【課題】特殊な半導体レーザチップを必要とせず、導電性ダイボンディングペーストを用いても放熱性を損なうことがない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ装置では、サブマウント１の第一の面には溝２が形成されており、前記溝底部には１個あるいは複数の個別電極を設け、前記個別電極上に半導体レーザチップ４のアノード側がダイボンディングされてなる光源部を配置し、前記光源部とサブマウント１の第一の面をヒートシンク９の電極領域にダイボンディングしてなることを特徴とする。このように、半導体レーザチップ４からなる光源部を、サブマウント１の表面に形成した溝に配置し、そのサブマウント１の光源部側をヒートシンク９に実装することにより、半導体レーザチップで発生する熱を、より一層効率的に放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導率が高く取り扱いが容易なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 筒状の流路に水、エタノール、フロン等の熱を伝導する媒体が封入された複数のマイクロヒートパイプ２〜１３と、マイクロヒートパイプ２〜１３の夫々の一端を相互に結合するタンク１４と、タンク１４とシリコン基板１の外部とを結合する注入孔１５と、注入孔１５をシールする栓１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＬＣプラットフォームをもちいた光モジュールではキガビット級の高速化を実現するためにはシリコン基板加工と複雑な光導波路作製工程が必要なためコスト面に課題を有していた。
【解決手段】 高周波での損失が少ないガラス基板１７に光導波路用溝１１と、基板厚み方向に接続配線又は放熱のためのビアホール１２を設ける。 （もっと読む）

【目的】 ＬＤの出力を監視するモニタＰＤを裏面入射型あるいは表面入射型のＰＤとし、しかも基板上に実装容易な形態のＬＤ・ＰＤ発光装置を提供する事。
【構成】 基板と、基板の表面の一部に形成され光を導くコアを有する光導波路層と、光導波路層の一部或いは全部を除いた基板面に設けられ前方光と後方光を生じ前方光は光導波路コアを伝送するようにしたＬＤと、ＬＤの背後において基板を穿つことによって形成されＬＤの後方光を反射する光路変換溝と、ＬＤ後方光を検出するため光路変換溝の上に跨りＬＤより高い位置に固定されたモニタ用ＰＤとを含む。 （もっと読む）

【課題】５０Ω系や２５Ω系等伝送においても高密度実装が可能であり、安価で、しかも特性インピーダンスの不連続なしに高周波電力を伝送でき、さらに、効率的な放熱が可能なセラミックパッケージを提供すること。
【解決手段】段差を有する金属部材６と、金属部材６上に搭載された配線板７と、セラミックを貫通して信号線３と接続するマイクロストリップ線路４とを有するセラミックパッケージを構成する。金属部材６の上に厚さの異なる部品を搭載しても、段差を適当にして、部品の上面の高さを揃え、金ワイヤによる接続の際のワイヤの長さを最小にしてインダクタンスの増大を防ぎ、金属部材６を接地導体とすることによって、特性インピーダンスの不連続なしに高周波電力を伝送し、金属部材６の上に搭載された部品が発する熱を金属部材６を通して効率良く放散させることができる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード２をリードフレーム１０のマウント部１０ａに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子１を上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子１の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子１とツェナーダイオード２のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるｐ側とｎ側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子１とツェナーダイオード２にバンプを１個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。 （もっと読む）