【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される：
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100ＭＰa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置２を、絶縁膜５と、配線６と、絶縁膜５の表面上に全面にわたって設けられた複数の第１電極７とを含む配線層８を備える半導体チップ２と、絶縁膜５の表面上の第１電極７が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜５よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材１５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチパッドや配線部等を構成する金属層が劣化し難い電子デバイスを提供することである。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、セラミック製の基体２と電子素子１とを具え、基体２の表面21には金属層８が形成され、該金属層８の表面上に電子素子１が設置されることにより、該電子素子１と金属層８とが熱的又は電気的に接続されている。ここで、金属層８は、基体２の表面21の内、電子素子１によって覆われた領域Ｒ１の外周縁よりも内側の領域Ｒ２に形成されている。 （もっと読む）

【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】発熱体からの熱を効果的に放熱する電子機器を提供する。
【解決手段】発熱体２４と、発熱体２４に接する熱拡散板２３と、熱拡散板２３に接する放熱構造２９を有する電子機器であって、放熱構造２９は凸型グラファイト複合フィルム２８であり、熱拡散板２３の熱輸送能力が０．０１４Ｗ／Ｋ以上であり、凸型グラファイト複合フィルム２８の断面における高さ２８Ｂの方向の長さが断面の全長の２０％以上であり、凸型グラファイト複合フィルム２８の該凸型断面に垂直な方向が電子機器の高さ方向に設置されている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に内蔵される電子部品のレイアウトの自由度を高めつつ、内蔵された電子部品の放熱特性の向上を図る。
【解決手段】部品内蔵基板実装体１００は、部品内蔵基板１と、これが実装された実装基板２とからなる。部品内蔵基板１は、第１〜第４プリント配線基材１０〜４０を熱圧着により一括積層した構造を備える。第２プリント配線基材２０の第２樹脂基材２１に形成された開口部２９内には電子部品９０が内蔵されている。第４プリント配線基材４０の実装面２ａ側にはバンプ４９が形成されている。電子部品９０の裏面９１ａに接続されたサーマルビア１４及びサーマル配線１３を介して、各層のサーマルビア及びサーマル配線を通り、バンプ４９から実装基板２に電子部品９０の熱が伝わって、実装基板２にて放熱される。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 被覆ベースプレートを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は基板（１２２）に結合された半導体チップと基板（１２２）に結合されたベースプレートとを含む。ベースプレートは、第２の金属層（１０６）に接合する第１の金属層（１０８）クラッドを含む。第２の金属層（１０６）はピン−フィンまたはフィンの冷却構造（１１２）を設けるように変形される。第２の金属層（１０６）はピンもピン−フィンも有しない副層（１１３）を有する。第１の金属層（１０８）は第１の厚さ（ｄ１０８）を有し、副層（１１３）は第２の厚さ（ｄ１１３）を有する。第１の厚さ（ｄ１０８）と第２の厚さ（ｄ１１３）の比は少なくとも４：１である。 （もっと読む）

【課題】簡単に放熱性に優れる発熱デバイスを製造することのできる発熱デバイスの製造方法、および、簡単な構成で放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の発熱デバイスの製造方法は、ベース基板２の下面に凹部を形成することにより、ベース基板２にヒートシンク２２を一体的に形成する第１の工程と、ベース基板２の上面に絶縁層３を介して導体パターン７を形成する第２の工程と、通電により発熱する発光体４を導体パターン７と電気的に接続するように絶縁層３上に配置する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス１は、ベース基板２と、ベース基板２の上面側に設けられ、通電により発熱する発熱体４と、ベース基板２の下面側に設けられ、発熱体４から発生する熱を放熱する第１の放熱体８とを有している。第１の放熱体８は、互いに離間して設けられた複数のフィン８１２を有する本体８１と、樹脂材料を主材料として構成され、複数のフォン８１２により形成される凹凸８３を埋めるように設けられた樹脂部８２とを有している。 （もっと読む）

