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Fターム[4K022DB26]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 測定、検出 (529) | 温度 (181)

Fターム[4K022DB26]に分類される特許

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【課題】高温用途材の表面に耐熱性や耐高温摩耗性に優れる溶射皮膜を形成するときに有効な、サーメットからなる溶射粉末材料を得ること。
【解決手段】セラミック粒子と、その表面に被覆されている0.5〜10mass%のWを含有し、かつ残部がNiであるNi−W合金あるいはさらにPやBを含む耐熱合金の無電解めっき膜とからなるサーメット溶射粉末材料であって、粒径が6〜70μmの大きさである高温用途材被覆用サーメット溶射粉末材料およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】湿式処理によって成膜した酸化金属膜を備え、光照射、水素ガスおよび気圧を測定可能であるセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるセンサは、3つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属(M1)塩にする金属塩生成工程と、金属(M2)イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属(M1)塩を、金属(M2)塩とする金属固定工程と、上記金属(M2)イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、上記金属膜を酸化する酸化工程と、を含む方法によって製造された酸化金属膜を備え、光、水素ガスおよび気圧を検出可能である。 (もっと読む)


【課題】Liイオン電池のアノード材料として、ピラーを形成するためのシリコンのエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】銀を堆積したエッチングされたシリコン粒子に存在する銀は硝酸処理により除かれる。ひとつの実施態様においては、粒状又はバルク材料のシリコンを、HF、Agイオン及び硝酸イオンを含むエッチング溶液で処理し、それによりシリコンをエッチングして表面にエッチングされたピラーを含むシリコンとし、前記シリコンは銀の表面堆積を含み、前記エッチングされたシリコンを使用済みエッチング溶液から分離し、前記エッチングされたシリコンを、硝酸を用いて前記エッチングされたシリコンから銀を溶解してAgイオンと硝酸イオンを含む溶液を形成し、Agイオンと硝酸イオンを含む前記溶液とさらにHFを混合してさらにエッチング溶液を形成し、前記さらなるエッチング溶液をさらにシリコンを処理するために使用する。 (もっと読む)


【課題】 個々の銅粉の全面に均一にスズめっき皮膜を形成したスズめっき銅粉を製造する。
【解決手段】 銅粉分散液には銅粉を酸に分散させた酸性分散液を用い、この酸性分散液に対してスズ塩含有液(実質的に無電解スズめっき液)を供給して混合し、混合液中ではスズと銅の重量比率を所定範囲に適正化するとともに、混合液を強く撹拌させながら銅とスズの間で置換反応を行った後、ろ過、洗浄、乾燥してスズめっき銅粉を製造する方法である。この酸性分散液の使用や、酸性分散液への無電解スズめっき液の供給方式などにより、個々の銅粉の全面にスズめっき皮膜を均一に被覆できる。 (もっと読む)


【課題】基板における局所的な温度差を解消し、基板の割れや金属酸化膜のクラックを防止する金属酸化膜を生産する製膜装置を提供する。
【解決手段】基板の全面を加熱する主加熱手段1と、金属酸化物前躯体を含む溶液を霧化して液滴微粒子とする霧化部と、前記液滴微粒子を含むガスを前記基板の所定の領域に吹きつけるノズル4と、液滴微粒子を含む前記ガスを吹きつける前記所定の領域を選択的に加熱する補助加熱手段3を備る金属酸化膜を生産する製膜装置。 (もっと読む)


【課題】金属材料を被めっき部分として含む被処理物に無電解めっき皮膜を形成するための新規な活性化処理方法を提供する。
【解決手段】下記(1)及び(2)に記載の二段階の工程で処理することを特徴とする、無電解めっきの前処理方法:(1)(i)パラジウム化合物、並びに(ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液に接触させる第一活性化処理工程:(2)(i)パラジウム化合物、(ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、並びにポリアミンの架橋化物からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液からなる活性化液に、第一活性化処理工程で処理された被処理物を接触させる第二活性化処理工程。 (もっと読む)


【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤/銅イオン=1.0〜500の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のpH4〜6における安定度定数が8.5以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法に関する。
【解決手段】本発明に係るスズ合金形成用メッキ液は、インジウム又は亜鉛を含む一つ以上の金属塩と、スズ塩と、当該金属塩の金属イオン及び当該スズ塩のスズイオンに電子を伝達して被メッキ物上にスズ合金皮膜を形成する水素化ホウ素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤とを含む。 (もっと読む)


【課題】 光の反射率を向上させるとともに高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止する。
【解決手段】 本発明に係る無電解めっき方法は、被めっき物上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】緻密かつ均一な錫被膜を形成することができる無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明は、無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法に関し、本発明による無電解錫還元めっき液は、錫イオンと2個以上のカルボキシ基を有するリガンドとが結合した錫塩、及び前記錫イオンに電子を伝達して被めっき物上に錫被膜を形成する水素化硼素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤を含む。 (もっと読む)


