【課題】効率的に微粒子を捕集することが可能な捕集装置を提供する。また、微粒子を効率よく回収することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する微粒子捕集装置である。なお、光ファイバ、撮像部、及び電極針は被覆材に覆われている。また、電極及び微粒子捕集装置の一部を有する処理室と、処理室に接続される電源装置、ガス供給源及び排気装置とを有し、微粒子捕集装置は、光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性の高いイットリアを含む材料でコーティング膜を形成した場合でも、イットリア粒子の脱粒やクラックなどによるコーティング膜の劣化を抑えることができる保護膜を提供する。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、ガス供給部材４１は、第１の径を有するガス流路４２１と、ガス流路４２１の一方の端部に接続され、ガス供給部材４１のガス流の下流側の面４１Ａに設けられる吐出口４２２と、を有するガス供給路４２を備える。吐出口４２２を構成する面の少なくとも一部の面は曲面によって構成される。また、吐出口４２２を構成する面上と、ガス供給部材４１の下流側の面４１Ａ上とにイットリア含有膜５０を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマに長期間曝されても、保護対象から剥がれ難いプラズマ耐性の高い保護膜を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜５０において、構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜５１と、凹凸構造を覆うように下地膜５１上に形成されるプラズマ保護膜５３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】皮膜の欠けによるパーティクルの発生を防止することができる基板処理装置用のガス導入装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板３５と、電極板を冷却するクーリングプレート３６と、ガスが導入される上部電極体３７とがこの順序で下側から順に重畳されたガス導入装置において、クーリングプレート３６として、主成分がＪＩＳ規格のＡ６０６１合金を基材に用いて、この基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって皮膜を形成し、この皮膜に対して沸騰水中に５分〜１０分間浸漬する半封孔処理を施したものを用いる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】パーティクル汚染の低減したプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルが低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷のない水素を用いて、太陽電池用のシリコン系基板表面にテクスチャーを広い面積に形成できるシリコン系基板表面粗面化処理方法およびその装置を提供する。
【解決手段】粗面化処理装置１０を用い、シリコン系基板Ｗを処理室１に載置する基板供給工程と、処理室１を真空ポンプ１６により減圧する減圧工程と、減圧した状態を保持しながら処理室１にプラズマ化工程を行って生成した水素活性種Ｈ^*をプラズマ発生室２から供給してこの水素活性種Ｈ^*でシリコン系基板Ｗをエッチングするプラズマ供給工程と、を行って、シリコン系基板Ｗの表面に凹凸構造を形成する。前記プラズマ化工程は、マスフローコントローラ２１により水素Ｈ₂をプラズマ発生室２に供給しながら、プラズマ源３によりプラズマ発生室２に高周波電力を印加することで水素Ｈ₂をプラズマ化する。 （もっと読む）

【課題】平板スロットアンテナの電磁波放射特性の均一性に影響を与えずに波長領域の広いモニタ光を用いて処理容器内の被処理基板の表面に対する光学的なモニタリングを高精度に行う。
【解決手段】このマイクロ波プラズマエッチング装置における光学モニタ装置１００は、サセプタ１２上に載置される半導体ウエハＷのエッジよりも半径方向内側にあって、かつ同軸管６６よりも半径方向外側の位置で、冷却ジャケット板７２の上に配置されるモニタヘッド１０２と、このモニタヘッド１０２から鉛直下方にカバープレート７２、誘電体板５６、スロット板５４および誘電体窓５２を縦断して設けられるモニタリング用の光導波路１０４と、光ファイバ１０６を介してモニタヘッド１０２と光学的に結合されるモニタ本体１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマに曝されてもパーティクルを発生しにくく且つリサイクル可能な耐プラズマ部材を提供する。
【解決手段】所定の表面形状を有してプラズマエッチングチャンバ内で使用される耐プラズマ部材であって、ＣＶＤ法により形成されると共にプラズマエッチング処理に曝されて表面が腐食した第１のＳｉＣ層１２と、前記第１のＳｉＣ層１２の腐食した表面上にＣＶＤ法により積層されると共に表面が前記所定の表面形状を有するように機械加工された第２のＳｉＣ層１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができ、処理室内のプラズマ密度を均一化して基板に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷに所定のプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、ウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられた上部電極板３０ａと、サセプタ１２及び上部電極３０ａの一方に高周波電力を印加して処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源２０と、処理空間Ｓに対向する内壁構成部材と、を有し、処理空間Ｓの周辺部に対向する上部電極３０ａにホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられ、ホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられた上部電極３０ａはシース電圧調整用の直流電源３７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】イットリア系の皮膜で被覆された部材であって、主に、半導体や液晶製造用等のプラズマ処理装置部材として用いることができ、表面が緻密で滑らかであり、プラズマ処理時にパーティクルや金属不純物の発生によって被処理品を汚染することがなく、かつ、耐久性に優れた耐食性部材を提供する。
【解決手段】セラミックス又は金属からなる基材の少なくともプラズマ又は腐食性ガスに曝される部位の表面に、イットリア系耐食膜が形成された耐食性部材において、前記耐食膜の少なくとも表面層を、イットリアを主成分とし、他は五酸化タンタル又は五酸化ニオブのいずれか１種以上を前記イットリア１００ｍｏｌ％に対して０．０２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有している組成とする。 （もっと読む）

