【課題】床面側に設けた凹部内に基板保持具の下端部を収容できるようにし、実質的な高さを抑制することが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗに熱処理を施す処理ユニットの下方に設けられて、基板が保持された基板保持具５８を処理ユニットに対してロード及びアンロードさせると共に基板保持具に対して基板の移載を行うローディングユニットにおいて、処理ユニットに連設されて全体を囲むようになされたローディング用筐体７２と、基板保持具の下部を保持する保持アーム８２を有すると共に基板保持具５８を処理ユニット内に対して昇降させる昇降エレベータ機構６８と、基板保持具に対して基板の移載を行う基板移載機構７４と、基板保持具の下方に対応するローディング用筐体の底部に設けられて、基板保持具の下端部を収容できるようにするために下方へ突出させて形成された基板保持具収容凹部９０とを備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は所定長さに切断された粘着テープの切断部の頭出し精度が低下するのを防止した粘着テープの貼着装置を提供することにある。
【解決手段】離型テープの供給リール１１と、供給リールから離型テープを所定の長さずつ間欠的に引き出して走行させる送り機構２０と、送り機構によって引き出されて走行する離型テープに貼着された粘着テープを所定の長さに切断する切断機構３１と、切断機構によって切断されて貼着位置に位置決めされた所定の長さの粘着テープを貼着位置で待機するＴＣＰに加圧加熱して貼着する加圧ツール４８と、離型テープの走行方向の送り機構よりも上流側で、貼着手段よりも下流側において離型テープに残留する粘着テープを除去する残留物除去手段５３を具備する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インデクサブロック１１は、一対のキャリア載置部１１１ａ，１１１ｂおよび搬送部１１２を含む。キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂには、複数の基板Ｗを多段に収容するキャリア１１３がそれぞれ載置される。搬送部１１２には、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が設けられる。搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２は、互いに並行して基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】占有スペースの削減、装置全体としての動作不能時間の短縮を可能にし、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を減圧雰囲気下で処理する複数の処理室が周囲に設けられており、該処理室との間で基板を搬入出する搬送機構を内部に有する複数の真空搬送室と、各真空搬送室に夫々設けられたロードロック室と、外部から供給された基板を一の前記ロードロック室へ搬送する第１大気搬送機構と、該第１大気搬送機構から基板を受け取り、受け取った該基板を他の前記ロードロック室へ搬送する第２大気搬送機構とを備え、前記第２大気搬送機構を前記一のロードロックが設けられている真空搬送室の上側又は下側に配し、前記複数の真空搬送室を、前記第２大気搬送機構による基板の搬送方向に沿って直列的に配する。 （もっと読む）

【課題】加熱された基板を、より均一かつ迅速に冷却する冷却方法、および真空処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態の基板冷却方法は、減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度Ｔ_１よりも低い温度Ｔ_２になるまで前記基板を冷却するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】あるユニットに障害が発生したときでも、基板搬送を継続可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、処理ユニット１〜３と、処理ユニット１〜３との間で基板を受け渡しすることができ、基板をそれぞれ保持するための複数のハンド１１，１２を有する搬送ロボット６と、処理ユニット１〜３に発生した障害を検知するセンサ類１Ｓ，２Ｓ，３Ｓと、センサ類１Ｓ，２Ｓ，３Ｓによって障害発生が検知されている処理ユニットに基板を渡さないように搬送ロボット６を制御する制御装置７とを含む。制御装置７は、一つの処理ユニットに搬入すべき基板を一つのハンドで保持しているときに当該処理ユニットに障害が発生した場合に、当該一つのハンドで当該基板を保持したまま当該処理ユニットへの基板の搬入を停止し、残りのハンドで他の処理ユニットとの間で基板を受け渡しするように搬送ロボット６を制御する。 （もっと読む）

