【課題】半導体装置の低コスト化を実現する。
【解決手段】配線支持基材の主面に配線層を選択的に形成する（ステップＳ１）。次に、上記配線層に、複数の導電性粒子を含む樹脂を接触させる（ステップＳ２）。次に、前記樹脂を介して、配線支持基材の主面に、半導体素子の主面に配置された電極パッドを対向させる（ステップＳ３）。そして、導電性粒子の融点以上に当該導電性粒子を加熱して、複数の導電性粒子を一体化させた導電層を通じて、電極パッドと配線層とを電気的に接続する。また、当該電気的な接続と共に、導電層を樹脂で被覆する（ステップＳ４）。これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＳｉＣ半導体装置においてオーミック電極を形成する際に、ＳｉＣ層１１の一方の主表面上には、１種の第１の金属元素からなる、第１の金属層１２を形成する。また、第１の金属層の、ＳｉＣ層１１と対向する表面とは反対側の表面上（図１における上側）に、ＳｉからなるＳｉ層１３を形成する。このようにして形成した積層構造１０Ａに対して熱処理を行なう。以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜性（造膜性ともいう）の良好な金属酸化物前駆体層の作製方法、作製された該金属酸化物前駆体層を用いた金属酸化物層の作製方法を提供し、且つ、該金属酸化物の作製方法を用いて、移動度が高く、Ｏｎ／Ｏｆｆ比が高く、敷電圧が低い電子デバイスを提供する。
【解決手段】基材の上に金属イオンを含む溶液を基材に塗布する金属酸化物前駆体層の作製方法において、該基材の温度（℃）を該溶液の主溶媒の沸点（℃）の５０％〜１５０％の温度範囲に調整して前記溶液を塗布、成膜する工程を有することを特徴とする金属酸化物前駆体層の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板のおもて面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液が汚染されないこと。基板の裏面側に不均一なめっきが析出するのを防ぎながら、基板のおもて面側に、低いコストで、安定しためっき層を形成すること。基板の裏面側に保護膜を形成する際に、基板が反るのを防止すること。
【解決手段】基板１のおもて面側と裏面側に電極を有する半導体装置において、基板１の裏面側のコレクタ電極９の表面に、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜１３を形成する。その後、基板１のおもて面側のエミッタ電極６に、めっき処理をおこない、エミッタ電極６の表面に、ニッケルめっき層１１と、金めっき層１２と、を形成する。そして、コレクタ電極９の表面に形成された絶縁膜１３を除去する。 （もっと読む）

【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 塗布技術や印刷技術を用いて形成した薄膜トランジスタを微細に形成し、さらに、ホトコンを低減することにより、高性能な薄膜トランジスタ、及びそれを用いた半導体装置を安価に提供すること。
【解決手段】 絶縁基板上に、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜、有機半導体層、ゲート電極の各部材が積層された薄膜トランジスタ、およびそのトランジスタを含む表示装置、ＩＣタグ装置、センサー装置において、有機半導体層は塗布法もしくは印刷法で形成されており、ソース・ドレイン電極上の有機半導体層の概略パターン平面形状の少なくとも一部（少なくともチャネル長方向の端部）がソース・ドレイン電極上のパターン形状と自己整合的な形状である構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、マイクロ波加熱を用いることによって、塗布膜から形成される酸化物半導体の前駆体の酸化膜への変換を容易として、酸化物半導体膜を活性層とする薄膜トランジスタ素子の生産効率を向上させることにある。
【解決手段】酸化物半導体の前駆体薄膜を加熱して酸化物半導体膜に転化させる薄膜トランジスタの製造方法において、マイクロ波を吸収し発熱する材料を前駆体薄膜の内部、又は前駆体薄膜に接して配置し、この材料にマイクロ波を照射することにより、酸化物半導体膜への転化を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線の電気抵抗を低減し、安定化するとともに、不純物を除去することにより、銅配線の信頼性を向上させることが出来る銅膜のアニール方法を提供する。
【解決手段】バリア層が形成されたシリコン基板上にめっき法あるいは気相堆積法により銅膜を成膜する。これを２００℃〜３００℃、２〜３０ＭＰａの高温高圧の二酸化炭素、または不活性元素の気体中で、ないしは超臨界二酸化炭素中で、あるいはさらにこれらに水素を含有させた気体、流体中で処理する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】このキャップメタル形成方法は、二つ以上の撥水性が異なる領域を有する基板の被処理面にキャップメタルを形成する方法であって、基板をインナーチャンバ内に配設された回転可能な保持機構に水平保持する保持ステップと、インナーチャンバを覆うアウターチャンバの上面に配設されたガス供給孔を介して、インナーチャンバとアウターチャンバ間にガスを供給するガス供給ステップと、インナーチャンバとアウターチャンバ間に圧力勾配を形成する圧力勾配形成ステップと、ガス供給ステップによりインナーチャンバ内のガス圧力が所定の値となった後に、基板の被処理面の所定位置にめっき液を供給して、領域の少なくともひとつにキャップメタルを形成するめっき液供給ステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】酸を用いることなくＳｎ化合物を容易に溶解でき、金属めっき皮膜の均一性を損なうことなく長期に渡って使用できる無電解めっきのセンシタイジング液を提供する。
【解決手段】Ｓｎ化合物と溶媒とを含み、前記溶媒が水溶性アルコールを１０容量％以上含む無電解めっき用センシタイジング液とする。また、被めっき体を前処理液に浸漬する前処理工程と、前記前処理工程後の前記被めっき体をめっき液に浸漬するめっき工程とを有し、前記前処理液として、本発明の無電解めっき用センシタイジング液を用いる無電解めっき方法とする。 （もっと読む）

