【課題】 放熱性能の向上を極力図った半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 半導体モジュール４０は、半導体チップ４１と、半導体チップ４１を覆う樹脂部４２と、半導体チップ４１で生じた熱を逃がすための放熱部４３と、半導体チップ４１にボンディングされた３つの端子４４、４５、４６とを備えている。放熱部４３は、樹脂部４２よりも幅広となっている。詳しくは、上下方向に垂直な断面における断面積を考えた場合、放熱部４３の断面積が樹脂部４２の断面積よりも大きくなっている。また、放熱部４３は、樹脂部４２以上の厚みを有している。さらにまた、放熱部４３は、上面に、２つの溝条４７、４８を有している。そして、３つの端子４４〜４６のうちソース４５が放熱部４３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】実装リフロー時に、電子部品の下面側だけでなく、電子部品の上面側においても、電極部間が短絡することを防止する電子部品内蔵モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵モジュールは、基板１０と、基板１０に搭載された半導体チップ１９と、基板１０に搭載された電子部品１６と、半導体チップ１９及び電子部品１６を封止する封止樹脂２４とを備えている。基板１０における電子部品１６が搭載された部品搭載面１１には、電子部品１６と電気的に接続される接続電極１２ａ，１２ｂが形成されている。電子部品１６は、はんだ１５ａ，１５ｂにより、各々が接続電極１２ａ，１２ｂに固着された一対の電極部１８ａ，１８ｂと、一対の電極部１８ａ，１８ｂ同士の間に挟み込まれた本体部１７とを有している。部品搭載面１１と本体部１７の上面との距離をａとし、部品搭載面１１と封止樹脂２４の上面との距離をｂとしたときに、ａ≧ｂである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの他面がモールド樹脂より直接露出しているハーフモールド構造のモールドパッケージを、熱伝導性部材を介して放熱部材に搭載する実装構造において、半導体チップと熱伝導性部材とが直接接触して熱的に接続される放熱経路を増加して、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ１０の両板面１１、１２の外周端部に位置する側面１３が、モールド樹脂２０より露出しており、熱伝導性部材３は、半導体チップ１０の他面１２から側面１３まで回り込むように配置されて、当該他面１２および当該側面１３に直接接触しており、熱伝導性部材３を介して、半導体チップ１０の他面１２および側面１３と放熱部材２とが、熱的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体実装装置及び電子機器に関し、実装密度を高めた状態で放熱構造体に対する充分なスペースを確保するとともに、実装する半導体デバイスを容易に交換できるようにする。
【解決手段】 複数の半導体部品と、前記複数の半導体部品を固定する冷却構造を兼ねた支持体であって配線基板を構成しない導電性の支持体と、前記半導体部品間を電気的に接続する柔軟性を有した配線手段とにより半導体実装装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの発熱によってフィルムキャリア等に延びが生じても、放熱効果を確保できる半導体装置を提供する。
【解決手段】フィルムキャリア３上に形成された導体配線４と半導体チップ１との接続部を、前記フィルムキャリア３とチップ裏面が熱結合された凹状の放熱体７との接続部よりも下方に位置させる。半導体チップ１は、発熱に伴って、フィルムキャリア３および導体配線４の延びによって押さえつけられて放熱体７との密着が向上することになり、放熱体７を通じて効率よく放熱される。 （もっと読む）

【課題】既存の構成を大きく変えることなく、小型で軽量、低コスト化を維持しながら、信頼性と放熱性を向上させることができる半導体モジュールの構造を提供する。
【解決手段】配線パターンが形成されたフレキシブル基板４と、フレキシブル基板の半導体チップ搭載部２ａに搭載され、配線パターンと接続された半導体チップ５と、フレキシブル基板の一面に接着された放熱体２とを備え、放熱体におけるフレキシブル基板に接着された接着領域は、半導体チップ搭載部の周囲の放熱体の一部の領域に制限され、放熱体は、接着領域以外の端部領域において、フレキシブル基板に対向する側の面が接着領域の面よりも後退した後退領域を形成している。 （もっと読む）

