無電解ＮｉＷＰ層がＴＦＴ銅ゲートプロセスのために使用される。ＮｉＷＰ堆積プロセスは、（ａ）例えば紫外線、オゾン溶液及び/又はアルカリ混合物溶液を使用するベース表面の浄化、（ｂ）例えば希釈酸を使用するベース表面のミクロエッチング、（ｃ）例えばＳｎＣｌ_２及びＰｄＣｌ_２溶液を使用するベース表面の触媒活性化、（ｄ）還元剤溶液を使用するベース表面のコンディショニング及び（ｅ）ＮｉＷＰ層堆積のステップを含む。ある条件下で堆積されたＮｉＷＰ層は、ガラス基板へのまた、良好なＣｕバリアー能力をもつＣｕ層への、良好な接着性を提供することができることが見出された。ＮｉＷＰ層は、接着、キャッピング及び/又はＴＦＴＣｕゲートプロセスのためのバリアー層に有益である。（例えば、フラットスクリーンディスプレイパネル） （もっと読む）

超小型電子デバイスの製造において金属基材の基板上にＣｏまたはＣｏ合金を析出するための無電解めっきの方法および組成物であって、Ｃｏイオンの供給源、基板上へ析出イオンを金属に還元する還元剤、およびオキシム基剤の化合物安定剤を用いるものである。 （もっと読む）

本発明は電極支持体に導電性又は半導電性酸化物の前駆体を含むバインダー分散液を付着し、前記電極支持体に前記前駆体から導電性又は半導電性酸化物被覆物を形成し、電気伝導性酸化チタン及び電極粒子を前記導電性又は半導電性酸化物被覆物に付着し、前記電気伝導性酸化チタン及び電極粒子を形成された導電性又は半導電性酸化物被覆物に接着することを特徴とする電極の製造方法に関する。本発明はまたその方法により得られる電極、及び電解槽中のその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 水素吸蔵合金の表面処理方法、表面処理された水素吸蔵合金及びこれを用いたニッケル−水素二次電池を提供する。
【解決手段】 水素吸蔵合金粒子の表面に耐久性ニッケル被覆膜を形成し、かつ、その被覆量を特定範囲内に制御することによって、電気化学的特性、特にサイクル初期の活性と高率放電特性を向上させ、同時にサイクル寿命特性を向上させることを特徴とする、水素吸蔵合金粒子の表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】電池性能（放電容量や高率放電特性等）を損なうことなく、特に高温下において電池としての耐久性（サイクル寿命特性）を発揮するニッケル−水素二次電池の実現を可能とする被覆水素吸蔵合金粒子を、簡便且つ温和な条件で安価に提供し得る新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルイオン源を含む無電解めっき液（Ａ）中にチタン系化合物（Ｂ）を分散させてなる分散液中で、触媒化処理した水素吸蔵合金粒子（Ｃ）を無電解複合めっき処理することにより、チタン系化合物（Ｂ）が分散したニッケル金属被覆層を該粒子（Ｃ）の表面に形成させる。 （もっと読む）

【課題】 多くの電子デバイスに好適に使用できる配線や電極として用いられるアルミニウム膜を容易かつ安価に形成しうる方法を提供する。
【解決手段】 表面にチタン化合物の塗膜を備えた基体と、水素化アルミニウム化合物とアミン化合物との錯体または下記式（１） Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３Ａｌ・・・（１） ここで、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、フェニル基、炭素数７〜１２のアラルキル基である、で表わされるアルミニウム化合物を含有するアルミニウム溶液組成物とを準備し、（ｉ）基体を、予め加熱したアルミニウム溶液組成物中に浸漬するか、（ｉｉ）予め加熱した基体を、アルミニウム溶液組成物中に浸漬するか、あるいは（ｉｉｉ）基体をアルミニウム溶液組成物中に浸漬したままで加熱するか、により、チタン化合物の塗膜上にアルミニウム膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法は、ポリイミド膜の表面をＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第１の伝導性金属膜を形成する第１のめっき段階と、前記第１のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第２の伝導性金属膜を形成する第２のめっき段階と、を含む。 （もっと読む）

