【課題】有機薄膜トランジスタソース／ドレイン電極などに適する厚みが均一で高精細なパターン画像の形成方法を提供する。
【解決手段】特定の構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体を脱水閉環して得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の重合体を含むパターン画像下層膜形成液を基板上に塗布し、乾燥、焼成することでパターン画像下層膜を得る工程と、
得られるパターン画像下層膜に紫外線を照射しパターン画像下層膜の濡れ性を変化させる工程と、
パターン画像形成液が付着したブレードと上記パターン画像下層膜とを相対的に移動させることにより、上記パターン画像下層膜の紫外線照射領域に上記パターン画像形成液を塗布させ、乾燥する工程と、
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶構造を有する金属を用いた場合でも、簡便な方法で、再現性良く階段構造状のテーパーを有する電極を形成する。
【解決手段】真空状態を保ったままの状態において、同一種類の金属を用いて、スパッタリング法で少なくとも２層の金属膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程によって成膜された複数の金属膜にエッチング処理を施すことにより、階段構造状のテーパー形状を端部に有する、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つを形成するエッチング工程とによって薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置１の処理容器１０の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器１０の内部には、ウェハＷを保持するスピンチャック２０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体３１と、ウェハＷ上に金属混合液を吐出する塗布ノズル６０と、ノズル駆動部６５の動力を塗布ノズル６０に伝達するノズル伝達部６４と、塗布ノズル６０を待機させるノズルバス６６とが設けられている。処理容器１０の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック２０とノズルバス６６との間で塗布ノズル６０を移動させるためのノズル駆動部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴うゲート電極サイズの微細化においても、ゲート電極とチャネル形成領域間のリーク電流が抑制された半導体素子を提供することを課題の一とする。また、小型かつ高性能な半導体装置を提供することを課題の一とする
【解決手段】チャネル形成領域として機能する半導体層上に、ゲート絶縁膜として比誘電率が１０以上の酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成し、前記酸化ガリウム上にゲート電極が形成された構造を有する半導体素子を作製することにより、課題の一を解決する。また、前記半導体素子を用いて半導体装置を作製することにより、課題の一を解決する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面にバルジを誘導するためのパターンを形成せずに組成物の液滴を付与して線状パターンを形成する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジの方向が制御されるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に組成物の液滴を線状に付与して線状パターン１２Ａ，１２Ｂを形成する線状パターン形成工程と、線状パターンを形成すると共に又は線状パターンを形成する前に、液滴を付与して、前記線状のパターンの幅方向における片側の縁で接触するバルジ誘導用パターン１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、を含む。バルジ誘導用パターンを形成した後、線状パターンを形成することが望ましく、予めパターン形成領域外に組成物の液滴を付与してバルジ発生位置を確認するためのバルジ確認用パターンを形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】、基材の表面を冷却したまま溶媒を除去しない場合に比べ、パターンが精度良く形成されるパターン形成装置を提供する。
【解決手段】基材２０を冷却する基材冷却手段２２と、前記基材冷却手段によって冷却された前記基材の表面に、パターン形成材料、及び溶媒を含む組成物１８を付与して該組成物のパターンを描画するパターン描画手段２４と、前記基材の表面に描画された前記組成物のパターンから該基材を冷却したまま前記溶媒を除去する溶媒除去手段２６と、を有するパターン形成装置１０。溶媒除去後、加熱を行って分散剤を除去する加熱手段２８を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池の電極として用いられる導電性電極パターンを提供する。
【解決手段】基板１００上に上下に配設された下部金属膜及び上部金属膜を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つは銀（Ａｇ）を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうち他の１つは、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つと異なる遷移金属を含む。 （もっと読む）

