【課題】III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなるバッファ層１０２と、バッファ層１０２上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第１の半導体層１０３と、第１の半導体層１０３上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４と、基板１０１の裏面上に設けられ、接地に接続された裏面電極１１１と、第２の半導体層１０４上に互いに離間して設けられたソース電極１３２及びドレイン電極１３４と、第２の半導体層１０４上に設けられたゲート電極１３６とと、第２の半導体層１０４、第１の半導体層１０３、及びバッファ層１０２を貫通し、少なくとも基板１０１に達し、ソース電極１３２と裏面電極１１１とを電気的に接続させるプラグ１０９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート構成のパワートランジスタを有する半導体装置のオン抵抗を低減する。
【解決手段】トレンチゲート構成のパワーＭＩＳ・ＦＥＴＱにおいて、ソース用の半導体領域３の上面の層間絶縁層１２の端部（位置Ｐ１）と上記ソース用の半導体領域３の上面の上記ゲート電極９Ｅから遠い端部（溝１６の外周の位置Ｐ２）との間の長さをａとし、上記層間絶縁層１２と上記ソース用の半導体領域３の上面との重なり部の長さ（位置Ｐ１から溝５ａの外周の位置Ｐ３までの長さ）をｂとすると、０≦ｂ≦ａとする。これにより、ソースパッドＳＰとソース用の半導体領域３の上面との接触面積が増大する上、ソースパッドＳＰとチャネル形成用の半導体領域４との距離を短くすることができるので、トレンチゲート構成のパワーＭＩＳ・ＦＥＴＱのオン抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスに起因する特性劣化を生ぜず、ボンディングパッドの電位変化による特性変化を受け難い小型化した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ領域１２と、アクティブ領域１２を覆う第１の絶縁層１３と、第１の絶縁層１３上に形成されるフローティング導体１４と、第１の絶縁層１３上およびフローティング導体１４上に形成される第２の絶縁層１５と、第２の絶縁層１７上に形成されたボンディングパッド１８と、アクティブ領域１２とボンディングパッド１８を電気的に接続する導通ビア１９，２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ビアホール上にオーミック電極が形成された半導体装置において、装置の小型化を図ること。
【解決手段】 本半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された半導体層１２と、半導体層上１２に形成されたソースまたはドレイン電極を構成するオーミック電極２０と、を備え、基板１０及び半導体層１２には、基板１０及び半導体層１２を貫通するビアホール３０が形成され、ビアホール３０は、少なくとも半導体層を貫通する第１ビアホール３２と、第１ビアホール３２下の基板１０に形成された、第１ビアホール３２より開口断面積が大きい第２ビアホール３４と、を含み、オーミック電極２０は、第１ビアホール３２の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】ｎ型及びｐ型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜と、配線とを有し、配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、配線と半導体膜とのコンタクト部において、拡散防止膜と不純物領域とが接する。拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して該導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、金属材料の酸化物が形成された導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して導電膜を流動化させ、流動化した導電膜を固化することで形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のチャネル領域の、水素拡散による低抵抗化を抑制するトップゲート型酸化物半導体ＴＦＴ及びこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上に、ソース電極層と、ドレイン電極層と、酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎの少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなるゲート電極層と、水素を含む保護層と、を有し、ゲート絶縁層は酸化物半導体層のチャネル領域の上に形成され、ゲート電極層はゲート絶縁層の上に形成され、保護層はゲート電極層の上に形成されていることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】塗布処理装置の塗布ノズル７０には、金属錯体と溶媒を供給する液供給装置７１が接続されている。液供給装置７１は、内部に金属錯体を貯留する金属供給源１００と、内部に溶媒を貯留する溶媒供給源１１０と、金属供給源１００と塗布ノズル７０とを接続する金属供給管１０４と、溶媒供給源１１０と塗布ノズル７０とを接続する溶媒供給管１１４と、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源１２０と、ガス供給源１２０と金属供給管１０４とを接続する第１のガス供給管１２１と、ガス供給源１２０と溶媒供給管１１４とを接続する第２のガス供給管１２３と、を有している。塗布処理装置の内部を減圧する前に、液供給装置７０から塗布ノズル７０へ不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】小さなチップサイズでもショットキ接合面の面積を大きくすることができるショットキバリアダイオードを提供すること。
【解決手段】ショットキバリアダイオード１は、表面から掘り下げた複数のトレンチ７が形成され、隣接するトレンチ７の間にメサ部８が形成されたエピタキシャル層４と、トレンチ７の内壁面を含むエピタキシャル層４の表面に接するように形成されたショットキメタル１１とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ソース間の容量低減及びソース抵抗を低減させ、且つ耐圧向上、高出力化及び高周波化を、容易且つ確実に可能とする量産化に優れた信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極１９を形成する際に、４層の電子線レジスト１１〜１４を用いてゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内に、キャップ層５の表面との接触面を含む幹状の下方部分１９ａと下方部分１９ａから傘状に拡がる上方部分１９ｂとが一体形成されてなり、下方部分１９ａの接触面がドレイン電極７に比べてソース電極６に偏倚した位置に設けられており、上方部分１９ｂの傘状の下端面のうちソース電極６側の部位がドレイン電極７側の部位よりもキャップ層５の表面からの高さが高いゲート電極１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】活性層の上に電極パッドを形成する場合に生じる問題を解決し、オン抵抗の上昇を抑えた窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、活性領域１０２Ａを有する窒化物半導体層積層体１０２と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第１の電極１３１及び第２の電極１３２とを備えている。