【課題】メッキ膜上に置換メッキ膜を十分な厚みで確実に形成されている電子部品を提供する。
【解決手段】基板２上に、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜、すなわち置換メッキ膜とを有する電極３，４が形成されており、第１のメッキ膜において、面積をＳ、第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたき、比Ｓ／Ｌが０．２以下である、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】電気特性の耐圧のバラツキを抑制し、ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ショットキーバリアを構成する第２導電型半導体層を形成する工程が、低濃度第１導電型半導体層の形成領域に矩形の開口をもつように、マスクパターンを形成し、前記矩形の長手方向に対して水平であって、前記矩形の短手方向に対して所定角をもつように、斜めイオン注入を行うことで、前記低濃度第１導電型半導体層内で前記第２導電型半導体層の短手方向底部が揃うように不純物を注入する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】安定な金属ナノ粒子組成物を用いて、数μｍの厚みを有し、高いアスペクト比と、低いアニーリング温度を有するような導電性構造を調製するのに適した方法を提供する。
【解決手段】基板の上に導電性部分を作成する方法であって、可とう性のスタンプを金属ナノ粒子組成物で満たすことと、金属ナノ粒子組成物を基板の上に堆積させることと、堆積させている間または堆積させた後に、堆積した金属ナノ粒子組成物を加熱して導電性部分を作成することとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるＭＯＳ構造の積層膜を形成する。
【解決手段】成膜方法は、半導体膜３を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜３上にポリシラン膜５を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、ポリシラン膜５上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜７を形成することにより、ポリシラン膜５をポリシロキサン膜５Ａへ、金属イオン含有膜７を金属微粒子含有膜７Ａへ、それぞれ改質する工程（ＳＴＥＰ２）を備え、ＭＯＳ構造の積層膜１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第１電極層は、金属部と、複数の第１開口部と、第２開口部と、を有する。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられる。金属部の厚さは１０ナノメートル以上、２００ナノメートル以下である。複数の第１開口部は、円相当直径が１０ナノメートル以上、１マイクロメートル以下である。第２開口部は、円相当直径が１マイクロメートルを超え、３０マイクロメートル以下である。第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 （もっと読む）

【課題】インクからナノ粒子の集合体をより確実に取り除き、これによって機能性に優れたパターンを形成可能とする。
【解決手段】ナノ粒子を含むインクの調製方法であって、インクを遠心分離し、ナノ粒子の集合体を取り除くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられ、金属部と、前記金属部を貫通する複数の開口部と、を有する第１電極層と、前記第２半導体層と、前記第１電極層と、の間に設けられた中間層と、前記第１半導体層と導通する第２電極層と、を備える。前記複数の開口部のそれぞれの円相当直径は、１０ナノメートル（ｎｍ）以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である。前記中間層の厚さは、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微細パターン形成が可能であり、かつ、貴金属材料の使用量が少なくでき、低コスト化が可能な電極を形成できる感光性ペースト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂粒子表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、反応性モノマー、カルボキシル基を含有するポリマーおよび光重合開始剤を含有する感光性ペースト組成物とする。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下であっても酸化されにくく、機能的にも劣化しにくい電荷注入層を備えた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極２０Ａと、第１のソース／ドレイン電極６０Ａと、第２のソース／ドレイン電極６０Ｂと、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との間に設けられる有機半導体層４０と、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記有機半導体層の間において、前記第１および第２のソース／ドレイン電極に接して配置される電荷注入層５０とを備える有機薄膜トランジスタ１０において、前記電荷注入層は、電荷注入特性を有するイオン性ポリマーを含有する、有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低い温度での形成が可能である絶縁層を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、（Ａ）制御電極１２、（Ｂ）第１電極１４及び第２電極１４、並びに、（Ｃ）第１電極１４と第２電極１４との間であって、絶縁層１３を介して制御電極１２と対向して設けられた、有機半導体材料層１５から成る能動層１６を備えて成り、少なくとも能動層１２と接触する絶縁層１３の部分は、下記の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
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【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１ａは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜（絶縁層）１５上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層１７-aとこの上部の金属材料層１７-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜（絶縁層）１５とソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄとにおける酸化物材料層１７-aとの露出面が、自己組織化膜１９で覆われており、この自己組織化膜１９で覆われた上部のソース電極１７ｓ−ドレイン電極１７ｄ間にわたって半導体薄膜２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は酸化アンチモン（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｏｘｉｄｅ）を添加してボーイング（ｂｏｗｉｎｇ）の減少、ビードの発生の抑制及び光電変換効率を向上させることができるアルミニウムペースト及びこれを利用した太陽電池を提供するものである。
【解決手段】本発明は、アルミニウム粉末、有機ビヒクル及び酸化アンチモンを含むと共に、前記酸化アンチモンが全体ペースト中０．００１質量％以上１．０質量％未満含まれているアルミニウムペースト及びこれを利用した太陽電池に関するものであり、本発明のアルミニウムペーストを利用した太陽電池は、ボーイング現象が減少しビードが発生しなく、光電変換効率に優れた特性を示す。 （もっと読む）