自己触媒無電解めっき浴を用いて基板に金属めっきする方法において，めっき浴において少なくとも２つの相が存在するようめっき浴の曇り点よりも高い温度でめっき浴を作用させる方法を開示する。銀金属を被覆するための自己触媒無電解めっき浴も記載する。また，介在金属層を必要とせずに銀金属をシリコン表面上に直接自己触媒めっきする方法も開示する。得られた銀析出物は均一な非多孔質であり，電気特性を有する。この技術は，異なる方法及びめっき浴組成，すなわち，異なる金属，錯化剤及び還元剤に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 ガスタービン等の高温部材に適用する遮熱コーティングにおいて、遮熱層の剥離や脱落の少ない構造を提供する。
【解決手段】 金属基材１上に、金属下地層２、酸素バリヤ層３、セラミックス遮熱層４の順に重なった構造であって、金属下地層２にアルミニウム（Al）が含有され、酸素バリヤ層３は厚さが０．１μｍから５μｍの範囲内にある酸化物セラミック、特に酸化セリウム（CeO₂)もしくは酸化ジルコニウム（ZrO₂)の緻密な薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜層と透明導電体を有する発光素子において、透明導電体の抵抗を増大させることなく金属薄膜層をオーミックコンタクトさせた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、発光部６を介して第一導電型層５と第二導電型層７を配してなる積層体と、該積層体をなす第二導電型層７上に設けた金属薄膜層９と、該金属薄膜層９上に設けた透明導電体１２とを少なくとも備えてなる発光素子１であって、前記透明導電体１２は、２層以上の透明導電膜１０、１１からなる。 （もっと読む）

金属酸化物層は、表面を前駆体溶液に高温で晒すことにより構造の金属又はセラミック表面上にｉｎ ｓｉｔｕで堆積させることができる。前駆体溶液は、有機金属、酸化剤、界面活性剤、キレート剤、及び水を含む。前駆体溶液は構造に注入され、所定期間に亘り所定の温度、ｐＨレベル、及び圧力に維持される。ｉｎ ｓｉｔｕで堆積させて得られる金属酸化物層は、構造内部の表面に永久的に結合し、且つ堆積後の熱処理を必要としない。
（もっと読む）

本発明では、マイクロエレクトロニクス処理用無電解メッキにおける温度制御手順が開示されている。この手順は、堆積の均一性を改善し、メッキ浴液の寿命を延ばし、また費用効率が高い。浴液は、メッキ室の外の装置内で最低堆積温度未満の温度まで加熱される。浴液は、堆積の発生していないメッキ室へ導入される。メッキ室が満たされた後、浴液は所望の堆積温度まで加熱される。堆積が開始する。堆積後、浴液は元のタンクに戻される。 （もっと読む）

【課題】 材料成長のための方法および装置を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ液に曝されるウエハの表面を選択的に加熱するための方法および装置が提供される。放射エネルギ源による選択的加熱は、ウエハ表面と無電解メッキ液との間の境界において温度上昇を引き起こす。この温度上昇は、ウエハ表面においてメッキ反応を生じさせる。したがって、ウエハ表面には、適切に定められた放射エネルギ源によってウエハ表面の温度を変動させることによって開始され且つ制御される無電解メッキ反応を通じて材料が成長される。また、ウエハ表面に近接する上方の位置に平面部材を配することによって、平面部材とウエハ表面との間に無電解メッキ液を閉じ込めることもできる。メッキ反応を通じて成長される材料は、平面部材の平面性に適合する平坦化層を形成する。 （もっと読む）

加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物３０を提供するステップと、加工物３０上に絶縁材料層３４を形成するステップとによって開始される。溝３６が絶縁層３４に形成され、バリア層４０が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層４６がバリア層４０上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層３４は、原子約１×１０^１１個／ｃｍ^２未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
（もっと読む）

本発明は、鉄合金部材を硫化によって処理する方法に関する。その方法によれば、その部材は、電流を流すことなく所定濃度の苛性ソーダとチオ硫酸ナトリウムと硫化ナトリウムとを含む水溶液の収容槽に含浸され、前記水溶液は約５分から３０分間かけて約１００℃から１４０℃の間の温度にされる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄セルと、少なくとも１つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 （もっと読む）

本発明は、次の段階：強誘電化合物の粒子が誘電層で被覆され、被覆粒子を焼結することで高密度複合材が形成されることからなる、複合強誘電体を得るための方法に関する。本発明は、被覆段階において、少なくとも１種の溶媒および誘電化合物の前駆物質を含有した流体と強誘電化合物の粒子が接触させられ、該流体が加圧されることで特徴付けられる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 （もっと読む）

無電解堆積プロセス中の基板の温度を制御する方法及び装置。該装置は、流体配分部材より高い位置で基板を支持するように構成された堆積セルを含む。加熱された流体が該流体拡散部材から供給され、該基板の裏側に接触し、それによって該基板を加熱する。該加熱流体は、該基板の表面の全域で一定温度を維持するように構成されたアパーチャーから供給される。該方法は、該基板の表面の全域で一定の処理温度を生じるように構成されている構成で、加熱流体を拡散部材を介して該基板の裏側に向かって流すステップを含む。 （もっと読む）