【課題】 アルミニウム素地上の酸化皮膜を除去するとともに、アルミニウム素地へのアタック性を抑え、平滑性が高く、めっき外観の優れためっき皮膜を形成させるための表面処理に用いられるアルミニウム又はアルミニウム合金の金属置換処理液を提供する。
【解決手段】 少なくともアルミニウムと置換可能な金属の塩とアルカリ化合物とを含有するアルミニウム又はアルミニウム合金上の金属置換処理液において、アルカリ化合物として、水酸化第４級アンモニウムを含有させる。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板の低抵抗配線を具現する。
【解決手段】アレイ基板１００はベース基板１０１、ゲート配線ＧＬ、第１絶縁層１２０、第２絶縁層１６０、データ配線、及び画素電極ＰＥを含む。ゲート配線ＧＬはベース基板１０１に形成された第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの上に形成された第１金属層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃからなる。第１絶縁層１２０はゲート配線ＧＬが形成されたベース基板１０１の上に形成され、第２絶縁層１６０はその上にゲート配線ＧＬと交差する方向に配線トレンチＨ３が形成される。データ配線ＤＬは配線トレンチＨ３の下に形成された第２シード層１４１ｄ及び配線トレンチ内に形成された第２金属層１４２ｄからなる。このように絶縁層を利用して一定の深さを有するホールを形成し、ホール内にめっき方式で金属層を形成することで、金属配線の厚さを厚く形成できる。 （もっと読む）

【課題】複数の被めっき物に対して同時にめっき加工を施す際に、被めっき物毎にめっきのむらが生じることがなく均一にめっき加工を施すことを可能としためっき治具を提案する。
【解決手段】めっき液中に浸漬された状態で水平軸回りに回転するめっき治具２であって、回転軸ＣＬと平行をなし、この回転軸ＣＬを中心とした円周上に配設された複数本の挟持棒２１と、複数本の挟持棒２１の両端を固定する一対の端板２２とを備え、挟持棒２１には、回転軸ＣＬに沿って所定の間隔をあけて複数の溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴセル領域とダイオードセル領域のいずれにおいても、主面側のメッキ電極層もしくは下地金属層に穴欠陥が発生し難く、十分な密着強度と電気特性を確保することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 縦型のＩＧＢＴ１００ｉとダイオード１００ｄとが同じ半導体基板１０に形成されてなり、半導体基板１０の主面側において、ＩＧＢＴ１００ｉのエミッタ領域およびダイオード１００ｄのアノード領域に共通接続する下地金属層１８が形成され、該下地金属層１８上にメッキ電極層２５が形成されてなる半導体装置であって、ダイオードセル領域における主面側の半導体基板１０上に、酸化膜からなる所定の凸状パターン１７ａが形成され、該凸状パターン１７ａ上に下地金属層１８が積層されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性を得ることができる有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子を提供する。
【解決手段】電極と該電極の上に成膜される有機半導体層を有する有機半導体素子の製造方法であって、電極は、所定の部材の上にパターン化された下地層を形成する工程と、下地層の上に触媒型無電解めっきによって触媒型無電解めっき層を形成する工程と、の少なくとも２つの工程によって形成され、有機半導体層は、触媒型無電解めっき層の上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】主面側と裏面側の両方にメッキ電極層を有する安価な半導体装置であって、該メッキ電極層を利用した両面放熱が可能であると共に、チップ端部における該メッキ電極層の剥がれが発生し難い半導体装置を提供する。
【解決手段】主面側と裏面側の両方にメッキ電極層Ｍ１，Ｍ２ａを有する同一構造の半導体装置１００が、一枚の半導体ウェハに複数個形成され、これらが個々のチップに切り出されてなる半導体装置１００であって、主面側と裏面側のいずれのメッキ電極層Ｍ１，Ｍ２ａも半導体ウェハの切り出し線ＣＬに掛からないようにして配置され、切り出し線ＣＬに沿って各チップに切り出されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】 パラジウム皮膜上に美麗な外観の置換金めっき皮膜を良好に形成する。
【解決手段】 パラジウム皮膜上に金皮膜を形成する置換金メッキ浴において、可溶性金塩と縮合リン酸類を含有し、ｐＨ２〜７である非シアン系の置換金メッキ浴である。置換金メッキ浴にポリリン酸、ピロリン酸、或はその塩などの縮合リン酸類を含有するため、この縮合リン酸類が金イオンに対して適度の錯化機能とレベリング機能を発揮し、パラジウム皮膜上に均一でレモンイエローの明るい色調の美麗な金皮膜を析出させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

【課題】ダイの両面にパワー電極又は他の電極を有する種類の低コストの半導体ダイの製造方法を提供すること。
【解決手段】主要な表面上に設けられる少なくとも１つの電極を有する複数のダイを半導体ウェーハに形成するステップと、前記半導体ウェーハの前記ダイの少なくとも１つの電極をマスク材料１１１で覆うステップと、前記各電極に向けて少なくとも１つの開口１１１ａ−１１１ｄを前記マスク材料に形成し、前記開口が前記各電極の底面に達するようにするステップと、前記各電極に向けて前記各開口の底面に少なくとも金属層を形成するステップと、前記半導体ウェーハから各ダイを個別化するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で低コストで製造でき、しかも高性能な薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供すること。
【解決手段】メッキ法を用いてソース電極およびドレイン電極を形成することで、簡単な工程で低コストで製造でき、しかもソース電極およびドレイン電極とその間を分離する絶縁部との平坦化も行えるので、高性能化も可能な薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン系光電変換素子上に容易に形成することができ、且つ得られる太陽電池に低い全抵抗値及び高い発電効率を付与することができる太陽電池用電極フィルムを提供すること。
【解決手段】透明フィルム、その表面に設けられた透明電極薄膜、及び透明電極薄膜上にストライプ状又はメッシュ状に金属電極からなるシリコン系太陽電池用電極フィルムであって、透明電極薄膜の厚さが１０〜４００ｎｍの範囲にあり、金属電極の厚さが１〜２００μｍの範囲にあり、その幅が０．０１〜１．０ｍｍの範囲にあることを特徴とする太陽電池用電極フィルム；これを用いた太陽電池の製造方法；及び太陽電池。 （もっと読む）

