【課題】プラズマ処理の繰り返しに伴うトレイの削れに起因する基板の位置ずれを防止することでトレイの長寿命化を図り、それによってプラズマ処理装置の運用コストを低減する。
【解決手段】トレイ１１のトレイ本体４１には基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆが厚み方向に関するように設けられている。基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆの孔壁４２ａから突出する基板支持部４４に基板１２が支持される。トレイ本体４１の上面４２ａには基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆの周囲で突出する突起４５が設けられている。ドライエッチング処理の繰り返しでトレイ本体４１の上面４１ａの削れが進行しても、基板２は突起４５で規正されることで位置ずれを生じることなく基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆに収容された状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制でき、且つカバーを容易に着脱できるようにするとともに、ガス導入の設計自由度を高め得るカバー固定具を提供する。
【解決手段】誘電体カバー固定具１８は、第１の部分カバー１２Ａの一部及び第２の部分カバー１２Ｂの一部をそれぞれ支持する支持部１８ａと、基部１８ｂとを備えている。基部１８ｂの上部は、円筒状に突出した凸部１８ｂ１を有しており、この凸部１８ｂ１の周囲にはねじ山１８ｂ２が形成されている。基部１８ｂにおける凸部１８ｂ１の内部には、ガス導入路２１ｂに接続するガス導入路１０１が形成されている。ガス導入路１０１は、ガス流路の一部分を構成し、ガス導入路２１ｂと処理室５の内部とを連通させる。ガス孔１０１ａは基部１８ｂの底壁を貫通して設けられており、ガス導入路１０１の一部分を構成する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを精度良く均一に、かつ、高選択比で形成することのできる半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に混合ガスからなる処理ガスを供給し、かつ複数種のガスのうち少なくとも１種のガスの流量を第１の時間中第１の流量とする第１工程と、第２の時間中前記第１の流量とは異なる流量の第２流量とする第２工程とからなる１サイクルの工程を、プラズマを途中で消すことなく連続的に少なくとも３回以上繰り返して行い、第１の時間及び第２の時間は、１秒以上１５秒以下、第１工程における処理ガスの総流量と、第２工程における前記処理ガスの総流量は、同一若しくは異なる場合は、総流量の差が多い方の総流量の１０％以下であり、第１工程と第２工程のいずれにおいても被エッチング膜のエッチングを進行させるガスを処理ガス中に含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】２５０℃以上の高温の使用環境においてもパーティクルの飛散が少ない表面処理セラミックス部材の提供
【解決手段】 気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、セラミックス焼結体基材表面の凹部が酸化物皮膜によって選択的に被覆されている表面処理セラミックス部材。 （もっと読む）

本明細書において説明されるのは、一実施形態において、ガス分配シャワーヘッドアセンブリを製作するための例示的な方法及び装置である。一実施形態において、この方法は、半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための第１のセットの貫通孔を有するガス分配プレートを提供することを含む。この第1のセットの貫通孔は、プレート（例えば、アルミニウムの基板）の背面上に位置する。この方法は、ガス分配プレートの洗浄された表面上にコーティング材料（例えば、イットリアベースの材料）を噴霧（例えば、プラズマ噴霧）することを含む。この方法は、コーティング材料の厚さを低減するために、表面からコーティング材料の一部分を除去（例えば、表面研削）することを含む。この方法は、コーティング材料内に第２のセットの貫通孔を形成（例えば、ＵＶレーザー穿孔、加工）し、この第２のセットの貫通孔は第１のセットの貫通孔に合わせて配置されるようにすることを含む。
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【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス圧が高圧であっても、基板温度の面内分布を均一化できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の静電チャック２１は基板２が載置される基板載置部２７Ａ〜２７Ｆを備える。基板載置部２７Ａ〜２７Ｆの上端部２７ａは、外周縁に沿って設けられた上向きに突出する環状突出部４１を備える。環状突出部４１に囲まれた凹部４３には多数の柱状突起４７，４８が設けられている。基板２の下面２ａは環状突出部４１と柱状突起４７，４８の上端面に直接接触して支持される。凹部４３内には供給孔２９から伝熱ガスが充填される。凹部４３は、伝熱ガスのガス圧分布の均一性のために深さを深く設定した内側領域４５と、基板２の最外周縁付近の下面と環状突出部４１の上端面（基板載置面）４１ａを通る凹部４３からの伝熱ガスの漏洩の均一化のために内側領域４５よりも深さを浅く設定した外側領域４６とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の停止時間を短縮して生産効率を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部を処理対象ウエハが搬送される搬送容器と、この搬送容器の側壁に連結されその内部に前記ウエハが配置される試料台を有した処理室を備えた真空容器と、この真空容器の上部であって回転して開閉される蓋部材と、前記真空容器内部に配置され前記処理室の内壁を構成する内側チャンバー部材と、前記真空容器の側壁に連結され前記内側チャンバー部材と連結されてこれを持ち上げて保持する治具とを備え、この治具は上下方向の軸及び水平方向の軸を有した第一の関節部と、この関節部の各軸周りに回動されると共にその長さが伸縮可能な腕部と、この腕部の先端部に配置されて前記連結された内側チャンバー部材がその水平方向の軸周りに回転可能な第二の関節部とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性の優れた樹脂組成物を部材に印刷塗布し、硬化させることにより、放熱特性に優れた放熱部材と製造方法を提供する。
