【課題】入力電圧の変動による電力／電流偏差および力率を大幅改善し、各国規格を遵守するのはもとより、制御損失を最小化してＬＥＤランプの電力効率を極大化させることができるようにした、高効率交流駆動ＬＥＤを提供する。
【解決手段】本発明の高効率交流駆動ＬＥＤモジュールは、商用電源電圧を整流する全波整流部と、直列にそれぞれ或いはグループ化配列されたＬＥＤ部と、直列接続されたＬＥＤを順次区間制御する瞬時電流制御部と、入力電圧の変動に対する入力電流と入力電力の変動を能動的に制御する入力電力補償部とがワンボードモジュール（ＡＳＩＣ）化或いはＩＣ化したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が改善されたＬＥＤ光源を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１１は配線基板１２上に実装されたＬＥＤチップ１１とＬＥＤチップ１１を覆う蛍光体層ＦＬとを備え、蛍光体層ＦＬは前記ＬＥＤチップ１１から出射された光の波長をより長い波長に変換する蛍光体粒子ＦＰと、透過性樹脂ＴＲとを含み、蛍光体層ＦＬの断面輪郭Ｓｆｌ、ＬｆｌがＬＥＤチップ１１の中心Ｏ方向に凹んだ曲線Ｌｆｌで形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び結晶欠陥が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１半導体層１２０、第２半導体層１５０、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された活性層を有し、活性層と第２半導体層１５０との間に、活性層での電子と正孔の再結合確率を高め、漏れ電流を防止する電子遮断層の機能をもつ、活性層より相対的に大きいバンドギャップを有する中間層１４０を備える。発光素子は、活性層の障壁層の構造を変更し、中間層のバンドギャップエネルギーに変化を与えて、活性層の正孔注入効率を改善することによって、発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図る。
【解決手段】支持基板３０と、発光層１２を含む半導体膜１０と、光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられた光反射層２０、から形成され、表面電極は、半導体膜とオーミック接触する第１の電極片４３と、第１の電極片に電気的に接続され且つ半導体膜とショットキー接触する第２の電極片４１と、を含み、光反射層に形成される反射電極は、第１の電極片と互いに重ならないように配置され半導体膜とオーミック接触する第３の電極片２１Ｄと、第３の電極片に電気的に接続され半導体膜とオーミック接触し且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含み、第１の電極片と第４の電極片との間の半導体膜の主面方向における最短距離は、第１の電極片と第３の電極片との間の同方向における最短距離よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＧａＮ層の格子欠陥が抑制され、発光効率が向上した半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に配置されたｎ型ＧａＮ層１３と、ｎ型ＧａＮ層１３上に配置されたｐ型ＧａＮ層１５とを有する半導体素子１０であって、ｎ型ＧａＮ層１３には電子線が照射されている。Ａｌ_(1-x)Ｇａ_xＮ結晶と電子線との相互作用により、ｎ型ＧａＮ層１３の格子欠陥が抑制され、半導体素子１０の発光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】高輝度、大出力の平面発光単一型の光源であり、それを用いて近距離、遠距離に到達する配光性を制御できるＬＥＤ照明装置を提供しようとするものである。
【解決手段】本照明装置は、金属基板と、回路基板と、前記金属基板の表面に直接接合されるベアチップ状態の複数の発光素子と、前記金属基板の表面上に密着する封止枠であると共に前記回路基板の全部又は一部と配線接続された複数の発光素子との周囲を囲む封止枠と、前記封止枠内部において、前記発光素子と接触しつつ前記発光素子を封止する封止材と、を備え、前記封止材は、蛍光剤を含むことができる透明材もしくは半透明材であると共にその上面は、平面形状を有し、前記発光素子の発する光を平面単一発光に変換して行う。 （もっと読む）

【課題】レンズの位置精度が高く、光結合効率及び光取り出し効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基板１０上にバンプを介して搭載された発光素子１１、発光素子上に配された波長変換層１３、及び波長変換層上に配された透光性プレート１４、からなる発光積層体１５と、発光積層体上に形成されたレンズ２１と、を有している。上記レンズは、発光積層体の側面を覆って発光積層体を包含する側面被覆部２１Ｐと、透光性プレートの少なくとも上面端部に至って透光性プレートの上面を覆う上面被覆部２１Ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】硫化速度が従来の銀皮膜の半分以下であり、初期の光の反射率に優れる光半導体装置用リードフレームを提供する。また、硫化速度が従来の銀皮膜の半分であることから長期信頼性が従来の銀皮膜よりも倍以上に優れ、かつワイヤボンディング性は従来の銀皮膜と同等であり、さらに外部に露出した箇所における半田付け性に優れるため外装めっきを必要としない、光半導体用リードフレームを提供する。
