【課題】導電ペースト用フィラーに適した高品質の銀被覆銅粉およびそれを用いた導電ペーストを提供する。
【解決手段】機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、ＪＩＳ Ｚ８７２９に規定される明度Ｌ^*が５０以上である銀被覆銅粉。機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、銀被覆層の平均厚さｔ（ｎｍ）と銀被覆銅粉の明度Ｌ^*が下記(1)式の関係を満たす銀被覆銅粉。３９＋０.７６ｔ−３.５×１０^-3ｔ²≦Ｌ^* …(1)。銀の被覆量は例えば３０質量％以下である。酸素含有量は例えば１質量％以下、炭素含有量は例えば２質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきに用いる鋳型を容易かつ安定的に形成することができるとともに、無電解めっき後、鋳型を必ずしも除去する必要のないコンポジットナノチューブ、およびその製造方法、さらには、コンポジットナノチューブを利用した金属ナノチューブおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性解離基を備えた有機ナノチューブ３を準備する。かかる有機ナノチューブ３は、親水部３１と疎水部３２を備えたペプチド脂質３０からなり、アニオン性解離基として、カルボキシル基を有している。そこで、有機ナノチューブ３におけるアニオン性解離基と金属イオンとの親和性を利用して、有機ナノチューブ３の少なくとも外周面に金属を無電解めっきし、無電解めっき層５と有機ナノチューブ３とのコンポジットナノチューブ１Ａを得る。かかるコンポジットナノチューブ１Ａから有機ナノチューブ３を除去すれば金属ナノチューブ１Ｂを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物０．００１〜０．１モル／ｌ、前記アミン化合物は０．０５〜５モル／ｌ、前記無機硫黄化合物０．０１〜０．１モル／ｌ、前記次亜リン酸化合物は０．０５〜１．０モル／ｌ、前記ギ酸またはギ酸化合物は０．００１〜０．１モル／ｌであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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【課題】導電膜と基板との密着性に寄与する樹脂層の柔軟性、耐熱衝撃性に優れた導電膜の形成方法、該導電膜の形成方法を工程中に含むプリント配線板の製造方法及び導電膜材料を提供する。
【解決手段】（ａ）有機樹脂基材上に、ラジカル重合性基を有する化合物と、熱可塑性樹脂とを含有してなる樹脂層を形成する工程、（ｂ）無電解めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂とラジカル重合性基を有する化合物とを含有する無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる樹脂層を形成する工程、（ｃ）無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる層に、無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する工程、及び、（ｄ）無電解めっきを行い、無電解めっき膜を形成する工程、を含む導電膜の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子（単一粒子）で存在している割合が高く、接続抵抗の低減に有用な突部が表面に形成されている、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。更に、この無電解メッキ金属薄膜の表面には、接続抵抗を低減できる突部が形成されている。このような導電粒子は、メラミン化合物を樹脂粒子表面に吸着させるメラミン吸着処理工程、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】 基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に１００μｍ以下の素地露出部の幅を有する高さ３μｍ以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、１００μｍ以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを１〜１５ｐｐｍ含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドのような、分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 （もっと読む）

本発明は、基材を、ａ）少なくとも１種のインジウムアルコキシド及びｂ）少なくとも１種の溶媒を包含する液状の無水組成物でコーティングし、任意に乾燥し、かつ２５０℃より高い温度で熱的に処理する半導体の酸化インジウム膜の製造法、この方法に従って製造可能な膜及び該膜の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】単一層の金属箔に対して均一な微細孔を精度良く形成する金属フィルタの製造方法および金属フィルタを提供する。
【解決手段】フィルタ素材となる金属フィルム（金属箔２）に多数のフィルタ開口（開口部３ａ）を形成する開口形成工程と、多数のフィルタ開口を形成した金属フィルムに、金属めっきを施して各フィルタ開口を狭窄化するめっき工程と、を備えたものである。これにより、略２０μｍ角の各フィルタ開口を５μｍ角〜１０μｍ角に狭窄化する。 （もっと読む）

