【課題】薄膜加工を高精度に行うエッチング処理に好適なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は薄膜を有する試料の前記薄膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Ａｎｍ厚さの薄膜を４×Ａｎｍ／min未満の低エッチングレートでプラズマエッチングし、該プラズマエッチングは前記試料を載置する試料台に時間変調された間欠の高周波電力を印加してプラズマエッチングし、前記高周波電力の１周期での印加していない時間は、１周期での印加している時間より４倍〜１００倍長いことを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板の温度制御性がよく、基板全体において局所的に抜熱量が急変するような特異点の無い基板載置台を提供する。
【解決手段】
基板載置台表面に、熱伝達用ガスの流入口と流出口を設け、基板載置台表面と基板との間の閉空間を流路とする定常的なガス流を形成させ、この流路に各種の障害物を置くことによってガスの流れやすさ（コンダクタンス）を調整し、ガスの流入口と流出口との間に１０Ｔｏｒｒから４０Ｔｏｒｒの差圧を発生させる。ガスの熱伝達率が圧力に比例することから、この差圧により被処理基板の温度分布を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】上部電極の電極板の消耗にともなうエッチングレートの変動を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板Ｗが収容される処理容器１０と、処理容器１０内に配置された下部電極１６と、処理ガスをシャワー状に前記処理容器内に吐出する着脱可能な電極板３６を有する上部電極３４と、上部電極３４に処理ガスを供給するガス配管５４ａ，５４ｂを含むガス供給ユニット４８と、下部電極１６にプラズマ生成用の高周波電力を印加する高周波電力印加ユニット８８と、ガス配管５４ａ，５４ｂ内の圧力を検出する圧力計５８ａ，５８ｂと、圧力計５８ａ，５８ｂの検出値に基づいて電極板３６の消耗度を求め、その際の電極板３６の消耗による処理レートの変動を算出し、この処理レートの変動を解消するように処理条件を調整する制御部１００とを具備するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】実質的に一人で操作可能な、最適化された上部部材を備えたプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、基板を保持するように構成されたチャックを含む下部部材を有している。また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び冷却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。前記加熱及び冷却システムが、最適化された上部部材によって電磁場とは実質的に遮断され、該上部部材は実質的に一人で操作可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均熱性の良好なウェハ支持部を提供する。
【解決手段】ウェハ支持部材１０は、基体３と、絶縁体５と、基体と絶縁体とを接合する接合層９０とを具備したウェハ支持部材であって、接合層は、第１の層９１と該第１の層よりも絶縁体側に位置する第２の層９２とを有する複数の層の積層構造であり、第１の層と第２の層との熱伝導率が異なることから、ウエハを載置する面の均熱性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】エッチングプロセス中にウェーハの損傷を低減する方法を開示する。
【解決手段】多数の実施形態の一つにおいて、方法は、少なくとも一つのエッチングプロセスのそれぞれにバイアス電圧を割り当てるステップと、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を生成するステップとを含む。方法は、更に、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を静電チャックに印加するステップを含む。割り当てバイアス電圧レベルは、ウェーハアーク放電を低減する。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３の放電面３ａから厚さ方向途中まで形成された第１穴部１１ａと、放電面３ａとは反対面３ｂから第１穴部１１ａの軸芯ｃ１と平行な軸芯ｃ２に沿って厚さ方向途中まで形成された第２穴部１１ｂとが、互いに連通して形成される複数の通気孔１１を有するとともに、第１穴部１１ａと第２穴部１１ｂとの間に第１穴部１１ａの開口面積以下の開口面積を有するオリフィス２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置４１と、処理容器１２と、処理容器１２の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体窓１６と、誘電体窓１６の上方に配置されるスロットアンテナ板１７と、スロットアンテナ板１７の上方側に配置される誘電体部材１８と、スロットアンテナ板１７にマイクロ波を導入する導波部３２とを備える。ここで、マイクロ波発生装置４１は、搬送波を変調することによって所定の周波数帯域幅を有するマイクロ波を生成する変調装置６１を有する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの消耗を抑制し、フォーカスリングの交換周期を長く保つとともに、エッチング等の処理コストの低減を図ることのできるプラズマ処理装置用フォーカスリングを提供する。