【課題】良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。
【解決手段】金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。メタルマスク層54を用いて金属拡散防止膜51を選択的に除去する。良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ゲートオーバーラップ幅が小さく高速応答が可能で低消費電力のＴＦＴを低コストで実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成されるゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うように形成されるゲート絶縁膜１３と、基板１１上であってゲート電極１２の近傍にめっきにより形成されるソース電極１４と、基板１１上であってゲート電極１２の近傍に、ソース電極１４とゲート電極１２を挟んで反対側に位置するようにめっきにより形成されるドレイン電極１５と、ソース電極１４、ドレイン電極１５及びゲート絶縁膜１３を覆うように形成される半導体膜１６とを有する半導体装置１０において、基板１１は、めっき触媒を含有し、ソース電極１４及びドレイン電極１５は、めっき触媒に直接接触して形成されていることを特徴とする半導体装置１０。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、障壁層上にコバルト層を堆積させた後、コバルト層上に銅または銅合金などの導電材料を堆積させるプロセスを提供する。一実施形態では、基板表面上に材料を堆積させる方法であって、基板上に障壁層を形成するステップと、気相成長プロセス（たとえば、ＣＶＤまたはＡＬＤ）中に基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて障壁層上にコバルト層を形成するステップと、コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップとを含む方法が提供される。いくつかの例では、障壁層および／またはコバルト層は、熱プロセス、インサイチュプラズマプロセス、または遠隔プラズマプロセスなどの処理プロセス中にガスまたは試薬に露出させることができる。
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【課題】触媒付与処理を行った後、配線表面における異状粒状金属の発生及び配線表面のめっき膜のラフネス悪化を防止しつつ、コバルト合金膜等のめっき膜を配線の表面に選択的に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜に設けた配線用凹部内に金属を埋込んで形成した埋込み配線を有する基板を用意し、基板表面を触媒付与液に接触させて配線表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板表面に洗浄液を供給しつつ該表面を物理的に洗浄し、しかる後、基板表面に無電解めっきを行って配線表面にめっき膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】多重露光技術において、マスクパタン形成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するためのマスクパタンを効率的に生成する。
【解決手段】目的となる設計データ１０１において、先端部分１０３ａ,１０４ａで所定の離間距離をおいて対向する一対の線状設計パタン１０３，１０４について、設計データ上で仮想的に先端部分１０３ａ,１０４ａ間を接続する補助パタン１０５を配する処理を行い多重露光用マスクパタンを生成する。 （もっと読む）

【課題】 非常に立上り電圧が低く、かつ、逆方向耐圧が実用上問題のない程度に高い耐圧のダイオードを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウムを含有するＮ型半導体層１の表面に二次元電子ガスを発生させることが可能で、かつ、その二次元電子ガスの電子をトンネル可能な厚さで酸化インジウム層２が形成され、その酸化インジウム層２上に金属または導電性酸化膜からなる第１電極３が形成され、Ｎ型半導体層（Ｎ型半導体基板）１と電気的に接続して第２電極４が形成されている。 （もっと読む）