【課題】塩素発生に対して優れた電気触媒活性を示す電極を提供する。
【解決手段】チタン、タンタルまたはニオブを主要割合として有するバルブメタルに基づく電気伝導性基板、ならびに50mol%までの貴金属酸化物もしくは貴金属混合酸化物および少なくとも50mol%の酸化チタンを含んで成る電気触媒的に活性なコーティングを含んで成る電極であり、該コーティングはX線回折図(Cu照射)において、線形バックグラウンドを差引いた後の最も強いアナターゼ反射の信号高さの、同じ回折図における最も強いルチル反射の信号高さに対する比率によって決定される最小割合のアナターゼ構造の酸化物を含んで成り、該比率は少なくとも0.6である。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の端子部分のように、基材上に設けた金属微細パターンの表面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができる金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、さらに、当該製造方法によって品質に優れためっき処理面を有する、金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下地となる樹脂からなる支持表面に設けられた溝に、金属微細パターンの下部を埋め込み、当該金属微細パターンの溝の表面と接していない部分に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う工程を含み、前記メッキを行う領域における支持表面からの突出高さXと、パターン間の最小距離をYの比(X/Y)が0.8未満となるようにする金属微細パターン付き基材の製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア及びアミン化合物から選ばれる少なくとも1種と、還元剤として次亜リン酸及び次亜リン酸塩から選ばれる少なくとも1種と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸塩及び不飽和カルボン酸誘導体から選ばれる不飽和カルボン酸化合物を少なくとも1種とを含有する無電解パラジウムめっき浴。
【効果】本発明の無電解パラジウムめっき浴は、浴安定性が高く、浴の分解が起こりにくく、従来の無電解パラジウムめっき浴に比べて浴寿命が長い。しかも、長時間使用してもめっき皮膜特性への影響もなく、優れたはんだ接合特性及びワイヤボンディング特性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ1と、半導体ウエハ1上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部9が形成されたAl−Si金属層2と、Al−Si金属層2上と半導体ウエハ1が露出した箇所上に形成された酸化膜11と、Al−Si金属層2上に酸化膜11を介して各凹部9を埋め込むように形成されたNiめっき膜3およびAuめっき膜4とを備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、ポリカーボネイト樹脂を基材とし、その基材上に密着性に優れる金属めっき膜が形成されためっき物であって、ポリカーボネイト樹脂基材の耐衝撃性を損なわず、しかも煩雑なエッチング処理等行うことなく、簡易な無電解めっき法により製造することができるめっき物の提供を課題とする。
【構成】
本発明は、ポリカーボネイト樹脂基材上に、少なくとも導電性高分子微粒子とバインダーとを含む塗膜層を設け、該塗膜層上に無電解めっき法により形成された金属めっき膜とからなるめっき物である。 (もっと読む)


【課題】生産性よく化学めっきを行う方法を提供する。
【解決手段】基板2上に機能液18を配置し、機能液18を固化して下地膜40を形成する下地膜形成工程と、化学めっき処理を行って下地膜40上に金属膜45を形成する化学めっき工程と、を有し、機能液18は樹脂、金属触媒及びレベリング剤を含む。金属触媒は金属を含む官能基を備えたシランカップリング剤であり、機能液18を加熱または光照射して固化する。 (もっと読む)


【課題】有機物からなる防錆剤を用いた防錆処理やめっき処理を行わずに、回路パターンとなる銅回路板の表面の変色を防止するとともに、半田付け工程における半田濡れ性や耐熱性などの耐候性を向上させることができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に接合した銅回路板の表面を脱脂し、水洗し、酸洗し、水洗した後、Pd活性化液に20〜40℃で20〜600秒間浸漬することにより銅回路板の表面にPdを付着させ、その後、銅回路板の表面を水洗し、30〜60℃程度の純水で温洗し、40〜70℃の温風により乾燥する。 (もっと読む)


【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含み、クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンを含有しない無電解錫めっき液であって、前記酸の少なくとも1成分として、リンゴ酸を5〜200g/L含有し、アルカンスルホン酸とアルカノールスルホン酸のアニオン部分が共存しないことを特徴とする無電解錫めっき液。及び前記無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物を浸漬した後、温度110〜130℃で45〜90分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを0.100〜0.250μmとすることを特徴とする銅上に形成された錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】無電解金属コーティング組成物に関し、無電解ニッケル皮膜を製造する方法およびそれにより作製される物品を提供する。
【解決手段】(a)基材を無電解ニッケル皮膜で被覆して被覆基材を用意し、(b)被覆基材を、約550℃〜約700℃の範囲の温度に約7〜約30時間加熱することを含む加熱プロトコールに付すことを含む、無電解ニッケルコーティング組成物を製造する方法、および本方法で作成される物品。 (もっと読む)


【課題】炭素繊維強化炭素複合材の表面に金属皮膜を形成して炭素繊維の脱落を防止する方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維強化炭素複合材の被めっき物に対し、前処理工程、触媒付与工程及び無電解ニッケルめっき工程を含む金属被覆炭素繊維強化炭素複合材の製造方を採用する。そして、無電解ニッケルめっき工程では、ニッケルの沈着速度が遅い無電解ニッケルめっき条件を採用する。また、必要に応じて黒色化処理工程を付加し、光沢及び明度が小さな金属皮膜とする。 (もっと読む)


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