【課題】工程を簡素化して歩留まりを向上すると共に、安定した形状の電極を再現性よく得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト膜１１と、第１のレジスト膜１１の開口よりも小さな開口を有する第２のレジスト膜１２とを用いて、ＳｉＯ_２絶縁膜１０を異方性ドライエッチングによってエッチングして、ＳｉＯ_２絶縁膜１０にテーパ状の開口部１０１を形成する。このため、ＧａＮ層１を斜めに設置し直してＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングする必要がなく、ＧａＮ層１を水平に設置したままＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングすることができ、工程を簡素化できる。 （もっと読む）

【課題】耐圧が数ボルトから数十ボルト程度のショットキダイオード等のガラス封止型のダイオードにおいては、半田の融点よりもずっと高い封止処理温度が適用されるため、通常、バンプ電極材料としては、銀等の比較的融点の高い金属材料が使用される。しかし、バンプ電極の厚さは、パッシベーション膜や表面電極膜の厚さと比較して、著しく厚いので、バンプ電極とチップ上面の連結部外周部、すなわち、バンプ電極内側外壁には、応力が集中しやすく、この応力により、パッシベーション膜にクラックが発生することがある。
【解決手段】本願発明は、ダイオード等のガラス封止型半導体装置の製造方法において、表面メタル電極の外周とバンプ電極の内側外壁の位置を相互に相違した位置に設定するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属ナノペーストを用いた配線及び電極の形成方法に関する。
【解決手段】本発明は、金属ナノペーストが印刷された基板を炉（ｆｕｒｎａｃｅ）に入れて窒素雰囲気下で２２０〜２４０℃に昇温させる段階と、炉の温度を前記範囲に維持しながらカルボン酸と空気の混合雰囲気下で前記基板を加熱する段階と、カルボン酸と空気の混合雰囲気下で炉の温度を１００〜１５０℃に下降させる段階と、窒素雰囲気下で炉の温度を常温まで下降させる段階と、を含む焼結工程を含むことにより、低温焼結工程を経ても高温焼結工程を経た場合と同様に、金属膜の密度が高く、残留金属粒子量を最小化することができる金属配線及び電極の形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ｐ形ＧａＮ層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法の提供。
【解決手段】オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、ＮｉＯ、ＩＩ属金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属薄膜電極及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による金属薄膜電極の製造方法は、基材上に金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む金属ペーストを塗布して金属薄膜を形成する段階と、金属薄膜を有機酸と水系液の比が１０：９０〜９０：１０の雰囲気で還元焼成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体層を有し、逆方向バイアス電圧印加時のリーク電流を低減させ、順方向バイアス電圧印加時の電圧降下を小さくすることができるショットキーダイオードを提供する。
【解決手段】 ショットキーダイオード１は、支持基板１１を備え、さらに、支持基板１１の表面上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成された密着層１３と、密着層１３上に形成されたショットキー金属層１４と、ショットキー金属層１４の表面上に、ショットキー金属層１４とショットキー接触されるように形成され、Ｍｎが添加された第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成され、Ｍｎなどの添加物が添加されていない第二の誘電体層１６と、第二の誘電体層１６上に、第二の誘電体層１６とオーミック接触するように形成されたオーミック金属層１７を備えている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を小さくでき、応答速度低下を抑制することが可能なＴＦＴを提供する。