【課題】 高温時のウェーハ反りを抑制し、チッピングや欠けを回避した自己発熱を半導体基板裏面から放熱できる放熱特性改善がされた薄型半導体装置及び製造が容易なその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の素子領域及び当該素子領域を区画する素子分離領域１４を有する半導体基板９と、素子領域に形成された半導体素子とを有する。素子分離領域は、ＤＴＩ(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板９裏面に露出し、その内部は空洞になっている。この半導体基板は半導体素子を形成後に半導体基板裏面を素子分離領域１４の底面が露出するまで研磨もしくはエッチングして半導体基板９を薄くすると共に素子分離領域１４内部を空洞にする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置の放熱性を低コストで向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、基板２０と、表面をフェイスダウンした状態で基板２０にフリップチップ実装された半導体チップ３０と、半導体チップ３０の周囲に成型された封止樹脂層４０と、ヒートシンク、ヒートパイプなどの放熱部材と熱的に接続可能に半導体チップ３０の裏面に設けられた位相変化部４２とを備える。半導体チップ３０の動作熱によって位相変化部４２が溶融することにより、半導体チップ３０と放熱部材との密着性が向上するとともに、半導体チップ３０の放熱性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ヒートスプレッダなどの放熱部材が接着された半導体パッケージの放熱特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、基板２０と、表面をフェイスダウンした状態で基板２０にフリップチップ実装された半導体チップ３０と、半導体チップ３０の周囲を封止する封止樹脂層４０とを備える半導体パッケージを有する。さらに、半導体装置１０は、接着部材８０によって封止樹脂層４０に接着されたヒートスプレッダ９０を備える。接着部材８０は、第１の接着層８２と第２の接着層８４とからなり、第１の接着層８２は、第２の接着層８４の流動性は第１の接着層８２の流動性より小さい。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体チップの放熱性を向上させることができる半導体装置の提供にある。
【解決手段】半導体装置１０は、基板２０と、基板２０にフリップチップ実装された半導体チップ３０と、半導体チップ３０の周囲を封止する封止樹脂層４０と、ＴＩＭ層８０を介して接合されたヒートシンク９０を備える。さらに半導体チップ３０の裏面上に形成される密閉空間９５には冷媒９８を封入する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子がそれぞれに埋設された複数の半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージに関し、積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子に対する放熱性を高めた積層型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１は、この半導体素子１２１の外面の一部分１２１ａが露出した状態に埋設されていて、中空の熱流路１６が、その半導体素子１２１の露出した部分１２１ａ、および第１半導体パッケージ１２の上部に積層された第２半導体パッケージ１３の外面の一部分１３ａの双方に接するとともに、上方に延在して外部につながるように形成されている。 （もっと読む）

露出した頂部エミッタパッド及び露出した底部ソースパッドを有する無端子モールドパッケージ（ＭＬＰ）を含む半導体パッケージアセンブリである。折曲ヒートシンクが当該ＭＬＰの当該露出した頂部エミッタパッドに軟質はんだ取り付けプロセスで取り付けられる。当該折曲ヒートシンクは、サイズにおいて当該ＭＬＰとほぼ同様の広がりをもちかつ電気的熱的に当該ＭＬＰの当該頂部エミッタパッドとコンタクトしていて、当該ＭＬＰの当該底部表面に向かって当該プレーナメンバとほぼ垂直に伸長する１つまたは複数のリードを有する。これらのヒートシンクリードはプリント回路（ＰＣ）基板とのエミッタ接続を形成する。
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【課題】半導体素子を一対の放熱体により挟持した樹脂封止型半導体装置の放熱性をより向上する。
