【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】ダマシン銅配線等おける無電解銅めっきでシード層を形成した際の、成膜均一性、および密着性を、単体の金属上に無電解銅めっきを行った場合と比較して向上させ、さらに、銅シード層の成膜に先立つバリア層と触媒金属層との二つの層形成の煩雑さを解消して、超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚でシード層を成膜しためっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に、無電解めっき液に含まれる銅イオンと置換めっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属Ｂと、銅に対してバリア性を持つ金属Ａからなる銅拡散防止用バリア合金薄膜が形成され、該銅拡散防止用バリア合金薄膜が、前記金属Ａを１５原子％以上、３５原子％以下とする組成であり、その上に無電解置換めっきにより銅薄膜が形成されたことを特徴とするめっき物。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる下地の絶縁性層に対してダメージを与えることなく、かつ上部に設けられる有機半導体層に対して良好なオーミックコンタクトが得られるソース電極およびドレイン電極を低コストで得ることを可能にする。
【解決手段】有機絶縁層からなる基板１１と、基板１１上にめっき成膜された層からなるソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第１層１３-1と、第１層１３-1よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなり第１層１３-1を覆う状態でめっき成膜されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第２層１３-2と、第１層１３-1および第２層１３-2で構成されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５とを備えた有機薄膜トランジスタ１ａである。 （もっと読む）

【課題】めっき液に含まれる構成成分の濃度を演算し、めっき液の調整を適正に行い、めっき処理の品質を維持する。
【解決手段】めっき液に一または複数の添加剤を加えて半導体ウエハにめっき処理を行う工程（ステップＳ１）と、めっき処理の処理状態を示す一または複数のパラメータを測定する工程（ステップＳ３）と、パラメータからめっき液に含まれる構成成分の濃度を演算する工程（ステップＳ４）と、演算された構成成分の濃度が予め定めた閾値以内に収まるように、めっき液の調整処理を行う工程（ステップＳ６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この処理液供給装置は、略水平に保持した基板の処理面にめっき液を吐出する供給孔を有するノズルと、所定の枚数の基板処理に必要な量のめっき液を収容し、収容しためっき液を所定の温度に調節する温度調節部と、ノズルおよび温度調節部の間に配設され、温度調節部により温度調節されためっき液を所定の温度に維持する保温部と、温度調節部により所定の温度に調節されためっき液を、保温部を介してノズルの供給孔に向けて送り出す送り出し機構とを具備する。 （もっと読む）

