【課題】安定及び／または均一表面波プラズマソースを提供すること。
【解決手段】表面波プラズマ（ｓｕｒｆａｃｅ ｗａｖｅ ｐｌａｓｍａ、ＳＷＰ）ソースが提示される。表面波プラズマソースはプラズマに隣接する電磁気（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ、ＥＭ）波放射部のプラズマ表面上に表面波を発生させて電磁気エネルギを所望する電磁波モードで前記プラズマに結合させるように構成される。電磁波放射部は複数のスロットを備えたスロットアンテナを含む。表面プラズマ（ＳＷＰ）ソースは前記プラズマ表面に形成される第１リセス配列をさらに含み、前記第１リセス配列は実質的に前記複数のスロットの第１スロット配列に合わせて整列され、前記プラズマ表面に形成される第２リセス配列は前記複数のスロットの第２スロット配列に部分的に合わせて整列されるか、前記複数のスロットの第２スロット配列に合わせて整列されない。 （もっと読む）

【課題】真空容器内及び処理ガス供給配管内の残留ガスを確実に除去することにより、次の工程への悪影響と混合させてはならないガス同士の混合を防止し、加工精度と信頼性の高いプラズマ処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器内部の処理室内部を減圧する排気手段と、前記処理室内に処理用ガスを供給する供給口とを有し、前記処理用ガスを用いて前記処理室内に形成したプラズマにより、この処理室内に保持されたウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記処理用ガスの供給を停止後、前記供給口に連通した供給用配管内を排気した後に前記処理用ガスの供給を再開する。 （もっと読む）

堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
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【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】
反応容器内に被処理基材を保持し、その容器内に導入した有機金属化合物のガスから炭化水素系ガスプラズマを発生させることにより、１５〜４０ａｔ％の水素を含有するアモルファス状炭素・水素固形物の微粒子を気相析出させると同時に金属の超微粒子を共析させて、金属粒子含有アモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を形成し、その後、この膜を酸化処理して金属酸化物部粒子を生成させることを特徴とする半導体加工装置用部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、従来より低い消費電力で温度を上昇させることができ、かつ均一な温度分布を有する半導体製造装置用部品、特にその表面の温度差が１０℃以下である半導体製造装置用部品を提供することを課題とする。
【解決手段】 この半導体製造装置用部品は、加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも３００μｍの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良された堆積シールドを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムの処理空間１２を包囲するための改良された堆積シールド１４は、内面８２、外面８４、上端面８６、及び下端面８８を有する円筒体を具備する。下端面８８は端部リップ面１２０を具備する。堆積シールド１４の複数の露出面１４５に保護バリア１５０が結合される。露出面１４５は、内面８２、上端面８６、及び端部リップ面１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減するとともに、高精度にマスクの位置を決めるマスク位置合わせ機構及びこのようなマスク位置合わせ機構を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】マスク位置合わせ機構は、基板搬送の際に上下動可能、且つ４つのテーパピンが形成された基板ホルダ７と、それぞれのテーパピンを挿入可能な溝３７が形成されたマスク３１を有して構成されており、テーパピンは、基板を挟んで対峙して配設された長いテーパピン３５ａと短いテーパピン３５ｂの一対ずつからなり、長いテーパピンと短いテーパピンにそれぞれ形成されているテーパ面は異なる高さに位置している。 （もっと読む）

【課題】 プラズマがガス噴出孔を通じて電極のさらに内部に入り込み、電極支持部材をスパッタすることによる金属汚染を防止し、かつ寿命の長い電極を提供すること。
【解決手段】 本発明の電極は、一以上のガス通路孔２３ａを有する上部板２２ａと、一以上のガス噴出孔２３ｂを有する下部板２２ｂとを有し、かつ上部板２２ａと下部板２２ｂを上下に分割可能な構成とすると共に、上部板２２ａのガス通路孔２３ａ及び下部板２２ｂのガス噴出孔２３ｂの一方又は両方を、その一部又は全部を電極面２２ｓに対して斜めに設けるか、又はその一部を電極面２２ｓに対して平行に設ける。 （もっと読む）