【解決手段】基体１上に銀−インジウム合金、銀−錫合金、又は銀−インジウム−錫合金からなる反射層２が形成されており、該反射層２上にインジウム及び／又は錫の酸化物層３が厚さ０．０００４〜０．００１μｍで最表層に形成されていることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】反射膜材が基板の側面へ付着するのを防止した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１の面１１ａから第２の面１１ｂ側に向かって略垂直に延在する第１の領域１１ｃ１と第１の領域１１ｃ１から第２の面１１ｂ側に向かって末広がり状に傾斜した第２の領域１１ｃ２を有する側面１１ｃを備えている。第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１２が基板１１の第１の面１１ａに形成されている。反射膜１５が基板１１の第２の面１１ｂに形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の面積の和と側面１１ｃの面積の比が０．５以上である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板貼り替えに伴うクラックの発生を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法では、第１基板３１上に形成された半導体積層体１１上に第１金属層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２金属層１２ｂを形成する。第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを対向させて、第１基板３１と第２基板３２を重ね合わせる。第１基板３１側から第１基板３１を透過し、半導体積層体１１に吸収される第１レーザ３５を照射し、半導体積層体１１を部分的に加熱分解する。第２基板３２側から第２基板３２を透過、または第１基板３１側から半導体積層体１１を透過する第２レーザ３６を照射し、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを部分的に融着する。第１および第２基板３１、３２を第１および第２金属層１２ａ、１２ｂが融解する温度より低い温度に加熱して、第１基板３１を除去する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、第１金属ピラーと、第２金属ピラーと、封止部と、を含む半導体発光素子が提供される。積層体は、第１部分及び第２部分を有する第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第２部分と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。積層体は、第１半導体層の側の第１主面と、２半導体層の側の第２主面と、を有する。第１、第２電極は、第２主面の側において、第１、第２半導体層のそれぞれの上に設けられる。反射層は、積層体の側面を覆い、絶縁性である。第１、第２金属ピラーは、第１、第２電極とそれぞれ接続され、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に延びる。封止部は、第１金属ピラー及び第２金属ピラーを封止する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性及び接続信頼性に優れ、さらに、より薄型化が可能な半導体装置、特にＬＥＤ半導体素子搭載の半導体装置を提供する。
【解決手段】キャリア基材１１上に、導電性金属層パターン１４及び絶縁部１５を有する半導体素子搭載用部材１０であって、該金属層パターンは、部分的に露出部を有するように、少なくともその周縁部が絶縁部に覆われ、該部材の金属層パターン側からの平面視において、該金属層パターンの最外周部が、該金属層パターンとキャリア基材が接する部分より、該絶縁部側にせり出している断面形状を有し、該金属層パターンがめっきで形成された銅から構成されるものであることを特徴とする半導体素子搭載用部材である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性及び接続信頼性に優れ、特にＬＥＤ半導体素子搭載の半導体装置が得られる半導体素子搭載用部材、半導体素子搭載基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】剥離性基材及び粘着剤層からなるキャリア基材上に、導電性金属層パターン及び絶縁部を有する半導体素子搭載用部材であって、該剥離性基材がステンレス鋼からなり、該導電性金属層パターンは、部分的に露出部を有するように、少なくともその周縁部が絶縁部に覆われ、該部材の金属層パターン側からの平面視において、該導電性金属層パターンの最外周部が、該導電性金属層パターンとキャリア基材が接する部分より、該絶縁部側にせり出している断面形状を有する半導体素子搭載用部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】光を外部に取り出す効率を向上させ、薄型化することができる照明装置を提供する。
