【課題】ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング用のトレー１を、基体２と、この基体の一つの面２ａに位置する被エッチング体嵌合用の凹部３と、この凹部３の周囲の面２ａである開口面積率調整面４と、この開口面積率調整面４を０〜１００％の範囲で被覆する開口面積率調整層５と、を備えたものとし、基体２と開口面積率調整層５は、一方をドライエッチング可能な材質とし、他方をドライエッチングされない材質とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリ、および半導体基板処理室内のシャワーヘッド電極を支持するための熱制御板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出する。
【解決手段】処理室１０２の天井壁１０５に下部電極１１１に対向して昇降自在に設けられ，処理ガスを導入する多数の吹出孔１２３を設けた上部電極１２０と，各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁３１０と，シールド側壁の内側に設けられ，処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路３３０と，シールド側壁の外側に設けられ，上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路１３８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。透過型電極体は、透過型電極層を少なくとも構成要素の一部としており。透過型電極層には、細長形状のスロット開口領域が稠密に形成されている。この透過型電極体はRFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞い、プラズマ特性およびプラズマ処理特性の高安定化、高信頼性化を実現する。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】支持機構の設置空間を極小化することで処理装置全体の小形化に貢献し、また、搬送アームとの間の移載時に起こる被処理体の位置ずれを格段に低減することができる被処理体の支持機構及び支持方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗと接触してこれを支持するリフトピン３８と、リフトピン３８を昇降させるモータ１００と、モータ１００を駆動する駆動制御装置２００と、からなるユニットをＮ組（Ｎは少なくとも３以上の整数）備え、駆動制御装置２００が、Ｎ組のそれぞれのリフトピン３８の先端から、搬送アーム１４に載置された被処理体Ｗまでの距離あるいは搬送アーム１４の被処理体Ｗの載置面までの距離、がすべて同じになるようにＮ組のモータ１００のそれぞれを独立して駆動してから被処理体Ｗを授受する。 （もっと読む）

