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Fターム[5C127BA06]の内容

冷陰極の製造 (9,839) | 電界放出型のエミッタ形状 (1,156) | 巨視的形状 (506) | 柱状 (29)

Fターム[5C127BA06]に分類される特許

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【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 (もっと読む)


【課題】多様な機能装置となる新規な構造を実現し、その装置の変換率化の向上と、装置の大面積化の実現。
【解決手段】基板上に複数立設された、有機材料から成る直径0.5nm以上、20nm以下の柱状体と、柱状体の少なくとも表面に担持された、粒径0.2nm以上、10nm以下のナノ微粒子とを有するナノ微粒子を担持したナノ構造体である。また、製法は、有機材料から成る平板の上に、粒径0.5nm以上、20nm以下のナノ微粒子を、一様に形成するナノ微粒子形成工程と、ナノ微粒子形成工程により、面上においてナノ微粒子が形成された平板を、ナノ微粒子をマスクとして、反応性イオンエッチングによりエッチングして、複数の柱状体を形成すると共に、その柱状体の少なくとも表面に、粒径0.2nm以上、10nm以下のナノ微粒子を担持させる柱状体形成工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる3次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を1:2以上1:6以下とする。 (もっと読む)


【課題】 CNTのロスがなく、エミッション特性に優れた電子源電極を効率よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】 上記課題は、カーボンナノチューブを分散媒に分散させた分散液をメンブレンフィルターで濾過し、メンブレンフィルター上に堆積したカーボンナノチューブを基板に転写し、真空環境下で電子ビームを照射してカーボンナノチューブを基板上に固着し、次いで、カーボンナノチューブを起毛させることを特徴とする電子源電極の製造方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】電子を放出するエミッションサイトの数を増やすことで発光効率を向上させたエミッタの製造方法、エミッタ、電界放出発光素子の製造方法、電界放出発光素子及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明のエミッタ製造方法は、金属物質をカーボンナノチューブに内包させる内包ステップと、基板に塗布されたカーボンナノチューブを大気雰囲気、窒素雰囲気及び一酸化炭素雰囲気の何れかで焼成し、カーボンナノチューブとカーボンナノチューブに内包される金属物質との接面を酸化反応させ、カーボンナノチューブを切断する切断ステップと、を有している。 (もっと読む)


【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ(FED)、電界放出型ランプ(FEL)等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】大型であっても電界放出物質が均一に分散された電極を、容易に安価に製造することができ、省エネルギーで大型の電界放出型ランプの製造方法を提供する。
【解決手段】Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Gd、Ce、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb、Mn、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Cu、Al、Ag、Au、Sn、Bi、Zn、Pt、Pdから選ばれる1種又は2種以上を含む金属物質と、電界放出物質と、有機バインダーとを含有する混合物を基板上に膜状に形成し、焼成し、塊状金属物質と電界放出物質とを含有する電界放出型冷陰極を形成する。 (もっと読む)


【課題】冷陰極電界電子放出素子を製造するときの絶縁層における開口部を出来る限り均一に形成し得る方法を含む冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、支持体10上にカソード電極11、絶縁層12を形成し、次いで、コア部41及びシェル部42を有する多数の球状部材40を絶縁層12上に配置した後、シェル部42を除去し、次に、コア部41を含む絶縁層12上にゲート電極を形成した後、コア部41を除去して絶縁層12の一部を露出させ、次いで、露出した絶縁層12の部分を除去して開口部を形成して、開口部の底部にカソード電極を露出させた後、開口部の底部に露出したカソード電極の部分に電子放出部を形成する各工程から成る。 (もっと読む)