【課題】
裏面電極を有するフェイスダウン型の半導体装置の製造方法では、各工程において裏面電極を薬液等から保護するため、何度も保護テープを仮貼りする必要があった。
【解決手段】
本発明では、ソース電極７及びドレイン電極９上に下地電極１１を無電解めっき法により形成する工程を経た後に、半導体ウエハを裏面側から研削する工程と、半導体ウエハの裏面上に裏面電極１２を形成する工程を行い、その後に裏面電極１２上にエポキシ樹脂テープ１３を永久貼り付けする工程と、下地電極１１上にバンプ電極１４を形成する工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銀鏡反応を用いて金属パターンと、プラスチック基板との密着性に優れた金属パターン形成体を高生産性で製造可能な金属パターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。真空紫外光を用いて高精細なパターン状の真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造できる、パターン形成体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、プラスチック基板を用い、上記プラスチック基板の表面に真空紫外光を照射する真空紫外光照射工程と、上記真空紫外光照射工程において、真空紫外光が照射されたプラスチック基板の、真空紫外光照射面上に、銀鏡反応を用いて金属膜を形成する金属膜形成工程と、上記金属膜形成工程によって形成された金属膜をパターニングする金属膜パターニング工程と、を有することを特徴とする、金属パターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

シリコン半導体デバイス、および太陽電池デバイスの前面に使用するための伝導性銀ペーストが本明細書に記載される。
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【課題】窒化ガリウム成長層およびバッファ層の抵抗に関係なく、基板の厚さ方向に電流が流れる縦型素子を容易に作成可能な窒化ガリウム半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１と前記シリコン基板１上に形成されたバッファ層２、３とその上に窒化ガリウム半導体層４、５を形成し、前記シリコン基板１の裏面から前記シリコン基板１ならびに前記バッファ層２を貫通して前記窒化ガリウム半導体層４に達する深さのトレンチ１２を形成し、このトレンチの内表面とシリコン基板１の裏面とに金属膜を被覆する工程を有する製造方法とする。 （もっと読む）

本発明は、滑らかな及び／又はドーム形の輪郭を備えた誘電体層、導電体層、及び／又は半導体層を有する電気的活性デバイス（例えば、キャパシタ、トランジスタ、ダイオード、浮遊ゲートメモリセルなど）と、このようなデバイスを、半導体、金属又は誘電体の前駆体を含むインク組成物を堆積又は印刷（例えば、インクジェット印刷）することによって形成する方法とに関する。滑らかな及び／又はドーム形の断面輪郭は、急激な段差がない滑らかな形状移行を可能にし、それによって堆積時のフィーチャの不連続を防止し、続いて堆積される構造体のより完全な段差被覆性を得ることができる。本発明の輪郭により、熱酸化による酸化物層の均一な成長も、それに続く構造体のほぼ均一なエッチング速度も得られる。このような酸化物層は、均一な厚さを有し、下の電気的活性フィーチャのほぼ完全な被覆を実現することができる。均一なエッチングが、単純な等方性エッチングによって電気的活性構造体の臨界寸法を低減する効率的な方法を可能にする。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト型のＦＥＴと同様のコンタクト抵抗を実現し、かつボトムコンタクト型のＦＥＴなみの微細構造の作製を可能とする。
【解決手段】ゲート電極１１と、前記ゲート電極１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、前記ゲート絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、前記ゲート絶縁膜１２上で前記半導体層１３の両端に形成されたソース・ドレイン電極１４、１５とを有し、前記各ソース・ドレイン電極１４、１５は、前記半導体層１３側に延長形成されたひさし部１６を有し、該ひさし部１６の前記ゲート絶縁膜１２側に向いている下面が前記半導体層１３の少なくとも一部に接続されている。 （もっと読む）

【課題】めっき液の安定化を実現できるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面に無電解めっきを施すめっき処理槽１０と、めっき処理槽１０にめっき液を供給するめっき液供給槽１２と、めっき液供給槽１２内のめっき液を循環させるめっき液循環ライン２２と、めっき液供給槽１２内に配置されたｐＨ検出器３４の検出値を基にめっき液循環ライン２２から選択的に分岐して該めっき液循環ラインに合流するめっき液分岐循環ライン３０を有し、めっき液分岐循環ライン３０には、基板表面と同様な無電解めっき反応が生じる補助反応物を内部に有する補助反応ユニット３２が設置されている。 （もっと読む）

【課題】立体形状を有する基板を備えた電子デバイスの製造方法に関し、インクジェット法を用いてこの基板上に微細な配線を形成する。
【解決手段】基板１は、円筒形の基材と、この基材の周囲に巻かれた樹脂フィルムとを有し、樹脂フィルムの表面には、凹部および凸部が設けられている。基板１をその長手方向軸の周りに回転させながら、インクジェット法により凹部にインクを塗布した後、加熱してシード層を形成する。次いで、シード層の上にメッキ法によって導電膜を形成する。インクの塗布は、カラーＣＣＤカメラで確認しながら行い、所望の箇所にインクが塗布されていない場合には塗布を停止するようにすることが好ましい。 （もっと読む）