【課題】酸化膜へ高アスペクト比のホール又はトレンチを形成する際にエッチングレートが低下するのを防止することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】開口部３９を有するシリコンからなるハードマスク膜３８を用いてウエハＷに形成された酸化膜３６をエッチングして該酸化膜３６に高アスペクト比のホール４６を形成する際に、Ｃ_４Ｆ_６ガス及びメタンガスを含む処理ガスから生成されたプラズマで開口部３９に対応する酸化膜３６をエッチングし、次いで、酸素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマで上記エッチングにおいて生成され且つ酸化膜３６のホール４６の内面に堆積した反応性生成物４５をアッシングし、上記エッチング及び上記アッシングをこの順で繰り返す。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができる判定方法、制御方法、判定装置、パターン形成システム及びプログラムを提供する。
【解決手段】基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】排気効率の低下を防止することができる粒子捕捉ユニットを提供する。
【解決手段】パーティクルＰが飛来する空間に晒されるパーティクルトラップユニット４０を構成する第１のトラップユニット４０ａは、複数の第１のステンレス鋼４４ａからなる第１のメッシュ状層４４と、複数の第２のステンレス鋼４５ａからなる第２のメッシュ状層４５とを備え、第１のステンレス鋼４４ａの太さは第２のステンレス鋼４５ａの太さよりも小さく、第１のメッシュ状層４４における第１のステンレス鋼４４ａの配置密度は第２のメッシュ状層４５における第２のステンレス鋼４５ａの配置密度よりも高く、第２のメッシュ状層４５は第１のメッシュ状層４４及びパーティクルＰが飛来する空間の間に介在し、第１のメッシュ状層４４及び第２のメッシュ状層４５は焼結によって焼き固められて互いに接合している。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、径が大きい第１穴部２１と、第１穴部２１より径が小さい第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第１穴部２１は被処理基板側の放射面３ａに開口し、電極板３の中央部に配置される通気孔１１の第２穴部２２の長さＢは、電極板３の外周部に配置される通気孔１１の第２穴部２２に比べて短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ、温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、基板の裏面と載置台の基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、圧力検出値が圧力設定値となるように伝熱ガスの供給を制御する基板温度制御方法であって、伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値以下の低圧力値とし、基板と載置台との熱交換を抑制して基板の温度制御を行う際に、圧力設定値を、低圧力値より高くかつ下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と、低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに少なくとも白金を含む層をエッチングすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成された白金マンガン層３７を所定のパターン形状を有するタンタル層３８を用いてエッチングする際、一酸化炭素ガス、水素ガス及びアルゴンガスを含む処理ガスを用い、該処理ガスにおける一酸化炭素ガス及び水素ガスの流量合計に対する水素ガスの流量比が５０％乃至７５％である。 （もっと読む）

【課題】ボーイングの発生を抑制し、側壁形状を垂直に維持しつつ高アスペクト比のコンタクトホールを形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体を提供する。
【解決手段】炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が第１の値である第１処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングにより、マスク層の残量と、ホールのボーイングＣＤとの相関関係を調べ、ボーイングＣＤの変化量が増大する変化点に相当するマスク層の残量を求める準備工程と、第１処理ガスを含む処理ガスを用い、マスク層の残量が変化点となるまでプラズマエッチングを行う第１プラズマエッチング工程と、第１プラズマエッチング工程の後に行う、第２プラズマエッチング工程とを具備し、第２プラズマエッチング工程は、少なくとも、第１の値よりＣ／Ｆが小さい第２処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングを行う期間を含む。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマエッチングにおいて、エッチングについて高い面内均一性が得られる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに形成された多層膜７の各々に対して面内均一性の高いエッチングを行うことができる適切なフォーカスリング３の温度を事前に把握して、設定温度として処理レシピ６４に反映すると共に、連続してエッチングされる各膜毎に、フォーカスリング３の温度をその設定温度を含む適切な温度域に収まるように加熱機構及び冷却機構を制御する。またフォーカスリング３の加熱機構としてレーザによる熱輻射を利用する。フォーカスリング３の冷却では、熱媒体であるヒータを介さずにフォーカスリング３の熱を支持台２に逃がすように構成し、加熱機構と冷却機構とを互いに独立させて切り分ける。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができ、かつ、オーバーエッチング工程におけるミニマムバーの急激な減少を抑制することのできるプラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】エッチストップ層上に形成された酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法であって、酸化シリコン膜をエッチングするメインエッチング工程と、メインエッチング工程の後、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程とを具備し、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程は、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_６ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第１エッチング工程と、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス、又は、Ｃ_３Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第２エッチング工程とを交互に複数回繰り返して行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０，２０２，２０４を内蔵している。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面３１に基板２が載置される。基板２は静電吸着用電極４０，２０４により基板載置面３１に静電吸着され、トレイ１５は静電吸着用電極２０２，２０４によりトレイ支持面２８に静電吸着される。冷媒循環装置６１により誘電体板２３が冷却される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で均一なプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部２と、一端がマイクロ波発生部２と接続された第１の導波管３と、第１の導波管３のマイクロ波発生部２と接続された側とは反対の側に接続された第２の導波管４と、を備えている。第２の導波管４は、円環状のスロット５が設けられたＨ面と、Ｈ面に対して垂直な方向に伸びるＥ面と、を有している。Ｈ面に対して垂直な方向における第１の導波管３の断面寸法Ｌｈ１と、第２の導波管４の断面寸法Ｌｈ２と、は、同じとされ、Ｅ面に対して垂直な方向における第２の導波管４の断面寸法は、第１の導波管３の断面寸法よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】基板を載置したときに基板の裏面に傷がつくことを防止する。
【解決手段】本発明にかかる基板載置台は，基材１１０と，基材上に形成され，基板Ｇが載置される誘電性材料層１２０と，誘電性材料層上に形成された複数の凸部１４２と，上部誘電性材料層上の周縁に，凸部１４２が形成される領域の周囲を囲むように形成された台部１２２とを備え，各凸部１４２は，基板Ｇとの接触部分である上部１４４を基板Ｇよりも低い硬度の材料で構成し，台部１２２の基板接触部分を構成する材料と，各凸部１４２の基板接触部分を構成する材料とを異なるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバーに、基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを備えたプラズマ処理装置であって、シャワーヘッドの対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔と、反対側の面側の排気孔と連通した排気空間内に、反対側の面と平行に配設された導電性材料からなる環状の板体と、板体を移動させて排気孔との距離を変更するための移動手段と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】基板を処理するためのプラズマ処理システムの処理の均一性を改善する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極１５２を備える。電極１５２は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が処理空間に露出するように処理チャンバー内に配設され接地電位を形成するための第一のグランド部材と、処理チャンバーの下方に形成された排気空間内に、第一のグランド部材と対向するように設けられ、導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が排気空間に露出する、接地電位を形成するための第二のグランド部材と、第一及び第二のグランド部材の間で上下動させ、第一及び第二のグランド部材のいずれかと接触させて、第一及び第二のグランド部材の接地状態を調整可能とされた接地棒とを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の基板が載置されている側の空間におけるプラズマ生成密度の均等化を図ることができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】高周波電極１２には孔１２１またはスリット１２２が設けられている。高周波電極１２はそのα倍（０．２５≦α≦０．７５）の半径αｒを有する同心円Ｃにより複数の範囲に区分されている。当該範囲のそれぞれにおける孔１２１またはスリット１２２の分布または配置態様が差別化されている。 （もっと読む）