【解決手段】電極板３と対向して設けられ、内周部にウエハ８の周縁部を載置するための凹状段部７１を有する第１リング部材７ａと、第１リング部材７ａの下面を支持する第２リング部材７ｂとで構成されており、第１リング部材７ａ又は第２リング部材７ｂの少なくとも一方に、凹状段部７１の外周縁よりも半径方向外方に位置する空洞部７５が、周方向に沿うリング状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理室の壁部との間において不必要な電界が生じるのを防止することができる電極構造を提供する。
【解決手段】電極構造としてのシャワーヘッド２２は、プラズマ処理装置のチャンバ１１内において、ウエハＷを載置するサセプタ１２と対向し、且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれ、また、シャワーヘッド２２は、サセプタ１２に載置されたウエハＷの中心部と対向する内側電極２５と、該内側電極２５と絶縁され且つ内側電極２５を囲う外側電極２６と、該外側電極２６と絶縁され且つ外側電極２６を囲う接地電極２７とを備え、内側電極２５及び外側電極２６には第２の高周波電源３２からそれぞれ高周波電力が印加され、接地電極２７は接地され且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハなどの被処理基板をプラズマ処理するに際し、周縁部下面におけるデポジションの発生をより少なくすることを目的としている。
【解決手段】処理チャンバー１０内に配置された載置台１１上に被処理基板Ｗを載置させ、高周波電圧を与えることにより処理チャンバー１０内にプラズマを発生させて、被処理基板Ｗを処理するに際し、載置台１１上に載置された被処理基板Ｗの周縁部下方に、プラズマで生成されたイオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に向けて加速させる電界を形成することにより、イオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に衝突させ、デポジションの発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】シール部材のプラズマによる劣化を防止できる絶縁部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内でサセプタとチャンバの底部平面とを絶縁する絶縁部材１４が、内側部材４１と、外側部材４２と、その間に配置されたＯリング４３とを有し、外側部材４２は矩形のサセプタ１２の各辺に対応する長尺状物４４〜４７の組合せ体からなり、各長尺状物の一端の端面が隣接する他の長尺状物の一端の側面に当接し、他端の側面が別の長尺状物の一端の端面に当接するように組合せられ、各長尺状物の一端が固定用のねじ孔４８を介してチャンバ１１の底部平面５１に固定され、他端が支持用のねじ孔４９を介して変位自在に支持されて配列されている。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の周縁部の温度上昇を抑制することによってプラズマ処理の面内均一性を向上させることができ、均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理チャンバー内から排気するための排気機構と、処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、載置台の温度を調節する温調機構と、載置台の上面に配設され、フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックとを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】放電開始直後に基板に位置ずれが発生しても，それを早期に検出して直ぐに処理を中止することで，異常放電による載置台の損傷を極力防止する。
【解決手段】伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると，処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し，基板保持面上の被処理基板上に処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップとを有し，上記放電ステップにおいて，流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け，各判定ポイントごとに閾値を設定することによって，伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行う。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの裏面側空間における異常放電等のプラズマ処理に悪影響を与える現象の発生を抑制することができ、良好なプラズマ処理を安定的に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー１０内に設けられ、基板載置台を兼ねた下部電極２１と、ガスを供給するシャワーヘッドとしての機能を備え、かつ、上下動可能とされた上部電極１３と、上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体１２と、上部電極と蓋体との間の空間を閉塞するように配設され、内側に外側と隔離された隔離空間を形成するとともに、内部に気体を導入・排出するための導入・排出口を有し、上部電極の上下動に応じて隔離空間の容積を変動可能とされた隔離空間形成部材３１と、隔離空間形成部材の隔離空間に気体を供給、及び排出する気体供給排出機構３４を具備している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）