【課題】初期の表面粗さの増大を招くことなく耐酸化性を向上させることができ、また、製造工程が簡易で製造コストが安価な蒸気タービン翼及び蒸気タービン翼の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸気タービン３は、タービンロータ４と、タービンロータ４に植設される動翼５と、動翼５の上流側に配設される静翼６と、静翼６を支持するとともにタービンロータ４、動翼５、静翼６を内包するタービンケーシング１３とを具備し、動翼５と静翼６との対により一つの段落７を形成すると共にタービンロータ４の軸方向に複数の段落７を並べて蒸気通路８を形成した構成である。静翼６表面、動翼５表面の少なくとも一部にセラミックマトリックス中にナノシート粒子が分散して存在するコーティング皮膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】長期間経過してもめっき形成された導電膜が変色せず、良好な外観を維持することができる電子部品のめっき方法、及びこのめっき方法を使用して製造されたセラミック多層基板等の電子部品を実現する。
【解決手段】部品素体の表面にめっき処理を行い、少なくとも一層以上の導電膜を形成した後、水洗し、その後、水分除去処理を行う電子部品のめっき方法において、前記水分除去処理は、前記水洗された電子部品を凍結させた後、減圧して水分を昇華させる。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡略化した突起電極の形成方法、及びこれに用いる置換金めっき液を提供する。
【解決手段】本発明に係るバンプ２の形成方法は、電極１２上に形成された導電性のコア２１の表面を、亜硫酸カリウムとポリエチレンイミン又はその誘導体とを含む置換金めっき液を用いて被覆する被覆工程を包含し、一回の被覆工程において、厚さ０．１μｍ以上０．５μｍ以下の金膜２２をコア２１の表面に形成する。これにより、バンプ２を形成するに十分な膜厚の金膜２２を形成するために、被覆処理を繰り返し行う必要がない。その結果、製造工程を簡略化し、コストを低減させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】有害な金属を含有しない無電解ニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき浴は、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する。このように、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する無電解ニッケルめっき浴を用いることで、有害な金属を使用することなくめっき浴の分解を抑制して、めっき浴の安定化を図ることができる。 （もっと読む）

無電解パラジウムめっき液は、極性溶媒、少なくとも１つのパラジウム塩、少なくとも１つの非窒素化錯化剤、めっき液を少なくとも８．０のｐＨに調整するアルカリ性調整剤、及び還元剤を含む。めっき液は、基板の表面にパラジウムの層を形成するのに使用され、基板上にほぼ純粋なパラジウム皮膜をもたらす。還元されたパラジウムのめっき液中での析出は実質的に防止される。
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【課題】高原子価金属化合物から金属膜を直接製造することができる組成物、金属膜の製造方法、及び金属粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】銅、銀またはインジウムの高原子価化合物、直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類およびＶＩＩＩ族の金属触媒から成ることを特徴とする、銅、銀またはインジウムの金属膜製造用組成物を用いて被膜を形成し、次いで加熱還元することにより、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。また、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物かの代わりに、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物からなる表層を有する銅、銀またはインジウムの金属粒子を用い、同様にして、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐食ガスおよびハロゲン系ガスプラズマでの使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置内、フラットパネルディスプレイ製造装置内または太陽電池製造装置内の様なハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系ガスプラズマ等に曝される面が、ゾルゲル法によって形成された酸化ガドリニウムゾルゲル膜と、酸化ガドリニウムゾルゲル膜上に溶射法によって形成された溶射皮膜で形成された耐食性部材とする。 （もっと読む）

【課題】独立した微小配線パット部分に安定して無電解金めっきを施すことのできる方法と、それに使用される還元型無電解金めっき用前処理液を提供する。
【解決手段】亜硫酸及びその塩からなる群より選ばれた少なくとも１種類の成分と、チオ硫酸及びその塩からなる群より選ばれた少なくとも１種類の成分とを単独もしくは両方を含んだ水溶液に、フェニル化合物、アスコルビン酸化合物、ヒドラジン化合物、チオ尿素化合物から選ばれた１種類以上の成分を配合して成る、還元型無電解金めっき用前処理液。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、無電解ニッケルメッキ廃液を浄化するための従来の酸化方法の問題点を排除して、簡便な装置を用い低コストで効果的な方法により、無電解ニッケルメッキ廃液の浄化と、ニッケルおよびリン酸塩を回収して再資源化する方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルメッキ廃液からニッケルイオンを分離する第一工程と、第一工程で得られた分離液中の次亜リン酸イオンを酸化触媒により亜リン酸イオンに酸化する第二工程と、第二工程で得られた亜リン酸イオンを酸化触媒により正リン酸イオンに酸化する第三工程および、第三工程で得られた正リン酸イオンをリン酸塩に転換してろ過分離することにより、リン濃度が１６ｍｇ／ｌ以下の廃液に浄化し、リン酸をリン酸塩として回収する第四工程とからなることを特徴とする無電解ニッケルメッキ廃液の浄化方法である。 （もっと読む）