【解決手段】半導体素子(2)の１つの上面電極(12a)とリード端子(3a)の内端部(13)とを外部に露出する切欠部(14)を有する樹脂封止体(4)を形成し、樹脂封止体(4)の上面(4a)に配置される放熱体本体(15)と、樹脂封止体(4)の切欠部(14)を通じて放熱体本体(15)と半導体素子(2)の上面電極(12a)及びリード端子(3a)とをそれぞれ電気的に接続する接続部(16)とを有する導電性の放熱体(5)を設ける。放熱体本体(15)の形状を変更することにより、放熱体(5)の熱容量を適宜に変更できる。また、接続部(16)をリード端子(3a)に接続して電流経路を形成するので、外部リード(3)の形状を変更せずに、従来のリードフレームをそのまま使用できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子から効果的に熱放散させることができ、半導体素子の動作特性を損なうことなく、信頼性の高い半導体装置として形成できる放熱板を提供する。
【解決手段】 基板１０に搭載された半導体素子１１の裏面に接触させて装着され、半導体素子１１から熱放散させるための放熱板２０であって、前記基板１０に対向する面とは反対面側に第１の放熱フィン２０ｂが設けられ、前記基板１０に対向する面側に、前記第１の放熱フィン２０ｂと長手方向を同一の向きとし、前記基板１０に搭載されている半導体素子１１と干渉しない配置に第２の放熱フィン２０ｃが設けられている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板への放熱部材の取り付けを容易にする。
【解決手段】半導体チップ３６は、パッケージ基板３０に回路面を下に向けて押し付けられ回路面と反対側の上面から放熱を行う形態を有する。封止樹脂層３２は、半導体チップ３６の上面が露出するように該半導体チップ３６の周囲を封止する。固定部材３４は、その先端に形成されたフック４０が半導体チップ３６の上面よりも突出するように封止樹脂層３２に埋め込まれる。スプレッダ１０は、半導体チップ３６から発せられる熱を放熱する。スプレッダ１０のパッケージ基板３０に面する側に形成された導入溝１２に固定部材３４のフック４０を挿入し、スプレッダ１０をパッケージ基板３０に対して所定量回転させると、導入溝１２に沿ってフック４０が導かれることによって、スプレッダ１０が半導体チップ３６に押し付けられる。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂を硬化する時、基板が大きく歪む問題を解決する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アンダーフィル樹脂硬化時に、半導体チップ１の裏面に設けられた放熱補強板６の接着剤を先、若しくは同時に固着・硬化を行い、パッケージ基板全体を支持することで、アンダーフィル樹脂硬化によって生じるひずみを防止し、ビアや半田等、接続部や内部配線に対する応力を緩和させるとともに、親基板への二次実装時の接続信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 使用材料の種類や部品点数が増加してコストアップを招くことなく、製造工程数を増加することなく、しかも絶縁基板の熱収縮を小さく保持して接続精度を確保しながら、半導体の放熱効果を高めた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 可撓性絶縁基板２６の表面に、プリント配線技術によって形成した導体パターン３０に接続し、フリップチップ実装して絶縁基板上に半導体４２を搭載する半導体装置４７である。そのような半導体装置において、半導体の搭載位置に絶縁基板の表裏を貫通する貫通孔３８をあけ、その貫通孔に注入した高熱伝導性の封止樹脂４６を用いて、半導体を封止するとともに、その半導体を、絶縁基板２６の裏面に設ける放熱板３７に連結し、半導体の熱を放熱板に伝達してその放熱板を介して大気に放熱する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップなどを冷却する冷媒の流れを、必要に応じて乱すことで、半導体デバイスなどからの熱を効率よく放散することが可能である半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】配線基板１０１上に搭載された半導体チップ１０２の裏面１０３に対向して設けられ、冷媒１４０の流路１１０を形成する冷媒流路壁面部材１２０と、冷媒流路壁面部材１２０の流路側の壁面１２０ａに流路１１０に突出可能に配設された乱流形成部材１３０とを具備し、この乱流形成部材１３０が流路側に突出することで、冷媒１４０の流れが乱され、半導体チップ１０２の裏面１０３と冷媒１４０との熱伝達が促進され、半導体チップ１０２などの冷却を促進することができる。 （もっと読む）