【課題】疎水化処理モジュールまたは塗布膜形成用の単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに塗布、現像装置の稼働効率の低下を抑えることができ、基板の搬送手段の動作の複雑化を防ぐ技術を提供すること。
【解決手段】互に同一の塗布膜が形成されるＮ重化された塗布用の単位ブロックと、前記キャリアブロックと処理ブロックとの間の昇降搬送ブロックにおいて、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのＮグループの疎水化モジュールと、前記Ｎグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査装置の設置スペースを削減することができると共に設置コストを低減することができるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハ検査装置１０は、ウエハを一枚ずつ搬送するように第１の搬送領域Ｓ２に設けられた第１のウエハ搬送機構１２と、第１の搬送領域の端部にあるアライメント領域Ｓ３内でウエハ保持体１５を介して第１のウエハ搬送機構１２によって搬送されるウエハＷを検査位置にアライメントするアライメント機構１４と、第１の搬送領域Ｓ２及びアライメント領域Ｓ３に沿う第２の搬送領域Ｓ４内でウエハ保持体１５を介してウエハＷを搬送する第２のウエハ搬送機構１６と、第２の搬送領域に沿う検査領域Ｓ５に配列され且つウエハ保持体１５を介して第２のウエハ搬送機構１６によって搬送されるウエハＷの電気的特性検査を行う複数の検査室１７と、を備え、検査室１７ではアライメント後のウエハの電気的特性検査を行う。 （もっと読む）

【課題】基板が少ない枚数のロットも効率的に搬送することができるとともに、ロット内に基板の抜けがあっても各基板の間隔を一定にすることができる基板移載装置を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰに収納可能な基板Ｗの枚数より少なく、かつ２個以上の支持アーム１７を備えている。３個の支持アーム１７により、ＦＯＵＰ内の不等間隔で収容されていた３枚の基板を、姿勢変換部に一度に搬送するとともに、３枚の基板の間隔を一定にすることができる。したがって、基板が少ない場合であっても複数の支持アーム１７によって効率的に搬送することができる。また、処理部における処理を３枚の基板について均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】パターニング前工程にて半導体製造基板の歩留りへの影響を受けず、ＳＥＭレビューを可能とする半導体装置の製造方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】製造装置３０ａにて所定の製造処理が施されたウェハＷは、検査装置１０にて欠陥が検査された後、評価装置２０に搬送される。評価装置２０では、検査装置１０にて検出された欠陥がＳＥＭレビューされる。そのＳＥＭレビューされたウェハＷは、洗浄装置４０に搬送され、その表面に有機溶剤が塗布されて洗浄される。その洗浄後のウェハＷは、製造装置３０ｂに搬送され、次工程の製造処理が施される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させず、認識精度が向上するチップソータを提供する。
【解決手段】本発明のチップソータは、第１のカメラがウェハのパターン面を撮像して第１の画像を取得し、第２のカメラがチップの裏面を撮像して第２の画像を取得し、認識処理部が前記第１の画像に基づいてウェハ認識し、また、前記第２の画像に基づいてチップのＸ、Ｙ、θ軸位置測定認識およびチップ欠け認識を行い、制御部は、前記認識処理部から出力された認識結果に基づいて前記駆動系を制御する、 （もっと読む）

