【課題】ニッケル、銅、コバルト、パラジウムなどの下地金属皮膜を腐食せず、優れた密着性を有する金めっき皮膜を形成する無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】無電解金めっき液の成分として、（ｉ）水溶性シアン化金化合物、
（ｉｉ）錯化剤、および（ｉｉｉ）１位にフェニル基またはアラルキル基を有するピリジニウムカルボン酸化合物を含有するめっき液。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い柱状セラミックスを短時間で効率よく作製することが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板表面に複数のセラミックスの結晶核を形成する初期核形成工程と該基板表面にめっき法を用いて柱状セラミックス結晶を成長させる工程とを有することを特徴とするセラミックス膜の製造方法である。また前記初期核形成工程を大気開放型ＣＶＤ法で行うことが好ましい。さらに前記セラミックス膜が、多孔質膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シアンを含まない金源を用いる無電解金めっき液であって、めっき液の安定性が良好で、かつ金析出が大きく抑制されず、しかも膜物性を損なわないめっき液を提供する。
【解決手段】本発明の無電解金めっき液は、シアンを含まない金源と分解抑制剤とを含有し、分解抑制剤として下記一般式Ｉ：
【化１】


一般式Ｉ中、Ｘは硫酸塩基を示し、ｎは２〜７，０００の整数を示す、で表される構造を含有する重合体を含む。 （もっと読む）

【課題】水道水や低濃度の食塩水、またはこれらにｐＨ調整剤や乳酸カルシウムなどを添加した水溶液を用いて電解水を製造することを目的とし、少なくとも２枚の電極を利用してその水溶液を電解し、かつ電極の極性を切り替えて使用する逆電解を行うための電極において、酸素発生に対する過電圧を低減し、電解電圧を低くすることが可能な逆電解用電極を提供する。また、繰り返し行われる逆電解に対して正負いずれの極性に対しても耐久性に優れる逆電解用電極を提供する。
【解決手段】本発明の逆電解用電極は、酸化イリジウムと白金との混合物からなる触媒層が導電性基体上に形成され、かつ酸化イリジウムが非晶質である。また、本発明の逆電解用電極は、触媒層と導電性基体との間に導電性基体の腐食を抑制する中間層を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】銅等の不純物が含まれた無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定してパラジウムめっき皮膜を析出させることが可能な無電解パラジウムめっき用の前処理用組成物を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物及びヒドラジン類を含有する水溶液からなる、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行うためのニッケル表面の活性化組成物、並びに。
プリント配線板の導体部分に無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、上記活性化組成物を用いてニッケルめっき皮膜の活性化処理を行い、その後、無電解パラジウムめっきを行う工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜形成方法。 （もっと読む）

本発明は導電膜形成のための銀ペーストに関するものであって、炭素数０〜１２の脂肪酸銀０．１〜６０重量％；銀粉末１〜８０重量％；バインダー０．１〜１５重量％；及び有機溶媒残量で構成される導電膜形成用ペーストを提供する。
本発明の銀ペースト組成物を用いると、従来のペーストで形成された伝導性パターンと比較して相対的に薄い厚さ、または狭い線幅でもはるかに低い電気抵抗の特性を示し、高価なナノスケールの銀粒子を用いなくても非常に低い温度で熱処理が可能である、良好な微細構造を有する導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】作業環境や廃液処理に問題を有する毒性の強いシアン等を含まず、化学的安定性に優れ、容易に取り扱うことができ、良好な膜質の金メッキ膜を効率的に形成することができる金メッキ液と、この金メッキ液を用いる金メッキ方法を提供する。
【解決手段】金錯イオン、水、および親プロトン性溶媒を含有してなり、親プロトン性溶媒の含有量が５５〜９０重量％である金メッキ液。この金メッキ液を用いた金メッキ方法。親プロトン性溶媒の含有量を５５〜９０重量％とすると、金錯イオンが安定になるので、良質な金メッキ膜が得られる。 （もっと読む）

【解決手段】基材上の銅又は銅合金上に、銀、ビスマス、パラジウム、インジウム、亜鉛及びアンチモンから選ばれる１種以上の添加金属を含む錫合金めっき皮膜を形成する際、温度１０〜５０℃の低温置換錫合金めっき浴中で、上記銅又は銅合金上に下地層を形成し、次いで、温度４０〜８０℃の高温置換錫合金めっき浴中で、上記下地層上に上層を形成することにより、上記下地層と上層とからなる置換錫合金めっき皮膜を形成する。
【効果】ウィスカの生成が抑制される錫合金めっき皮膜を、鉛フリーはんだに対して良好なはんだ濡れ性、はんだ接合性を与える均一性に優れた皮膜として形成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、アルデヒド化合物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】めっき処理を施す下地金属が侵食されず、安定した析出速度で無電解金めっき処理することができ、析出速度が速く、置換・還元タイプであるので、１液でめっき皮膜の厚膜化が可能であり、皮膜の色が劣化することなく金特有のレモンイエロー色が保たれ、外観も良好である。 （もっと読む）

