【課題】従来のフレキシブル両面銅張積層板の製造方法では、銅箔が加熱ロールにより圧着される時間が短すぎるため、銅箔を効果的に再結晶化させ、銅箔の柔軟性を向上させることができないので、マイクロクラックやクラック等の欠陥が発生しやすい。
【解決手段】まず第１表面と第２表面とを有するフレキシブル絶縁基板を提供し、第１期間内に第１表面と第２表面との上にそれぞれ第１金属層と第２金属層とを形成し、第２期間内にそれらの金属層をアニール処理し、かつ第２期間は第１期間より長いフレキシブル基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】平滑な層間絶縁層上に高接着強度を有する導体層を形成することができ、レーザー加工性、スミア除去工程後のビア形状特性などに優れる多層プリント配線板用の接着フィルム、多層プリント配線板層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁層用樹脂組成物層（Ａ層）、熱硬化性樹脂組成物層（Ｂ層）および支持体フィルム（Ｃ層）からなる層が、Ｃ層、Ａ層、Ｂ層の順に層構成され、（１）Ａ層が、熱硬化性樹脂（ａ１）および比表面積が２０ｍ²／ｇ以上の無機充填材（ｂ１）を、熱硬化性樹脂（ａ１）と無機充填材（ｂ１）の質量比が３０：１〜２：１の範囲で含む樹脂組成物であり、（２）Ｂ層が、４０℃以下で固形であり、４０〜１４０℃で溶融する熱硬化性樹脂（ａ２）を含む樹脂組成物である多層プリント配線板用の接着フィルム、該接着フィルムを用いて作製された多層プリント配線板、及び該多層プリント配線板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ接続の信頼性および配線板としての機能性を保全した上で、低コストで製造が可能な部品内蔵配線板を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁層と、第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、第２の絶縁層に埋設された、端子パッドを有する半導体チップと、表層金めっきの接続ランドを含み、かつ該接続ランド上を除いては表層金めっきの形成されておらず、かつ接続ランド上を少なくとも除いて第２の絶縁層側の表面が粗化されている、第１の絶縁層と第２の絶縁層とに接触して挟設された配線パターンと、半導体チップの端子パッドと配線パターンの接続ランドとを電気的に導通させる接続部材と、接続部材をその内部に封止するように設けられた樹脂と、を具備し、配線パターンが、樹脂に接する表面においては粗化されていない。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化し、安価に形成することができる多層基板の製造方法及び多層基板を提供する。
【解決手段】第１基材２１に接着し、且つ、第１導体パターン３１のランド３４がビアホール２３から露出するように、第１基材２１の一面２１ａ上に、ビアホール２３を有した第２基材２２を形成する。次いで、熱プレスにより、金属箔２５を所定形状に打ち抜いて第２導体パターン３２を形成しつつ、第２導体パターン３２の一部を第２基材２２の一面２２ｂに熱圧着させて第２配線３５とし、第２導体パターン３２の残りをビアホール２３内に押し込み、押し込んだ一部をビアホール２３の傾斜面２３ａに沿いつつ該傾斜面２３ａに熱圧着させて層間接続部３６とし、押し込んだ残りの接続部３７をランド３４に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】配線幅（Ｌ）や配線間隔（Ｓ）がそれぞれ１５μｍ以下の超微細な銅配線回路を有するポリイミドフィルム基板においても、金属配線間の短絡や配線スペース部にニッケルの析出がなく、銅配線表面が均一にニッケルで被覆された超微細金属配線フィルム基板を得る手段を提供する。
【解決手段】微細な銅配線回路を有するポリイミドフィルム基板を脱脂・酸洗浄した後、パラジウムイオン（２価）に対してアンモニウムイオンを過剰に含むパラジウムアンミン錯塩水溶液に一定時間浸漬して銅配線表面をパラジウムで置換した後、基板を酸洗浄と純水シャワー洗浄で洗って余分に付着した錯塩水溶液を除去し、市販の無電解ニッケルめっき液でめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁性コア基板に薄い導体パターンと厚い導体パターンを段差ができることなく重ねて配置することができるとともに、薄い導体パターンと厚い導体パターンとを電気的に接続することができる配線板を提供する。
【解決手段】第二の導体パターン５２，５３に凹部８５，８６、貫通孔８０，８１が形成され、凹部８５，８６の絶縁性コア基板３０側の開口部と貫通孔８０，８１の絶縁性コア基板３０側の開口部とは互いに繋がるように形成されている。第一の導体パターン４１，４２が凹部８５，８６の開口部に延設され、はんだ９０，９１により第一の導体パターン４１，４２と第二の導体パターン５２，５３とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板製造等の電子工業分野や、塗装等の一般工業分野に用いる、銅及びまたは銅合金の表面の光沢性を維持したまま銅及びまたは銅合金の表面とレジン類等とを強固に密着させる表面処理液を提供する。
【解決手段】本発明は、（１）過酸化水素、（２）燐酸または燐酸および硫酸の混合物、（３）ベンゾトリアゾール類、（４）アミノテトラゾールおよび（５）塩化物イオンを含有する銅及びまたは銅合金の表面処理液である。 （もっと読む）