【課題】多孔構造の透過窓と透過窓に付着するプラズマエッチング処理にともなう窓への付着物間に生じる熱応力を低減し被処理基板上に発生する微細粒径異物の発生を低減する。
【解決手段】被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。また、多孔構造の透過窓１０８にイットリアを主成分とする部材を用いることにより、装置構成部材の温度上昇を招いたとしても、前記多孔構造の透過窓と前記透過窓に付着したエッチング反応生成物の線膨張係数をほぼ一致させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるプラズマ処理の均一性を向上させる。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１において、処理容器２に収納された基板Ｗの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器２に収納された基板Ｗの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。本発明によれば、基板Ｗの中心部と周辺部のエッチングレートＥＲ等のばらつきを小さくできる。このため、基板Ｗ表面におけるプラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。この透過型電極体は、放電形成用電磁波にとっては誘電体（電気的絶縁体）のように振る舞い、RFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞う特性を有している。 （もっと読む）

【課題】所望のウエハ温度分布を実現できるウエハ載置用電極を低コストで提供する。
【解決手段】真空容器、該容器内に処理ガスを導入する処理ガスの導入路、導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理容器内に配置した試料台上に試料を載置し、載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、金属製の本体１と、該本体内に形成した少なくとも２つの流路４Ａ，４Ｂを備え、前記２つの流路の断面形状は相互に相違する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型プラズマ装置において、比較的狭い空間に総ターン数の多い並列コイルを設置できるようにする。
【解決手段】被処理物をプラズマ処理する処理室と、該処理室へプラズマ処理用のガスを導入する導入手段と、該処理室内を排気する排気手段と、被処理物を載置する試料台と、プラズマを発生させるための電力供給手段と、電力給手段と接続される少なくとも一つの誘導コイルを備えたプラズマ処理装置において、誘導コイルが、２以上の同一形状のコイル要素１０１を回路的に並列に接続して構成されるとともに、その中心が被処理物の中心と一致するように配置され、各コイル要素１０１の入力端１０１ｉｎが３６０°をコイル要素１０１の数で割った角度おきに配置され、かつコイル要素が径方向と高さ方向に立体的な構造を持つ。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】高電圧の高周波を基板載置電極に印加し堆積性の強い処理条件を用いて基板を処理するエッチング装置において、基板載置電極のエッジの堆積物の除去の効率を上げる。
【解決手段】本発明は真空処理容器内に被処理基板を載置し、高周波電力を印可する手段を備えた下部電極と、下部電極と対向する位置に配置され、高周波電力を印可する手段を備えた上部電極と、プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入機構と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気機構とを有するプラズマエッチング装置において、下部電極の外側の電極エッジ部に導体線路を形成し、プラズマクリーニング時に、この導体線路に電力供給を行い、電極エッジ部を加熱することによりプラズマクリーニングの効率化を図る。 （もっと読む）

【課題】加工用基板の表裏両面を同時に表面加工できようにし、生産効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。そして、半導体基板Ｗの表面Ｗｂ及び裏面Ｗａに形成したレジスト膜を同時に、プラズマにてアッシング処理する。 （もっと読む）

【課題】リングの材料がシリコンであることから、半導体ウエハーと同様にリングもエッチングされてしまう。このため、被エッチング面積が増加してエッチングレートが低下してしまうという問題があった。
【解決手段】処理室内にウエハーＷＦが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦにエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、ウエハーＷＦを取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リング１１０と、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リング１２０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】処理室の内部の汚染を抑制して、エッチングの均一性を可及的に高める。
【解決手段】被エッチング材２が設けられた被処理基板３を収容するための処理室３０と、処理室３０の内部に設けられ、被処理基板３を表面に保持するための基板保持部１０ａとを備え、処理室３０の内部のプラズマＰから生成したエッチング種Ｅにより被エッチング材２をエッチングするドライエッチング装置５０ａであって、基板保持部１０ａの被処理基板３を保持する領域の周囲に、被エッチング材２と同材質により構成され、エッチング種Ｅを消費するための周囲部材９ａが設けられている。 （もっと読む）