【解決手段】基材１１０上に配設した有機半導体層１５０と、有機半導体層１５０と接触し、対向してチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、有機半導体層１５０と絶縁層１６０を介して設けられるゲート電極１４０と、ソース電極１２０と導電接続するソース電極配線部１２５と、ドレイン電極１３０と導電接続するドレイン電極配線部１３５と、ゲート電極１４０と導電接続するゲート電極配線部１４５と、からなるＴＦＴ１００であって、積層方向からみて、有機半導体層１５０が、ゲート電極１４０を含み、ゲート電極１４０が、ソース電極１２０とドレイン電極１３０とチャネル領域とからなる領域を含み、有機半導体層１５０の周縁でソース電極配線部１２５とドレイン電極配線部１３５との間にはゲート電極配線部１４５が配される。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度下でも半導体ウエハにめっき焼けやめっき形状の凹凸を呈することなく、めっき面内均一性が得られ生産性を向上できるカップ型めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽の下部からめっき液を噴出する液流入部と、めっき槽内に設置されるアノード２と、めっき槽の上部で半導体ウエハ４と電気的に接続されるカソード３とを備えた、半導体ウエハ４の表面にバンプ電極を形成するカップ型めっき装置であって、前記アノード２を十分な電極面積を有するプロペラ形状とし、回転可能にめっき槽底部のシャフト７に連結したカップ型めっき装置。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる機能性膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷面上に、低表面エネルギー領域を隔てて隣接する高表面エネルギー領域２３１，２４１を有する表面において、高表面エネルギー領域２３１，２４１の形状及び機能液の着弾範囲に基づいて、高表面エネルギー領域２３１（２４１）に機能液を供給する際に該機能液が高表面エネルギー領域２３１（２４１）のみに触れるための滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）を決定し、ついで滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）内の任意の位置を高表面エネルギー領域２３１（２４１）に対する機能液の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）として決定し、高表面エネルギー領域２３１（２４１）の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）にインクジェット法を用いて選択的に機能液を供給して所定パターンの機能性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔への金属のめっき充填性を向上させることができる技術を提供することである。
【解決手段】貫通孔５が設けられた基板１へ金属を充填するために、貫通孔５が設けられた基板１と導電層４を有する基板２とが結合された基板３を用意する。導電層４から通電して貫通孔５内の一部に第１のめっき層６を形成する。第１のめっき層６上に第２のめっき層７を形成する。第１のめっき層６をエッチング除去し、第１のめっき層６がエッチング除去された孔内に、第２のめっき層７から通電して第３のめっき層９を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】アバランシェ降伏時の電流集中を緩和することができ、耐圧およびアバランシェ耐量をともに向上させることができる、ＳｉＣ半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｎ^＋型のＳｉＣ基板２上に、ｎ⁻型のＳｉＣエピタキシャル層４を形成し、ＳｉＣエピタキシャル層４上に、フィールド絶縁膜５を形成する。このフィールド絶縁膜５を貫通して、ＳｉＣエピタキシャル層４の表面に、アノード電極７をショットキー接合させる。一方、ＳｉＣ基板２の裏面には、カソード電極３をオーミック接触させる。これにより、ショットキーバリアダイオード１を形成する。このショットキーバリアダイオード１において、ＳｉＣエピタキシャル層４の表層部に、アノード電極７のショットキーメタル９に接するガードリング１３を形成する。そして、このガードリング１３の表層部１７におけるｐ型不純物濃度を、ｎ型不純物濃度よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】製造工程が単純化され、パッド部での抵抗均一度が向上して輝度が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層２１２、ゲート下部電極２１４とゲート上部電極２１５とを含むゲート電極２１、ソース電極２１７ａ及びドレイン電極２１７ｂを含む薄膜トランジスタ；薄膜トランジスタと電気的に連結され、ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成された画素電極４１４、発光層を含む中間層４１９、対向電極４２０からなる有機発光素子；ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成される第１パッド電極５１４；第１パッド電極の少なくとも一部上に形成され、ゲート上部電極と同一層に、同一物質で形成される第２パッド電極５１５；第２パッド電極の少なくとも一部とコンタクトするように形成され、ソース電極及びドレイン電極と同一層に、同一物質で形成される第３パッド電極５１７；を含む有機発光ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体８をドライエッチングして形成した平坦表面に電極を形成してもオーミック接触させることができない。