第１の電極の上に接して第１の電極配線１５１が形成され、第２の電極の上に第２の電極配線１５２が接して形成されている。第１の電極配線及び第２の電極配線を覆うように第２の絶縁膜が形成され、第２の絶縁膜の上に第１の金属層１６１が形成されている。第１の金属層は、第２の絶縁膜を介して活性領域の上に形成され、第１の電極配線と接続されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイオード構造物を有するベース基板１１０と、該ベース基板１１０上に配置されるエピタキシャル成長膜１２０と、該エピタキシャル成長膜１２０上に配置される電極部１４０とを含み、該ダイオード構造物は、第１タイプの半導体層１１２と、該第１タイプの半導体層の中央に介在する第２タイプの半導体層１１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】逆方向の漏洩電流を防止し、製作コストを減少させた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は窒化物系半導体素子及びその製造方法に関するものであり、本発明による窒化物系半導体素子はＰＮ接合構造を有するベース基板、前記ベース基板上に配置されるエピ成長膜、そして前記エピ成長膜上に配置された電極部を含む。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶構造を有する金属を用いた場合でも、簡便な方法で、再現性良く階段構造状のテーパーを有する電極を形成する。
【解決手段】真空状態を保ったままの状態において、同一種類の金属を用いて、スパッタリング法で少なくとも２層の金属膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程によって成膜された複数の金属膜にエッチング処理を施すことにより、階段構造状のテーパー形状を端部に有する、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つを形成するエッチング工程とによって薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置１の処理容器１０の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器１０の内部には、ウェハＷを保持するスピンチャック２０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体３１と、ウェハＷ上に金属混合液を吐出する塗布ノズル６０と、ノズル駆動部６５の動力を塗布ノズル６０に伝達するノズル伝達部６４と、塗布ノズル６０を待機させるノズルバス６６とが設けられている。処理容器１０の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック２０とノズルバス６６との間で塗布ノズル６０を移動させるためのノズル駆動部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタソース／ドレイン電極などに適する厚みが均一で高精細なパターン画像の形成方法を提供する。
【解決手段】特定の構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体を脱水閉環して得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の重合体を含むパターン画像下層膜形成液を基板上に塗布し、乾燥、焼成することでパターン画像下層膜を得る工程と、
得られるパターン画像下層膜に紫外線を照射しパターン画像下層膜の濡れ性を変化させる工程と、
パターン画像形成液が付着したブレードと上記パターン画像下層膜とを相対的に移動させることにより、上記パターン画像下層膜の紫外線照射領域に上記パターン画像形成液を塗布させ、乾燥する工程と、
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴うゲート電極サイズの微細化においても、ゲート電極とチャネル形成領域間のリーク電流が抑制された半導体素子を提供することを課題の一とする。また、小型かつ高性能な半導体装置を提供することを課題の一とする
【解決手段】チャネル形成領域として機能する半導体層上に、ゲート絶縁膜として比誘電率が１０以上の酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成し、前記酸化ガリウム上にゲート電極が形成された構造を有する半導体素子を作製することにより、課題の一を解決する。また、前記半導体素子を用いて半導体装置を作製することにより、課題の一を解決する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面にバルジを誘導するためのパターンを形成せずに組成物の液滴を付与して線状パターンを形成する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジの方向が制御されるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に組成物の液滴を線状に付与して線状パターン１２Ａ，１２Ｂを形成する線状パターン形成工程と、線状パターンを形成すると共に又は線状パターンを形成する前に、液滴を付与して、前記線状のパターンの幅方向における片側の縁で接触するバルジ誘導用パターン１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、を含む。バルジ誘導用パターンを形成した後、線状パターンを形成することが望ましく、予めパターン形成領域外に組成物の液滴を付与してバルジ発生位置を確認するためのバルジ確認用パターンを形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】、基材の表面を冷却したまま溶媒を除去しない場合に比べ、パターンが精度良く形成されるパターン形成装置を提供する。
【解決手段】基材２０を冷却する基材冷却手段２２と、前記基材冷却手段によって冷却された前記基材の表面に、パターン形成材料、及び溶媒を含む組成物１８を付与して該組成物のパターンを描画するパターン描画手段２４と、前記基材の表面に描画された前記組成物のパターンから該基材を冷却したまま前記溶媒を除去する溶媒除去手段２６と、を有するパターン形成装置１０。溶媒除去後、加熱を行って分散剤を除去する加熱手段２８を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池の電極として用いられる導電性電極パターンを提供する。
【解決手段】基板１００上に上下に配設された下部金属膜及び上部金属膜を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つは銀（Ａｇ）を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうち他の１つは、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つと異なる遷移金属を含む。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）