【課題】例えばＣｕ膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持することができる層構造を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１３２内で、表面に凹部２を有する被処理体Ｗの表面に成膜処理を施す成膜方法において、遷移金属含有原料ガスを用いて熱処理により遷移金属含有膜２１０を形成する遷移金属含有膜形成工程と、元素周期表のVIII族の元素を含む金属膜２１２を形成する金属膜形成工程とを有するようにする。これにより、例えばＣｕ膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】メッキ造形物の製造に好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）および／または（２）で表される構造単位（ａ）と、酸解離性官能基（ｂ）とを含有する重合体、（Ｂ）感放射線性酸発生剤および（Ｃ）有機溶媒を含有し、かつ重合体（Ａ）１００重量部に対して、特定構造の感放射線性酸発生剤が１〜２０重量部含有することを特徴とするメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。
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【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を要せずに、アスペクト比の高い所望の形状のパターンを形成することのできるパターン形成方法、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】誘電率及び／又は磁化率が異なる２以上の物質からなるネガパターンに電場及び／又は磁場を印加して電気力線及び／又は磁力線の疎密差を前記ネガパターンの近傍に発生させ、前記電気力線及び／又は磁力線の疎密差に沿って少なくとも１以上の流動性のある物質を移動させて所望のポジパターンを形成する方法であって、前記ネガパターンの内部に前記流動性のある物質の少なくとも一部が進入することでポジパターンを形成し、その後少なくとも１以上の流動性のある物質の少なくとも一部を固化形成する。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉや金属層の種類が限定されずＳｉの酸化膜除去処理によっても金属層が剥離することのない電極及びその形成方法、並びに前記電極を備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】表面に活性化処理されたＳｉを有する基板１１上に、第１の末端にＣＨ基、ＣＨ_２基、ＣＨ_３基のいずれかを有し、第２の末端にアミノ基、メルカプト基、フェニル基、カルボキシル基のいずれかを有する有機分子の薄膜（有機分子膜）１２ａを形成する有機分子膜形成工程と、前記有機分子膜１２ａ表面に触媒金属１２ｂを付与する触媒化工程と、前記有機分子膜１２ａに触媒金属１２ｂを付与した密着層１２表面に無電解めっき法により金属層１３を形成する無電解めっき工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】一対の第１の耐衝撃層及び第２の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路において、半導体集積回路と第２の耐衝撃層との間に衝撃拡散層を有する。外部ストレスに対する耐衝撃層と、その衝撃を拡散する衝撃拡散層とを設けることで、半導体集積回路の単位面積あたりに加えられる力を軽減し、半導体集積回路を保護する。衝撃拡散層は弾性率が低く、破断係数が高い方が好ましい。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、シリコン半導体デバイス、および太陽電池デバイスの前面に使用するための伝導性ペーストに関する。
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【課題】製造工程を大幅に削減することができ、導電層の製膜時間を短縮することができるほか、容易に大面積化をはかることが可能で、かつ、様々な基板に関して導電層を具備することができる配線用基板及び配線基板の提供。
【解決手段】湿式無電解メッキ法を用いて基板上に導電層を形成し、部分的に導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】コンタクト構造物の形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト領域１０３を有する対象体１００上に絶縁層１０６を形成した後、絶縁層１０６をエッチングしてコンタクト領域１０３を露出させる開口を形成する。露出されたコンタクト領域１０３上にシリコン及び酸素を含む物質膜を形成した後、シリコン及び酸素を含む物質膜上に金属膜を形成する。シリコン及び酸素を含有する物質膜と金属膜を反応させて、少なくともコンタクト領域１０３上に金属酸化物シリサイド膜１２１を形成した後、金属酸化物シリサイド膜１２１上の開口を埋める導電膜を形成する。コンタクト領域とコンタクトとの間に金属、シリコン、及び酸素が三成分系を成す金属酸化物シリサイド膜を均一に形成することができるため、改善された熱安定性及び電気的特性を有する。 （もっと読む）

【課題】電極パッド上に所望の形状でめっき層を形成できる構成を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、グラウンドに接続された電極パッド３ａと、電極パッド３ａの上に形成されためっき層６ａと、半導体基板１のうち、電極パッド３ａの下方に位置する領域を区画する絶縁膜７とを備えている。ウェハ裏面の一部または全部が電極パッド３ａと電気的に分離される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を介して隣接する複数のＳｉ系結晶上に、絶縁膜上での短絡のおそれを回避しつつ、それぞれ十分かつほぼ等しい厚さを有するシリサイド層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、絶縁膜を介して隣接し、前記絶縁膜よりも上面の高さが低い複数のＳｉ系結晶部を形成する工程と、前記複数のＳｉ系結晶部の上面、ならびに前記絶縁膜の上面および露出した側面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜をシード膜として金属層を形成する工程と、熱処理により前記複数のＳｉ系結晶部と、前記金属膜および前記金属層とを反応させてシリサイド層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線間をCuプラグによって電気的に接続する構成において、Cuプラグとの電気的接続の信頼性が高く、リーク電流が少ない半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明における半導体装置１００は、拡散層４３およびゲート電極４２を形成した半導体基板１と、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜５と、層間絶縁膜５を貫通し、拡散層４３およびゲート電極４２上に形成されたコンタクトホール６１と、コンタクトホール６１の内面に形成されたTiバリアメタル層６２と、バリアメタル層６２上に形成されたW、Co、Ru、Ptのいずれかを含むシード層６３と、シード層６３上であってコンタクトホール６１を充填するように形成されたCuプラグ６４と、Cuプラグ６４上に形成された配線層７と、を備える。 （もっと読む）