【解決手段】ｐ型III族窒化物半導体８の電極形成範囲をドライエッチングして溝８ｄを形成し、その溝８ｄに金属２０を充填して電極を形成する。ｐ型III族窒化物半導体８のドライエッチング面は、エッチングによって生じた欠陥によってｎ型化しているために、平坦平面にドライエッチングしておいて電極を形成するとオーミック接触しない。溝８ｄを設けておくと、欠陥が少ない溝８ｄの側面においてｐ型III族窒化物半導体８と電極がオーミック接触し、半導体と電極の接触抵抗が低減する。 （もっと読む）

【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として１〜２０ｇ／Ｌであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が５〜１５０ｇ／Ｌであり、光沢化剤の含有量は、０．５〜１００ｍｍｏｌ／Ｌである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び／又はスルホンから選択される１種又は２種以上の化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】１５０℃〜２５０℃の範囲に選択する温度で焼結処理を施すことで、膜厚が厚く、利用する金属の３倍以下の体積固有抵抗率を有する導電体層を高い再現性で作製する用途に十分に適合する、バインダー樹脂成分を含有していない、新規な構成の導電性金属ペーストを提供する。
【解決手段】導電性金属ペースト中に含有される、金属微細粉末の体積比率Ｖ_{metal-particle}、金属ナノ粒子の体積比率Ｖ_{nano-particle}、その被覆剤分子層の形成に利用される被覆剤分子の体積比率Ｖ_{coating-molecule}、分散溶媒の体積比率Ｖ_solventについて、比Ｖ_{metal-particle}：（Ｖ_{nano-particle}＋Ｖ_{coating-molecule}＋Ｖ_solvent）を１：１〜１：４．６の範囲に、比（Ｖ_{nano-particle}＋Ｖ_{coating-molecule}）：Ｖ_solventを１：０．７〜１：３の範囲に、比（Ｖ_{metal-particle}：Ｖ_{nano-particle}）を９０：１０〜６０：４０の範囲に選択する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の側から第１導電型の第１導電型層と、光を発する活性層１５と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層とを有する発光部１０と、支持基板２０と発光部１０との間に設けられ、光を発光部１０の側に反射する反射部４０と、反射部４０と発光部１０との間に設けられ、光を透過し、電気絶縁性を有する絶縁層５０と、絶縁層５０と発光部１０との間の一部に設けられる界面電極６０と、第２導電型層の活性層１５の反対側の表面に設けられ、界面電極６０の直上とは異なる領域に設けられる第１電極７２と、第１電極７２が設けられる側に第１電極７２とは別に設けられ、第１電極７２が接触している第２導電型層とは異なる発光部１０の部分、又は界面電極６０に電気的に接続する第２電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極から染み出した金属がドレイン電極に到達することを抑制して、ドレイン−ゲート間の絶縁破壊を抑制する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極５の直下に位置するＡｌＧａＮ層２２と、このＡｌＧａＮ層２２の直上に位置する絶縁膜３０との間の界面Ｓに、ゲート電極５とドレイン電極１との間に位置するように、溝５０を設けている。ゲート電極５から界面Ｓを伝ってドレイン電極１側へ染み出した金属を、溝５０によって、堰き止めることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ゲート電極、及び該ゲート電極を被覆し、有機絶縁材料を含むゲート絶縁層を形成する工程；該ゲート絶縁層上に塗布法、無電解めっき法又は原子層堆積法を用いて導電性材料からなる第１導電層を成膜する工程；該第１導電層上にパターンニングされた第２導電層を形成する工程；該第２導電層で被覆されていない第１導電層の部分を除去して、第１導電層及び第２導電層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する工程；及びソース電極、ドレイン電極、及び該ソース電極と該ドレイン電極に挟まれた領域のゲート絶縁層が被覆されるように、有機半導体層を形成する工程；を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光硬化性を有し、かつ耐溶剤性、メタル配線への密着性に優れた薄膜を与える硬化性組成物を提供することである。
【解決手段】 必須成分として（Ａ）光重合性官能基を有する化合物、（Ｂ）アルケニル基を有する化合物、（Ｃ）ＳｉＨ基を有する化合物、（Ｄ）光重合開始剤 （Ｅ）ヒドロシリル化触媒を含有する硬化性組成物であり、
成分Ａ、Ｄよる光重合反応と成分Ｂ、Ｃおよび成分Ｅによるヒドロシリル化反応の２種の反応が進行することにより、光硬化性を有しながら耐溶剤性、メタル配線への密着性に優れた薄膜を与える得ることが可能となる。 （もっと読む）