【課題】銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理を施した銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板において、銅箔回路エッチング後に液晶ポリマー樹脂表面上の粗化粒子残渣のない、銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板であって、当該銅箔は液晶ポリマーとの接着面に、銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層とが形成されており、該一次粒子層の平均粒子径が０．２５−０．４５μｍであり、該二次粒子層の平均粒子径が０．０５−０．２５μｍである銅張積層板。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上しつつコストを低減することのできる電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置１０は、合成樹脂からなる絶縁基材２０に配線２１が形成され、該配線２１として絶縁基材２０の一面２０ａに形成されたランド２１ａを有する基板１１と、ランド２１ａと電気的に接続された電子部品１２と、基板１１及び電子部品１２を収容する筐体１３と、を備える。そして、筐体１３として、金属材料を用いて形成されたケース３０を少なくとも有し、基板１１を構成する絶縁基材２０は、ケース３０をインサート部品として成形されている。 （もっと読む）

【課題】従来の高周波回路基板に比べて、さらに伝送遅延および伝送損失が充分に小さいフッ素樹脂基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面が粗面化処理およびプライマー処理されていない配線用の金属導体とフッ素樹脂を積層して積層体を作製する積層体作製工程と、積層体に１００ｐｐｍ以下の酸素濃度および前記フッ素樹脂の融点以上で前記フッ素樹脂の融点＋３０℃未満の温度の雰囲気下、電離性放射線を５０〜５００ｋＧｙの照射量で照射する電離性放射線照射工程と有している高周波回路基板の製造方法。金属導体およびフッ素樹脂を交互に積層して多層化した状態で電離性放射線を照射する高周波回路基板の製造方法。金属導体の表面粗さＲｚが、２．０μｍ以下である。フッ素樹脂が、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＴＦＥの１種または２種以上である。 （もっと読む）

【課題】配線回路導体の表面全体を確実に覆うバリア層を形成したプリント配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】1)絶縁ベース材の少なくとも片面に銅箔を有する銅張積層板を用意する工程、2)前記銅張積層板に対して、配線回路２ａを形成する工程、3)前記配線回路２ａの表面に第１の導電性バリア層４ａを形成する工程、4)前記第１の導電性バリア層４ａが形成された配線回路２ａ上に、絶縁層６を形成する工程、5)前記絶縁ベース材料の全部または一部を選択的にエッチング除去する工程、6)前記エッチング除去により露出した前記配線回路２ａの表面に、前記第1の導電性バリア層４ａと接続された第２の導電性バリア層４ｂを形成する工程、を含むプリント配線板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅イオンのマイグレーションが抑制され、配線間の絶縁信頼性に優れた成形回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】成形基板１２と表面上に配置された銅配線または銅合金配線１４を有する配線付き成形基板１０にめっき層１６を形成する工程、その表面を、１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む処理液に接触させ、アゾール化合物を含む膜１８を形成する工程、溶剤で洗浄し、銅イオン拡散抑制層２０を形成する工程、銅以外の金属のめっき層で被覆する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で，粗さが1.5μm以下，厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を；リブテン，ニッケル，クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし；剥離層の上に、Cu₂P₂O₇3H₂O；10〜60g/L，K₄P₂O₇：100〜400 g/L，PH＝6〜10，浴温10〜60⁰ Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm²でめっきして剥離層の保護膜を形成し、；更に銅濃度50〜100g/L，硫酸濃度90〜125g/L，浴温40〜70⁰ C，のめっき液を電流密度10〜50A/dm²でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 （もっと読む）

