保護膜を選択的に成膜し、その後、基板の表面を洗浄して乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Zn、Fe、Co及びMnからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層5を形成する工程を経てセラミック電子部品100を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、pHが6〜12であるセラミックス電子部品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 表面粗さが良好で且つ密着力の高い金属膜を形成することが可能な高圧流体を
用いたプラスチックの表面改質方法を提供することである。
【解決手段】 高圧流体を用いたプラスチックの表面改質方法であって、高圧流体を用い
て界面活性剤をプラスチックの表面内部を浸透させることと、上記プラスチックに浸透した上記界面活性剤を溶媒で溶解して上記プラスチックの表面から上記界面活性剤を除去することとを含む表面改質方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】銅表面に1,000nmを超す凹凸を形成することなく、銅表面と絶縁樹脂との接着強度を確保し、各種信頼性を向上させることができる銅表面の処理方法、ならびに当該処理された配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面の処理方法において、銅表面に貴金属を離散的に形成する工程、前記銅表面を、酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化処理して酸化銅を形成する工程、前記酸化銅を、還元剤を含むアルカリ溶液で還元処理して金属銅を形成する工程、前記金属銅の表面にニッケル、コバルト、ニッケルとコバルトの合金、ニッケルおよびコバルトの2層から選択される無電解めっき皮膜を形成する工程を有する銅表面の処理方法。 (もっと読む)


【課題】ソルダーレジストや下地ニッケルに腐食を生じさせることなく、配線基板に半田接合性やワイヤーボンディング特性が良好な金めっき皮膜を形成できる安全性の高い置換金めっき液を提供する。
【解決手段】金イオンとして0.5−5g/Lの水溶性亜硫酸金化合物と、5−200g/Lの亜硫酸及び/又はその塩と、5−50g/Lの水溶性ポリアミノポリカルボン酸及び/又はその塩とを含有し、エチレンジアミン及びタリウムを含まない無電解金めっき液。 (もっと読む)


【課題】従来用いられている無電解銅めっき液と比較して安全性の高い無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂に対して、良好な密着性と優れたエッチング性を兼ね備えた導電性皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】還元剤として次亜リン酸又はその塩を含む自己触媒型無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂上にニッケル含有率20〜70重量%の銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成することを特徴とするポリイミド樹脂上への導電性皮膜の形成方法。 (もっと読む)


101 - 120 / 181