【課題】拡散をベースとする結合により結合された多部品出力構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】電気自動車に用いるための多部品出力構造体を形成する方法であって、半導体ダイ１１０、第一の金属層１２４と第二の金属層１２６を有する絶縁性基板１２０、及び液体冷却用のサーマルデバイス１５０を準備すること、導電性及び熱伝導性である第一の一時的液相ボンドにより半導体ダイ１１０と第一の金属層１２４を結合させること、第二の金属層１２６とサーマルデバイス１５０の間に母材系を固定すること、ここでこの母材系は比較的融点の低い低温材料と比較的融点の高い高温材料を含み、この比較的低い融点は比較的高い融点よりも低い、母材系を比較的低い融点よりも高く、比較的高い融点よりも低い融点に加熱して低温材料を高温材料中に拡散させること、母材系を固化させて導電性及び熱伝導性である第二の一時的液相ボンドを形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮパッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置において、はんだの厚さを厚く確保するのに適した新規な構成を提供する。
【解決手段】ヒートシンク接続ランド２１０における周辺部に、ソルダーレジスト２３０がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド２１０におけるソルダーレジスト２３０よりも内側の部位に、はんだ３００が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を介して、モールドパッケージ１００とヒートシンク接続ランド２１０とが接触することで、モールドパッケージ１００と基板２００との間におけるはんだ３００の厚さが規定されている。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンククーラによって冷却される発熱体とは別の発熱体を効率的に冷却する。
【解決手段】冷却ファン２と、冷却ファン２の下流側に設けられているとともに第一の伝熱管４と熱的に接続され、第一の伝熱管内を流れる熱媒体と送風空気とを熱交換するヒートシンク本体部３と、冷却ファン２からヒートシンク本体部３へ至る流路の外側に設けられているとともに第一の伝熱管４に連通する第二の伝熱管５と熱的に接続され、第一の発熱体２１からの熱を第二の伝熱管５内の熱媒体に熱伝導させる第一の熱伝導体６と、第一の熱伝導体６および第二の伝熱管５の少なくとも一方の方向へ冷却ファン２から送風空気を導く整流板９と、を有するヒートシンククーラ１。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１は、複数の貫通電極２及び柱状ヒートシンク３の少なくとも一方を有する。貫通電極２は、カーボンナノチューブを含有し、基板１に設けられたビア２０を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク３は、基板に設けられたビア３０を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率と絶縁性とを両立させつつ、劣化に強く低コストの中間体を有し、発熱体の熱を効率的に放熱できる放熱ユニットを提供する。
【解決手段】本発明の放熱ユニット１は、発熱体２から伝導される熱を放出する放熱部５と、前記発熱体２からの熱を前記放熱部５に伝導する中間体４と、を備え、前記中間体４は、無機物粒子の相と、該無機物粒子の相の周囲に配せられる無機結合相を有し、前記無機結合相は、金属アルコキシドが加水分解および脱水重合されて形成される無機材質を含み、前記金属アルコキシドをなす金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ，Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅの群から選択される１以上であり、前記中間体４は、前記放熱部５の表面に接合している。 （もっと読む）

【課題】面内方向と厚さ方向の両方で高い熱伝導率をもつ放熱基板を得る。
【解決手段】第１の黒鉛層１１と第２の黒鉛層１２とが積層された構造が用いられる。第１の黒鉛層１１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１２において六角形環が広がる方向を鉛直方向とする。この積層構造における第１の黒鉛層１１側から、熱伝導率の高い金属をイオン注入する。これにより、第１の黒鉛層１１は、第１の金属拡散層２１となる。積層構造の全面に、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】包絡体積が小さく放熱量の大きいヒートシンクを提供する。
【解決手段】電子部品上に装着して電子部品の発熱を放熱するヒートシンク１において、平板状の底面部１１ａ、１２ａと底面部１１ａ、１２ａの両端を折曲して立設したフィン部１１ｂ、１１ｃ、１２ｂ、１２ｃとを有した金属板から成る複数の放熱部材１１、１２を備え、対向するフィン部１１ｂ、１１ｃ、１２ｂ、１２ｃの間隔が各放熱部材１１、１２で異なるともに、フィン部１１ｂ、１１ｃ間の間隔の大きい放熱部材１１の底面部１１ａ上にフィン部１２ｂ、１２ｃ間の間隔の小さい放熱部材１２の底面部１２ａを順に重ねて一体に形成し、最も外側に配される放熱部材１１の厚みを内側に配される放熱部材１２よりも厚くした。 （もっと読む）

【課題】プレス刃と拡幅溝の当たりを均一にでき、フィンと金属ベース間のフィンと金属ベース間の嵌合性が高く、金属ベースとフィンの接触熱抵抗の低い放熱器を製造することができる放熱器製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース４と放熱フィン５とを含み、金属ベースに設けられた凸部４aの上の溝４gを押し拡げることによって前記放熱フィンがその一端部で金属ベースに固定される放熱器を製造する放熱器製造装置であって、放熱フィンの側面に沿って移動して溝を押し拡げるプレス刃を備え、プレス刃を放熱フィンの側面に交差する方向に移動可能に設けた。 （もっと読む）

【課題】熱源の熱を効率よく伝導し、且つ、グラフェンシートが積層された構造体と異種部材との接合部分の強度を高め、しかも、容易に製造することが可能な異方性熱伝導素子を提供する。
【解決手段】グラファイト複合体１１は、プレート状のグラファイト構造体２０と、構造体２０の両平面に接合された銅板２４，２５とにより構成されている。構造体２０は、積層方向と交差する方向の厚みが薄く形成されている。銅板２４，２５は、チタンを含むインサート材３５を構造体２０との間に介在させた状態で、銅板２４，２５の外側から加圧され、真空環境及び所定の温度環境のもとで加圧加熱接合される。 （もっと読む）

【課題】熱を効率良く放散することのできるパッケージキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁カバーを提供する。絶縁カバーは、互いに向かい合う内表面および外表面と、複数の開口と、収容空間とを有する。絶縁カバーの外表面にパターン化金属層を形成する。パターン化金属層の上に表面処理層を形成する。絶縁層の収容空間内に放熱素子を形成し、絶縁層に構造的に接続する。放熱素子の表面に導熱層を形成し、絶縁カバーの開口によって導熱層の一部を露出する。 （もっと読む）