【課題】装置寸法の増加を抑制しつつも、収納器の収容数を増やして装置の高スループットを生かすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理ユニット１１と収納器収容・搬送ユニット７との間に収納器収容ユニット９を備え、搬送ロボット１９によりロードポート５と棚配列３３との間の搬送を行う。搬送ロボット３１により、棚配列３３と棚配列６９と載置部２７との間における搬送とを行う。ロードポート５と棚配列３３との間の搬送と、棚配列６９と、棚配列３３と、載置部２７との間の搬送とをほぼ並行できる。よって、ＦＯＵＰ３の搬送効率を向上させて、スループットを向上できる。その上、収納器収容・搬送ユニット７と基板処理ユニット１１との間に収納器収容ユニット９を配置するだけであり、装置寸法の増加を抑制でき、ＦＯＵＰ３の収容数を増やして装置の高スループットを生かすことができる。 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるダイボンダを提供すること，または前記ダイボンダを用い、信頼性の高いダイボンドまたはピックアップ方法を提供する。
【解決手段】ダイシングフィルム１６に貼り付けられた複数のダイ(半導体チップ)４ｄのうち剥離対象のダイ４を突上げて前記ダイシングフィルムから剥離する際に、前記ダイの周辺部のうちの所定部における前記ダイシングフィルムを突上げて剥離起点５１ａを形成し、その後、前記所定部以外の部分の前記ダイシングフィルムを突上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大径基板に対応した搬送系を構成する基板収容器（フープ）に、サイズダウンした基板を格納できるようにする。
【解決手段】８インチウェーハを支持し得る第１支持溝１６ｅに支持される上部板４０１および下部板４０２と、上部板４０１および下部板４０２に設けられ、２インチウェーハであるウェーハ１４（必要に応じて、ウェーハホルダ１００およびホルダ部材４０５を介して）を支持し得る第２支持溝４０４を有する各保持柱４０３ａ〜４０３ｃとを備える。８インチウェーハに対応したポッド１６に、２インチウェーハであるウェーハ１４を格納でき、搬送系であるポッド１６を共通化して半導体製造装置のコストを削減できる。各ガス供給ノズルから各ウェーハ１４までを遠ざけて、各ウェーハ１４に到達する前に反応ガスを充分に混合させることができ、各ウェーハ１４への成膜精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントを可能とした基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板２を出し入れする仕込／取出室３と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込／取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記仕込／取出室は、真空排気可能なチャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、前記基板が載置される支持部１２と、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の高速搬送に適した基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持するハンド２３Ａ，２３Ｂと、ハンド２３Ａ，２３Ｂを駆動するハンド駆動機構２０，２６，２７と、ハンド２３Ａ，２３Ｂの動作を補助するように気体を噴射する気体ノズルを有する動作補助ユニット１０Ａ，１０Ｂとを含む。動作補助ユニット１０Ａ，１０Ｂは、ハンド２３Ａ，２３Ｂに備えられており、気体噴射により生じる反力によって、ハンド２３Ａ，２３Ｂの動作を補助する。 （もっと読む）

【課題】装置稼働率を向上することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に向かってマイクロ波を供給する
マイクロ波供給部、及び、基板の表面に向かって不活性ガスを供給するガス供給部を少な
くとも備える処理室と、前記処理室において処理がなされた基板を冷却する冷却機構を備
える搬送室、及び、前記冷却機構によって冷却された基板を搬送する搬送機構を少なくと
も備える搬送室とより少なくとも構成される。 （もっと読む）

【課題】ウェハリングの高さとウェハカセットの高さにずれがあった場合には、ウェハリングの取り出しを失敗することが考えられる。さらに、近年、特にウェハサイズの大型化と薄板化が進み、ウェハのそりが問題となってきている。ウェハのそりが大きい場合にも、ウェハリングの取り出しを失敗する可能性が高い。ウェハリングの取り出しを失敗した場合、即ち、ウェハリングが取り出せなかった場合には、実装のスループットが長くなり、さらに、取り出せなかったウェハリングは、オペレータが手動で取り除く必要が出てくる。このため作業工数も増加する。
【解決手段】前記ウェハエキストラクタ部が前記ウェハカセット部からウェハリングを取り出す前に、前記ウェハカセットリフト部を上下振動させ、その後に前記ウェハエキストラクタ部が前記ウェハカセット部からウェハリングを取り出す。 （もっと読む）

【課題】光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、基板の熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制する熱処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを加熱することができる波長の光を照射する複数の発光ダイオード５３を備える加熱源５０と、加熱源５０から照射された光により加熱され、その熱をウエハＷに伝達する伝熱板４０と、を備える。伝熱板４０の加熱源と対向する面に、発光ダイオード５３から照射される光の反射を抑制する反射防止層例えば凹凸面４７を形成する。 （もっと読む）