【課題】オフセット構造の薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、それぞれゲート電極と一部重畳する第１活性領域及び第２活性領域を備える活性層と、ゲート電極と活性層との間のゲート絶縁膜と、第１活性領域とそれぞれ電気的に連結された第１ソース/ドレイン電極及び第２ソース/ドレイン電極、第２活性領域とそれぞれ電気的に連結された第３ソース/ドレイン電極及び第４ソース/ドレイン電極を備えるソース/ドレイン電極層と、を備えるが、第１ソース/ドレイン電極ないし第４ソース/ドレイン電極のいずれか二つは、ゲート電極と一部重畳し、他の二つは、ゲート電極とオフセットされており、ソース/ドレイン電極の配置は、ソース/ドレイン電極層の中心に対称である薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】静電気による薄膜トランジスタの閾値電圧変動や絶縁破壊短絡を抑制できる薄膜トランジスタ回路基板の製造方法及び薄膜トランジスタ回路基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、静電気誘導素子と、を基板上に有する薄膜トランジスタ回路基板の製造方法であって、基板に設けられた半導体層の上に、薄膜トランジスタの半導体層のパターンを形成する第１のフォトリソ工程と、静電気誘導素子の半導体層のパターンを形成する第２のフォトリソ工程と、基板に設けられた半導体層をエッチングする工程と、を実施することにより薄膜トランジスタの半導体層及び静電気誘導素子の半導体層を形成し、第１のフォトリソ工程におけるフォトレジストの硬化温度は、第２のフォトリソ工程におけるフォトレジストの硬化温度よりも高いことを特徴とする薄膜トランジスタ回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低い寄生抵抗（例えば、Ｒｐａｒａ）および／または高い駆動電流の改善された特性を有するフィンフェットを提供する。
【解決手段】フィンフェット１００およびフィンフェットの製造方法が提供される。フィンフェットは、半導体基板１０６上に、２つまたは複数のフィン１０２，１０４と、前記フィンの側面に設けられるエピタキシャル層１０８，１１０と、前記エピタキシャル層の表面上を覆うように設けられる金属−半導体化合物１１２，１１４とを備える。フィンは、前記半導体基板の表面上に対して実質的に垂直な側面を有する。前記エピタキシャル層は、前記フィンの側面に対して斜角を有して延設される表面を有する。フィンフェットは、前記金属−半導体化合物上に設けられるコンタクト１１６を含み得る。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層に含まれる高誘電体粒子がゲート電極側に偏在していない場合に比べ、低電圧でも駆動する電界効果型有機トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記チャネル層は有機半導体層であり、前記ゲート絶縁層は高誘電体粒子及び絶縁性樹脂を含み、前記高誘電体粒子がゲート電極側に偏在している電界効果型有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機ＴＦＴは、ゲート電極２および有機半導体層６と、それらの間に位置すると共に有機半導体層６に隣接するゲート絶縁層３とを備えている。このゲート絶縁層３は、スチレンおよびその誘導体のうちの少なくとも一方である第１単量体（α−メチルスチレンなど）と、炭素間二重結合および架橋性反応基を有する第２単量体（メタクリル酸グリシジルなど）とが共重合および架橋された材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に不要なｎ型拡散層を形成させることなく、特定の部分にｎ型拡散層を形成することが可能で、選択的なｎ型拡散層形成のためのプロセスを新たに設けることなく、電極を形成する際の熱処理時に、ｎ型拡散層を形成することが可能な電極形成用ペースト組成物、および、該電極形成用ペースト組成物を用いて形成されたｎ型拡散層及び電極を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】ｎ型拡散層形成機能を付与した電極形成用ペースト組成物を、金属粒子と、ドナー元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。また、該電極形成用ペースト組成物を用いて形成した選択的なドナー元素拡散領域１３１Ａ及び電極１３３を有する太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が引っ張り応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物元素が導入され、絶縁表面上に設けられたｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が圧縮応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。
【解決手段】ｐ型拡散層形成組成物を、金属粒子と、アクセプタ元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。また、半導体基板上に該ｐ型拡散層形成組成物を塗布した後、熱処理することで形成されたｐ型拡散層および電極を備える太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。
【解決手段】ソース領域６及びドレイン領域７は、フェルミ準位が異なる第１金属領域１０及び第２金属領域１１を有し、第１金属領域１０は、半導体領域５の価電子帯の頂上のエネルギーレベル以上で且つ半導体領域５の真性フェルミ準位以下のフェルミ準位を有する金属であり、第２金属領域１１は、第１金属領域１０のフェルミ準位以上で且つ伝導帯の底のエネルギーレベル以下のフェルミ準位を有する金属であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工数を大幅に増加せず且つ高誘電体からなるゲート絶縁膜にダメージを与えることがない、仕事関数変更用金属不純物膜の効果を有する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上部に形成されたｐ型活性領域１１０と、ｐ型活性領域１１０の上に形成されたゲート絶縁膜１５０と、ゲート絶縁膜１５０の上に形成されたゲート電極１０６とを有している。ゲート絶縁膜１５０は、二酸化シリコンよりも大きい誘電率を有する高誘電体膜１０３と、高誘電体膜１０３の上に形成され、炭素を含む炭素含有膜１０４とを有している。高誘電体膜１０３及び炭素含有膜１０４は、第１の金属としてランタン又はマグネシウムを含み、ゲート電極１０６は、第２の金属を含む。 （もっと読む）