【課題】基板上の水平電気めっき電着方法及び水平無電めっき方法を提供すること。
【解決手段】水平電気めっきの設備の一種で、その主要は一組みのめっき液当て板、一組の第一電極、一組のネット状、面状または針状第二電極、電極再生とめっき液回収システムを含む。基板が水平に定位に送り込まれた場合、前述めっき液緩流当て板と接触陰極をもって基板を挟み持って導電を行い、更にめっき液の注入を通じて上側の陽極と接触し、電気めっきの環境を形成して陰極側の基板の片面電気めっきを行い、または電着液の注入を通じて上側の陰極と接触し、電着の環境を形成して陽極側の基板の片面彩色フィルター顔料、染料または導電性フォトレジスト電着を行う。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生が抑制され、優れた耐食性および耐久性を有するセラミックコーティング部材を提供する。また、複雑な形状の基材や大型の基材にパーティクル発生が少なく耐食性および耐久性に優れたセラミック膜を容易に形成することを可能とするセラミックコーティング部材の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックコーティング部材は、基材表面に、純度が９８％以上、膜厚が０．０５μｍ以上１０μｍ以下、平均粒径が５０ｎｍ以下のセラミック膜が形成された構造を有する。セラミック膜は、基材の表面に、金属アルコキシド，有機金属錯体，酸化物ナノ粒子または非酸化物ナノ粒子の少なくとも一種以上を含む溶液を用いて塗布膜を湿式成膜し、この塗布膜を乾燥し、３００℃以上１０００℃以下の温度で熱処理することにより、形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】析出速度と浴安定性を兼ね備えた無電解銅めっき浴を簡便に提供することのできる無電解銅めっき浴用反応促進剤を提供すること。
【解決手段】 以下の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、ＲおよびＲ’はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｘ⁻は対アニオンを示す）
で表される構造単位を有するジアリルアミン系重合物を含有することを特徴とする無電解銅めっき浴用反応促進剤。 （もっと読む）

【課題】 様々な種類のポリマー部材の表面に、安価で、高密着強度を有する無電解メッキ膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 表面内部に金属微粒子が含浸したポリマー部材を用意することと、ポリマー部材に高圧二酸化炭素を接触させてポリマー部材の表面近傍を膨潤させることと、ポリマー部材の表面近傍を膨潤させた状態で、高圧二酸化炭素を含み且つメッキ反応が起こる状態にある無電解メッキ液をポリマー部材に接触させて、ポリマー部材にメッキ膜を形成することとを含むメッキ膜の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】銀または銀合金に特有の硫化銀や酸化銀の被膜などによる表面色調の劣化を可及的に阻止することのできる銀器類の改良方法を得ることを目的とする。
【解決手段】銀器類に、銀よりも低電位でかつイオン化したチタン又はチタンおよびバナジウムなどの金属元素を２００℃〜３００℃で焼き付けることを特徴とする。この方法によれば、銀メッキ（銀）表面にイオン結合したチタン又はチタンおよびバナジウムから供給される電子の還元作用によって銀の酸化作用を阻止できるだけでなく、酸化物や硫化物が付着しても簡単に洗い流すことができる。 （もっと読む）

【課題】安全で、環境に優しい無電解金メッキ液およびこのものを利用した無電解メッキ法による金メッキ製品の製造方法を提供する。
【解決手段】過酸化水素と金ハロゲン化塩を含有する無電解金メッキ液。金（III）ハロゲン化塩が、塩化金（III）酸又は塩化金（III）酸ナトリウムである無電解メッキ液。基材を用意する工程と、該基材上に無電解メッキ用触媒を付着させる工程と、該触媒を付着させた基材を上記無電解メッキ液に浸漬させる工程とを備えた金メッキ製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】膜厚ムラの発生を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】開口部Ｋを有する処理槽５２内に貯留された処理液Ｌに処理対象物ＷＦを浸漬して、薄膜を形成する。処理槽５２を介して処理液Ｌの温度を調整する第１温度調整装置７３と、開口部Ｋに臨む処理液Ｌの温度を調整する第２温度調整装置７２とを有する。第１温度調整装置７３は気体を用いて処理液の温度を調整し、第１温度調整装置７３及び第２温度調整装置７２の双方に温度調整された気体を供給する。また、第２温度調整装置７２は蓋体５４と処理液の液面との間の気体を介して処理液の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】表面粗度が大きい金属基材に対しても適用可能であり、優れた撥水性を有し、加熱されてもその優れた撥水性を維持することができる皮膜構造及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】皮膜構造１は、金属基材１０の表面にフッ素を含有してなるフッ素系皮膜１２を有する。金属基材１０上には、金属基材１０の表面を平滑化するための表面平滑化層１１が形成されており、表面平滑化層１１上には、フッ素系皮膜１２が形成されている。表面平滑化層１１は、ＮｉＰ中にＰＴＦＥ粒子が分散されてなるＮｉＰ／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜である。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディング接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能であり、しかも安定性が良好で、長期間連続して使用可能な新規な処理剤を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii)チオ尿素、チオ尿素誘導体、イソチオ尿素、イソチオ尿素誘導体及びこれらの塩からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる酸化防止剤、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物、
を含有する水溶液からなる置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）