【課題】有機光電子デバイスで使用されるベース基板上に堆積された硬化ラッカー層上に電気回路及び機能的光構造を同時に形成する。
【解決手段】ベース基板上に硬化ラッカー層を形成する。その後、転写基板のあわせ面を硬化ラッカー層に接触させる。あわせ面は、第一部分上に電気回路及び第二部分上に機能的光構造のネガ像を含む。その後、あわせ面を硬化ラッカー層に接触させ、それによって、電気回路の少なくとも一部を硬化ラッカー層に埋め込み、硬化ラッカー層に機能的光構造を複製する。 （もっと読む）

【課題】
高周波特性に優れ、電子部品の実装信頼性が高いプリント配線板の製造に好適に用いられる金属張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】
シクロオレフィンポリマーと充填材とを含むワニスを繊維強化材に含浸してなり、レジンフローが０．１〜１％の範囲にあるプリプレグを提供する工程（１）、及び前記プリプレグの片面又は両面に金属箔を重ね、加熱加圧成形する工程（２）を有する金属張積層板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】セミアディティブ法により平滑な絶縁樹脂層の上に微細な配線層を密着性よく形成できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁樹脂層４０の上に、第１カップリング剤層１８に第１銅・錫合金層１６及び銅層１２が順に配置された積層体を得る工程と、銅層１２の上にシード層５２を形成する工程と、開口部３２ａが設けられためっきレジスト３２をシード層５２の上に形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト３２の開口部３２ａに金属めっき層５４を形成する工程と、めっきレジスト３２を除去する工程と、金属めっき層５４をマスクにしてシード層５２から第１銅・錫合金層１６までエッチングすることにより、第１カップリング剤層１８の上に第１配線層５０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド-金属張積層板が本来有する寸法安定性に加え、耐熱性に優れ、特に加熱加圧側の層間に生じるマイクロボイドを抑制した接着信頼性にも優れた金属張積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミド-金属張積層板において、金属箔と接するポリイミド層（i）のガラス転移温度が３００℃以上で、金属箔の粗化処理面が、（ａ）表面粗さ（Rz）０．５〜４μｍ、（ｂ）粗化処理面の表層部は多数の微細突起形状をとり、その一の突起物における根本部分の幅Ｌに対する突起高さＨの比で表されるアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が１．５〜５の範囲で、その突起高さが１〜３μｍの範囲である突起形状の割合が全突起形状の数に対して５０％以下、かつ（ｃ）突起物間の深さが０．５μｍ以上で、隣接突起物間距離が０．００１〜１μｍの範囲にある隙間の存在割合が、全突起形状数の５０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】 小ロット生産に適し、作業効率のよい金属箔の転写方法を提供する。
【解決手段】 Ｓ１にて、基体１０の表面に金属箔１２が形成され、金属箔１２の表面にホットメルト接着層１４が形成された積層体１６を準備する。Ｓ２にて、積層体１６のホットメルト接着層１４の表面に、硬化型インクによるパターンをダイレクトに印字し、硬化させ、硬化型インクの硬化物で構成されるマスク画像１８を形成して転写材２０を得る。Ｓ３にて、転写材２０のホットメルト接着層１４側を被転写材２２に重ね、熱プレスする。その後Ｓ４にて、被転写材２２から基体１０を引き離し、被転写材２２の表面にホットメルト接着層１４を介して金属箔１２をマスク画像１８のパターンとは逆パターンで転写する。 （もっと読む）

【課題】コア用の配線導体の厚みが局所的に不足して配線導体の導通抵抗が大きくなったり断線したりする事を抑制する事で微細配線を有する配線基板を安定して得る製造方法を提供する。
【解決手段】表面に傷や打痕による凹み部１１を有する状態で絶縁層１上に被着された導体層１０の凹み部１１のみをレジスト樹脂１２で被覆する第１の工程と、凹み部１１をレジスト樹脂１２で被覆した状態で凹み部１１以外の導体層１０を凹み部１１との段差が小さくなるようにエッチングして厚みを薄くする第２の工程と、レジスト樹脂１２を除去した後、導体層１０表面を機械的に研磨して平坦化する第３の工程と、導体層１０を所定パターンにエッチングして配線導体４を形成する第４の工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る配線基板２は、イミド基を有する樹脂を含む樹脂層１１と、該樹脂層１１に当接した、チタンを含む金属層１３とを備え、樹脂層１１は、金属層１３に当接した第１層領域１５と、該第１層領域１５よりも樹脂層１１の内部に位置する第２層領域１６とを有し、第１層領域１５は、炭素原子数に対する窒素原子数の比率が第２層領域１６よりも大きい。 （もっと読む）