【解決手段】青色発光素子が凸型の表面形状の透明樹脂で包含された発光構造体１１と、発光構造体１１が二次元配置された基板１２と、青色発光素子の青色光を拡散する拡散板１３と、基板１２と離間して配置され、青色発光素子の青色光から白色光を得る粉末状の蛍光体を含有する蛍光体シート１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性及び接続信頼性に優れ、発光素子の能力をより一層引き出すことができ、かつ、より薄膜化が可能な半導体装置、特にＬＥＤ半導体素子搭載の半導体装置が得られる半導体素子搭載用部材、半導体素子搭載基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】キャリア基材上に、導電性金属層パターン及び絶縁部を有する半導体素子搭載用部材であって、該絶縁部が酸化チタンを含有する硬化性樹脂からなり、該導電性金属層パターンは、部分的に露出部を有するように、少なくともその周縁部が絶縁部に覆われ、該部材の金属層パターン側からの平面視において、該導電性金属層パターンの最外周部が、該導電性金属層パターンとキャリア基材が接する部分より、該絶縁部側にせり出している断面形状を有する半導体素子搭載用部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】可視光反射率の高いＬＥＤ用絶縁反射基板の提供。
【解決手段】アルミニウム層上に孔を有する陽極酸化処理層を備えるＬＥＤ用絶縁反射基板であって、少なくとも一つの孔内に波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光に対して純アルミニウムよりも高い平均反射率を有する高反射素材が充填された充填層を備え、前記高反射素材の下記式で示される充填率が、１０％以上９８％以下であるＬＥＤ用絶縁反射基板：ここで、充填率（％）＝（高反射素材の孔の底部からの平均充填高さ／陽極酸化処理層の孔の平均深さ）×１００である。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターン加工の制御性、再現性を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１０表面に周期０．１〜１μｍのドット状の凹凸パターンを形成する。次に、サファイア基板１０上にＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上にｎ型層１２、発光層１３、ｐ型層１４を積層する。次に、ｐ型層１４上にｐ電極１５を形成し、低融点金属層１６を介してｐ電極１５と支持基板１７とを接合する。次に、レーザーリフトオフによりサファイア基板１０とバッファ層１１を除去する。ｎ型層１２のサファイア基板１０除去側には、サファイア基板１０に設けられた凹凸パターン２０が転写され、凹凸パターン１９が形成される。ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、再現性、制御性よく微細な凹凸パターン１９を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
従来の白色部材被覆型のＬＥＤ発光装置や、アンダーフィルを施したＬＥＤ発光装置では、ＬＥＤの光取出面に対する白色部材の付着が発生する危険性があり、またアンダーフィル型のＬＥＤ発光装置ではＬＥＤの側面方向の出射光を十分に利用することがなされていなかった。
【解決手段】
発光素子の外形より大きい形状の蛍光体板に、バンプ実装された発光素子の発光面側を透明接着材にて接着すると共に、前記発光素子の側面と前記蛍光体板の下面との間に透明樹脂を充填し、前記充填された透明樹脂の形状が前記発光素子の実装面側の角部より蛍光体板に向かって円弧状に形成された発光素子チップを構成し、該発光素子チップを回路基板上の配線電極にフリップチップ実装した。 （もっと読む）

【課題】大電流駆動時における窒化物半導体発光素子の電力効率の低下を防止すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第１導電型窒化物半導体層と、第１導電型窒化物半導体層の上に設けられた超格子層と、超格子層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられた第２導電型窒化物半導体層とを備えている。超格子層の平均キャリア濃度は、活性層の平均キャリア濃度よりも高い。 （もっと読む）