【課題】電極材料が表面パッシベーション膜に拡散するのを防止することである。
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられ、少なくとも２つの開口を有し、窒化物を含む第1表面パッシベーション膜と、前記第１表面パッシベーション膜の上面及び側面を覆う第２表面パッシベーション膜と、前記第２表面パッシベーション膜上の一部に設けられたゲート電極と、前記２つの開口にそれぞれ設けられたソース電極およびドレイン電極と、を有する。前記第２表面パッシベーション膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極よりも融点が高い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】塗布処理装置の塗布ノズル７０には、金属錯体と溶媒を供給する液供給装置７１が接続されている。液供給装置７１は、内部に金属錯体を貯留する金属供給源１００と、内部に溶媒を貯留する溶媒供給源１１０と、金属供給源１００と塗布ノズル７０とを接続する金属供給管１０４と、溶媒供給源１１０と塗布ノズル７０とを接続する溶媒供給管１１４と、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源１２０と、ガス供給源１２０と金属供給管１０４とを接続する第１のガス供給管１２１と、ガス供給源１２０と溶媒供給管１１４とを接続する第２のガス供給管１２３と、を有している。塗布処理装置の内部を減圧する前に、液供給装置７０から塗布ノズル７０へ不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】ｎ型及びｐ型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜と、配線とを有し、配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、配線と半導体膜とのコンタクト部において、拡散防止膜と不純物領域とが接する。拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して該導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、金属材料の酸化物が形成された導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して導電膜を流動化させ、流動化した導電膜を固化することで形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の電極方法であるフォトリソグラフィ、マスクスパッタリングは、工程の簡略化、材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応において解決するには困難な課題があり、インクジェット方式では高精細度なパターンが得られないという課題がある。
【解決手段】感光性塗布型電極材料を用いて、所望の電極パターンニングを行う。本発明による電極作成工程において、コストメリットがある拡散光を光源とするランプを用いて第１の露光と第１の露光よりも大きい露光量をもった第２の露光を施すことで、所望の電極パターンを得ることができる。拡散光を用いた２回露光プロセスによって、例えばＴＦＴ作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細パターニングを解決するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの製造方法に関し、特に、レーザーを用いてパターンを製造する方法に関する。
【解決手段】パターンの製造方法は、基板上に金属有機インク層（20）を形成する第1の段階；前記金属有機インク層（20）を半固体状態に硬化させる第2の段階；前記半固体状態の金属有機インク層（20）にレーザー光を照射し、照射された部分が固体状態に硬化されてパターンが形成される第3の段階、および、前記半固体状態の金属有機インク層（20）を除去して、前記パターンだけを残す第4の段階を含む。 （もっと読む）

【課題】活性層への注入電流の密度を均一化でき、その上、光取り出し効率を向上させることもできる半導体発光装置およびそれを備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、サファイア基板１１と、このサファイア基板１１下に設けられたｎ型半導体層１２と、このｎ型半導体層１２下に設けられ、光を発する活性層１３と、この活性層１３下に設けられたｐ型半導体層１４と、このｐ型半導体層１４下に設けられ、上記光を透過する透明導電膜１５と、この透明導電膜１５下に設けられ、島状の第１開口１６ａ複数有する層間絶縁膜１６と、この層間絶縁膜１６下に設けられて、第１開口１６ａに重なる島状の第２開口１７ａを複数有し、上記光を反射する反射膜１７と、この反射膜１７上に設けられると共に、一部が第１開口１６ａおよび第２開口１７ａ内に入って透明導電膜１５に接続された接続電極１８とを備えている。 （もっと読む）