【課題】微細な加工処理に有効な中密度プラズマ領域での高い制御性とウエハの大口径化に対応した均一性とを両立できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空排気手段により排気された真空処理室と、真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、前記真空処理室に備えられた誘電体製のマイクロ波透過窓と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、真空容器に磁場を発生させるためのソレノイドコイルとヨークとを備えたプラズマ処理装置において、前記した誘電体製マイクロ波透過窓の中央部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の概略１／４突出させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエハのエッチング不良を防止して半導体集積回路の生産歩留、使用開始直後のシリコンウエハの金属汚染を大幅に低減できるプラズマエッチング電極を提供する。
【解決手段】 シリコンウエハ表面へのＦｅ汚染量が１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２〜１０×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極。プラズマエッチング電極の厚さが３〜１０ｍｍであると好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位変動を抑制するべく直流電流に対する導電性、及びプラズマの励起に必要な高周波電力を透過させることができる容量性を有し、試料が金属汚染される虞がなく、かつプラズマ耐食性を有する高周波透過材料を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の繊維状炭素を酸化イットリウム中に分散した複合材料からなる高周波透過材料であり、この繊維状炭素を、この繊維状炭素及び酸化イットリウムの合計量に対して１体積％以上かつ１０体積％以下含有しており、直流電圧印加時の体積固有抵抗値は３０Ω・ｃｍ以下、かつ１０ＭＨｚ以上の高周波帯域におけるインピーダンス角はマイナス（−）である。 （もっと読む）

【課題】隔壁カバー部の交換時期を知るために発生するドライエッチング装置のダウンタイムを短縮し、隔壁カバー部が破損して落下する危険を低減することが可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板１４が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間１６を形成し、処理空間１６と外部とを連通する開口２０が設けられた処理容器１８と、全部又は一部が誘電体で構成されており、処理容器１８に着脱自在であって、処理容器１８に取り付けた場合に開口２０を塞ぐ隔壁２２と、隔壁２２が有する誘電体を介して処理空間１６に導入され、プロセスガスをプラズマ化する電磁波を生成するコイル２４とを備えるドライエッチング装置であって、隔壁２２は、誘電体で全体又は一部が構成される平板状の隔壁本体部３６と、隔壁本体部３６が有する誘電体の処理空間側の面を覆う誘電体で全体又は一部が構成される平板状の隔壁カバー部３８とを有し、隔壁カバー部３８が有する誘電体は、有底孔又は溝を有する。 （もっと読む）

【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体１１０の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 （もっと読む）

【課題】高電力供給時の高温環境下でも破損しない電力導入端子およびそれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー１の壁を貫通する端子導入孔１ｂに気密に固定される一端部１１ａ₁および貫通孔１１ａ₃を有する碍子１１ａと、碍子１１ａの他端部１１ａ₂に配置される貫通孔を有する蓋体１１ｂと、碍子１１ａの貫通孔１１ａ₃と蓋体１１ｂの貫通孔に挿通される一端および一端の蓋体近傍部分に形成された雄ネジ部１１ｃ₁を有する棒状導電体１１ｃと、棒状導電体１１ｃの雄ネジ部１１ｃ₁に螺着される雌ネジ部を有する締結部材１１ｄと、蓋体１１ｂと締結部材１１ｄとの間に圧接して配置される緩衝部材１１ｅとを備えた電力導入端子。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。
【解決手段】誘電体窓の外側に配設された高周波アンテナに高周波電力を印加して処理空間に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、誘電体窓は、処理空間と高周波アンテナとの間に介在するように配設され誘電体からなる窓部材と、窓部材を支持するための梁部材と、窓部材の処理空間側の面、及び、梁部材の処理空間側の面を覆いプラズマから保護する誘電体保護カバーと、少なくとも、梁部材と誘電体保護カバーとの間に設けられ、保護カバーの誘電率よりも低い誘電率を有する材料で形成された低誘電率誘電体層とを具備している。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及び工程内において温度ドリフトの少ない安定した基板温度を得ることが可能なプラズマ処理チャンバに使用するアセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに使用する基板サポートアセンブリ４４０は、その部品に相当するサポートリング４３０と、熱源に相当するエッジリング４１０と、それらの間のポリマ複合材４２０により構成されており、ポリマ複合材４２０は多工程エッチングプロセスの間、部品の温度を高温又は低温に維持するために、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で相転移を示す温度誘発相変化ポリマを使用する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内壁表面に発生する自己バイアスを抑制することにより、真空処理室内壁表面の削れあるいは真空処理室内パーツの消耗を抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は真空処理室と、前記真空処理室の上部を閉塞する真空処理室蓋と、誘導アンテナと、前記誘導アンテナと前記真空処理室蓋との間に設置されたファラデーシールドと、前記誘導アンテナに高周波電力を印加する高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記誘導アンテナは、２つ以上に分割され、前記ファラデーシールドは、前記誘導アンテナの分割数に応じた分割数で分割され、また、一つの前記高周波電源から整合器を介して、高周波電圧を印加されることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）