本明細書では、特に高周波応用のための三極管型電界放出デバイス(11)が開示される。このデバイスは、陰極電極(12)、陰極電極(12)から間隔を空けられた陽極電極(14)、陽極電極(14)と陰極電極(12)との間に配列された制御ゲート電極(13)、および少なくとも電界放出先端部(19)を有する。陰極電極(12)、制御ゲート電極(13)、および陽極電極(14)は、電界放出先端部(19)の三極管区域(11a)においてオーバーラップし、電界放出先端部と連携して三極管区域において電子ビームを生成するように動作可能である。陰極電極(12)、制御ゲート電極(13)、および陽極電極(14)は、三極管区域(11a)の外側でオーバーラップせず、それぞれの線(x,y,z)に沿った主となる長手方向を有する。これらのそれぞれの線(x,y,z)の各々は、相互に関して非ゼロの角度で傾斜している。
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【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、導電性基板と電子放出部とを含む。前記電子放出部は少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤを含み、該カーボンナノチューブワイヤは第一端及び該第一端と相対する第二端を含み、該第一端は前記導電性基板に電気的に接続され、該第二端は前記導電性基板から外に延び、複数の電界放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物、それを利用して製造された電子放出源、該電子放出源を含む電子放出素子、該電子放出素子を適用したバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ボロンナイトライドナノチューブ100重量部と、ガラスフリット250ないし1000重量部と、フィラー500ないし1000重量部と、有機溶媒1000ないし2000重量部と、バインダーポリマー2000ないし3000重量部と、を含むことを特徴とするボロンナイトライドナノチューブペースト組成物である。該ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物を使用して形成された電子放出源を含む電子放出素子は、長寿命を具現し、画素間の均一度が向上する効果を有する。 (もっと読む)


【課題】電界放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層及びゲート電極を囲繞するように保護層を蒸着した後、絶縁層及びゲート電極の上部にのみ保護層が残存するようにパターニングする第1段階と、ウェル及び開口部を充填して保護層状に積層されるように炭素ナノチューブペーストを塗布する第2段階と、基板の背面から光を照射して炭素ナノチューブペースト及び保護層を露光させた後、現像して露光されていない炭素ナノチューブペースト及び保護層をリフトオフして炭素ナノチューブカラムを形成する第3段階と、炭素ナノチューブカラムを焼結して高さを低めた後、表面処理して炭素ナノチューブカラムの表面に炭素ナノチューブチップが整列される電界放出源を形成する第4段階と、を含むことを特徴とする三極構造を有する炭素ナノチューブを備えた電界放出素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 電子源の製造に従来利用されたことのない加工技術を適用することにより、新しい概念のナノサイズの収束を可能とした非金属系の電子源用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】 電子源用チップは、導電性を有する非金属材料、例えばダイヤモンドなどからなる。電子源用チップの電子を放出する先端突起部2は、下部突起3と上部突起4とで構成されている。上部突起4を含む先端突起部2の少なくとも一部には、収束イオンビーム(FIB)法により、球面や円錐などの曲面形状が形成されている。 (もっと読む)


【課題】選択成長させたカーボンナノチューブ電子放出源を用いた電子放出リソグラフィ装置及びそのリソグラフィ用電子放出エミッタの製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバの内部に配置される電子放出源と、この電子放出源から所定距離、離隔して試料14を載置させるステージとを含む電子放出リソグラフィ装置であり、前記電子放出源を電子放出能を有するカーボンナノチューブ11で構成し、リソグラフィ工程の電子放出源としてカーボンナノチューブ11を使用する。その結果、非常に微細な線幅を極めて高い精度で具現できるリソグラフィ工程が可能になる。また、カーボンナノチューブ11から放出される電子が1:1で対応する部位の電子ビームレジスト15、15’を露光するので基板12の中心部と端部との間で生じ得る露光状態の偏差が低く抑えられる。本発明はこのようなリソグラフィを生産性よく行うことができる。 (もっと読む)