【課題】電極板に生じる温度差を小さくして、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極板３は、複数の電極構成板が積層されるとともに、これら電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板であって、隣り合う両電極構成板３ａ，３ｂの少なくとも一方の積層面に、ガス通過孔１１を避けて溝状の空隙部３２が設けられており、この空隙部３２の一端部に冷媒を供給する供給口３３が備えられ、他端部に冷媒を排出する排出口３４を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】移動電極と筒状容器の一方の端壁の間の空間におけるプラズマの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する筒状のチャンバ１１と、該チャンバ１１内においてチャンバ１１の中心軸に沿って移動自在なシャワーヘッド２３と、チャンバ１１内においてシャワーヘッド２３に対向するサセプタ１２と、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４を接続する伸縮自在なベローズ３１とを備え、シャワーヘッド２３及びサセプタ１２の間に存在する処理空間ＰＳに高周波電力が印加されるとともに処理ガスが導入され、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の側壁１３は非接触であり、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４又は側壁１３とを電気的に接続するバイパス部材３５が配設される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で作業性良く付け外しが可能であり、大型の機器であっても作業性良く真空容器内部に導入することができる真空シール構造、真空シール方法および真空装置を提供する。
【解決手段】真空容器の一部１１の開口部１１ａに設けられた段差部１２と、段差部１２に並置されていて側端面に隙間２０を有する複数のフランジ３０と、隙間２０に沿って形成されていて真空容器の一部１１の大気側の面と複数のフランジ３０の大気側の面および複数のフランジ３０の大気側の面同士からなる真空シール面２１を覆う弾性部材４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理の結果得られる形状の変動の少ないプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置された処理室と、この処理室の下部に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と、前記試料台の上方に配置されて前記処理室に処理用ガスを導入する導入孔とを備え、前記ウエハの上面に配置された膜構造を前記処理用ガスを用いて形成したプラズマによりエッチング処理するプラズマ処理装置であって、前記膜構造が基板上にレジスト膜とマスク膜とポリシリコン膜と絶縁膜とを有して構成されたものであって、前記ウエハを前記試料台上に載せて前記マスク膜の下方に配置されたポリシリコン膜をエッチングする前に前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内部の部材の表面にＳｉを成分として含む皮膜を被覆する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】均質素材の電極及び被駆動体を用いてプラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】減圧可能な処理容器１００内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによってウエハＷに所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置は、複数の細孔Ａが形成された誘電体の基材１０５ａと、複数の細孔Ａに出し入れ可能な複数の棒状部材Ｂを含む被駆動体としての可変機構２００と、可変機構２００を駆動することにより、複数の細孔Ａに複数の棒状部材Ｂを出し入れさせる駆動機構２１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下層に位置する有機系の反射防止膜と、反射防止膜の下層に位置するＳｉＯＮ膜と、ＳｉＯＮ膜の下層に位置するアモルファスカーボン層と、により多層マスクを構成し、アモルファスカーボン層の下層に位置するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を最終的なマスクとなるアモルファスカーボン層のパターンによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のプラズマエッチングを開始する際の初期マスクが、アモルファスカーボン層の上にＳｉＯＮ膜が残った状態であり、かつ、アモルファスカーボン層の膜厚／残ったＳｉＯＮ膜の膜厚≦１４である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】供給管からの反応ガスを吹出方向と交差する方向に均一に分布させて吹き出す表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】ノズル本体１０の耐反応ガス材料製の部材１２内に導入流路２０を形成し、その両端に反応ガスの供給管３をそれぞれ連ねる。複数の分岐流路２１を導入通路２０から吹出方向の先端側に延ばし拡散室２２に連ねる。拡散室２２内に整流板３０を設け、拡散室２２を整流板３０より基端側の室部２３と先端側の室部２５とに仕切る。整流板３０の両側の連通路２４にて室部２３，２５を連通する。好ましくは、支持部材４０にて整流板３０を支持し、室部２３内にスペーサ５０を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に適した膜厚の伝熱シートを有するフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置において、フォーカスリング２５は、冷媒室を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、サセプタ１２と接触するサセプタ接触面４０と、該サセプタ接触面４０に形成された伝熱シート３８とを備え、伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、伝熱シート３８の膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】アンテナおよびプラズマ間の容量結合を大幅に低減する結合窓構成及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】絶縁材料から形成される第１の層５０４と、第１の層５０４に接続された第２の層５０６であって、プロセス中においてプロセスチャンバ内に存在するプラズマに対して実質的に抵抗となる材料から形成され、前記プロセスチャンバの内周面の一部を形成する前記第２の層５０６と、を備え、第１の層５０４および第２の層５０６は、アンテナから前記プロセスチャンバ内部へのＲＦエネルギの通過を許容するように構成されていることとを備え、第２の層５０６は、導電材料から形成され、電気的に浮動するように構成されている結合窓構成５００である。結合窓構成５００のイオン衝突は低減され微粒子汚染が低減される、また高密度のプラズマとなる。 （もっと読む）

【課題】平行平板型ドライエッチング装置において被処理基板上におけるプラズマ密度の分布特性を向上させること。
【解決手段】 このドライエッチング装置では、上部電極１８の周囲で環状突出部材５０が上部電極１８に対して被処理基板Ｗを載置する下部電極２０側へ突出して段差ｄを形成することで、上部電極１８の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。この電界の補強ひいてはプラズマ密度の増強の度合いは、環状突出部材５０の突出量ｄを変えることで可変調整できる。 （もっと読む）

【課題】化学処理チャンバ及び／又は熱処理チャンバを保護するシステムを提供する。
【解決手段】内表面の少なくとも一部分上に形成された保護バリアを有する温度制御された化学処理チャンバを備え、基材上の露出表面層を非プラズマ環境の下で化学的に変化させる化学処理システムと；温度制御された熱処理チャンバを備え、化学変化された基材上の前記表面層を熱処理する熱処理システムと；前記熱処理システムおよび前記化学処理システムに接続された断熱組立体と；を備える処理システムにより上記課題が達成される。 （もっと読む）