【解決手段】ポリオルガノシロキサン４０〜７５体積％、最大粒子径が８０μｍ以下の無機充填材２５〜６０体積％を含有し、粘度が５００〜５００００ｍＰａ・ｓである樹脂組成物を部材に印刷塗布し、前記樹脂組成物を該部材上で硬化させた放熱部材。ポリオルガノシロキサンの平均分子量が１００００以上５００００以下であることが好ましい。無機充填材がアルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、銀、銅、アルミニウム、カーボン、ダイヤモンド、酸化亜鉛、マグネシア、水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムからなる群より選ばれた１種以上を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効率が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理物（６）をプラズマ室（３３ｂ）にセットし、誘導結合コイル（４）を誘電板（３４）を隔ててプラズマ室（３３ｂ）に隣接して設け、誘導結合コイル（４）に高周波電力を印加してプラズマ室（３３ｂ）にプラズマを発生させて処理物（６）を処理する。コイル室（３３ａ）の内部はプラズマが発生しない放電限界圧力に減圧されており、誘電板（３４）の厚みを従来に比べて薄くでき、誘導結合コイル（４）で生成する電磁波の誘電板（３４）での減衰を低減して、プラズマ発生の効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 電圧が印加された場合に放電が生じる等の不都合が生じず、かつ高い熱伝導率を維持しつつ、低い体積抵抗率を有する窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ＳｍおよびＬａの少なくとも１種を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有し、さらに液相成分の排出を抑制するために窒化チタンを２８質量％以下含有し、残部実質的に窒化アルミニウムからなり、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍであり、電圧を印加した場合に放電が生じ難い窒化アルミニウム焼結体を得る。この窒化アルミニウム焼結体を被吸着体を吸着する誘電体層２として用い、その下に設けられた電極３に電圧を印加することにより被吸着体１０を吸着する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の金属から形成された基材と、内部に金属のプレート電極を埋設した状態で前記基材に嵌め込まれ、一部が前記基材から露出した誘電体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】熱膨張・収縮に対処した真空処理チャンバを提供する。特定の実施形態では、チャンバ・ボディに構造的応力を与えたり、真空シールを破壊したりすることなく熱膨張・収縮することができるシャワーヘッドを備えるプラズマ処理チャンバを提供する。
【解決手段】シャワーヘッド・アセンブリは、チャンバ・ボディに堅固に取り付けられたバック・プレート１２５と、シャワーヘッド・プレート１２０をＯリング１４０，スペーサ１４５を介してバック・プレート１２５に摺動可能に取り付け、それにより、シャワーヘッド・プレート１２０とバック・プレート１２５との間にガスシールが維持されているときにシャワーヘッド・プレート１２０をバック・プレート１２５に対して摺動可能にする締結アセンブリ１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのプラズマ処理を精密に制御する方法及び装置に関する。
【解決手段】本発明は、ウェーハの裏面のすぐ隣にあって裏面に面する端部を有する光ファイバを含む光温度センサ、又は、蛍光・光温度センサを使用することにより、処理中にウェーハ温度を連続的に監視する問題を解決する。この光ファイバは、ウェーハ・リフトピンのうちの１つの中に光ファイバがその中を通る軸線方向の空隙を設けることにより、プラズマ処理を邪魔することなく収容される。ウェーハ裏面に面するこのファイバの端部は、中空のリフトピンの端部と符合する。もう一方の端部は、「外部」光ファイバを経由して、リアクタチャンバ外側にある温度プローブ電子装置に結合される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】複数の電極構成板が積層されるとともに、電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板３であって、隣り合う固定側電極構成板３ａと放電側電極構成板３ｂとの積層面の外周部に、板厚の一部を周方向に沿って切欠してなる空隙部ｓ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】複数の電極構成板が積層されるとともに、電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔１１が複数設けられてなる電極板３に、隣り合う電極構成板３ａ，３ｂの対向面間の外周部にガス通過孔１１を避けて複数の溝状の凹部３２Ａ〜３２Ｅによる空隙部ｓ１が設けられるとともに、空隙部ｓ１は電極構成板３ａの外周面に開口するように設けられており、両電極構成板３ａ，３ｂの単位面積当たりの接触面積が電極板３の中央部に比べて外周部の方が小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

【課題】より均一な処理を実現することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室に配置された試料台上に載せられたウエハをこの処理室内で形成をしたプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記真空容器の上部を構成し前記処理室を囲む誘電体性のベルジャと、このベルジャの外周に巻かれて配置され前記プラズマを形成するための高周波電力が供給されるコイル状のアンテナと、このアンテナと前記ベルジャとの間で内側と外側とで隙間をあけて二重に配置され各々が複数のスリットを有して所定の電位にされる導電体製のファラデーシールドとを備え、前記外側のファラデーシールドと前記内側ファラデーシールドとが各々のスリットが互い違いに覆う位置に配置された。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生するプラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器１と、真空容器１の下部を構成し、接地されたベースフランジと、真空容器１内に設けられ、被加工試料３を載置する下部電極２と、下部電極２を上下駆動する上下駆動機構と、下部電極２が有す接地電位部に固定され、上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー２７と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー２８とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、円筒形状の第２のカバー２８を導体とする。 （もっと読む）