【課題】電子放出特性に優れ、かつ結晶成長プロセスの条件を操作するだけで指向性に優れるとともに形状が均一な電子放出体を形成可能な針状電子放出体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板温度を500℃〜600℃の範囲に設定してから基板の一面上に金属ガリウムを成長させて島状の種結晶体を形成する工程と、基板温度を950℃〜1050℃の範囲に設定してから前記一面上に窒化ガリウムを成長させて前記種結晶体上に前記一面に対して垂直な柱状結晶体を形成する工程と、基板温度を950℃以下にするか、若しくは、窒素源、ガリウム源のいずれか一方または両方の供給量を前記の工程よりも少なくして前記一面上に窒素源とガリウム源を供給することにより、窒化ガリウムを成長させて前記柱状結晶体の先端に先窄み状の先鋭部を形成する工程と、を具備してなることを特徴とする電子放出素子用の針状電子放出体の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子放出素子及びその製造方法に関し、特にカーボンナノチューブを利用する電子放出素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は先端を有する導電基材と、第一端部及び第二端部を有するカーボンナノチューブと、金属膜と、を含む。前記カーボンナノチューブの第一端部は前記導電基材の前記先端に接続され、前記カーボンナノチューブの第二端部は前記導電基材の前記先端から延伸する。前記金属膜はカーボンナノチューブの表面及び、前記カーボンナノチューブに隣接する前記導電基材の前記先端の一部に形成される。 (もっと読む)


【課題】液滴の着弾から光エネルギの付与までの時間を管理することなく、容易に精度に
優れた微細な径の柱状体を形成する。
【解決手段】柱状体を形成する部位に、CWレーザやパルスレーザを照射して光エネルギ
を付与する状態にする。そして、光エネルギを付与する状態で、液滴吐出ヘッド1から、
柱状体を形成する部位に液滴Lを次々と吐出して塗布することを繰り返して柱状体Tを形
成する。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクパターニング工程数を減らし、電界放出素子の製造歩留まりを高めることのできる電界放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上にカソード層12、第1絶縁層14ゲート電極層16、保護層18を形成する段階、保護層及びゲート電極層の所定領域をエッチングし、複数の第1開口ホールを形成、第1絶縁層の一部領域を露出させる段階、開口ホールと保護層を埋め込む第2絶縁層24を形成する段階、この上にフォーカス電極層26を形成する段階、フォトレジスト層を形成、パターニング、エッチンして第1開口ホールの各列に対応するサイズに第2開口ホールを形成し、第2絶縁層の一部領域を露出させる段階、この露出面から第1絶縁層の底面までエッチングし、カソード層の一部領域を露出させるエミッタホールを形成する段階、フォトレジストを除去、カソード層の露出面上に電子放出エミッタを形成する段階を含む電界放出素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】簡単なプロセスで任意の位置・形状に微小電子エミッタを作製することができる微小電子エミッタの作製方法及びそれを用いて作製される微小電子エミッタを提供する。
【解決手段】微小電子エミッタの作製方法において、3次元CADを利用して設計した微小電子エミッタの微小立体構造物の三次元モデルから算出した描画データに基づいて、集束イオンビームの位置的、時間的制御を行い、絶縁性基部の中心部に形成される第1電極に接続されるカソード電極35と、前記絶縁性基部の外周面に被覆される第2電極に接続されるアノード電極36を形成する。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブ等の電界放出物質を基板上に形成された突起構造上に形成させ、突起構造の配置状況に対応した電子の電界放出が得られる電界放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】突起構造を有する基板であり、且つ1つ以上の電極を有する前記基板において、錐体、錐台、柱状構造のうち少なくとも1つを含む形状から成る突起構造が1つの電極上に少なくとも2つ以上形成され、且つ1つの電極内にある前記突起構造は、前記突起頂点間の距離が1〜50μm離れて配置され、該突起構造を有する基板上に電界放出特性を有する物質を含む層が形成されることによって、突起構造の配置状況に対応した電子の電界放出が得られると共に、電界集中が起こりやすい構造であるため、低電圧で大電流値を得られる。 (もっと読む)


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