【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第１電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第１電極に達する第１接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第１接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第１接続孔を介して前記第１電極に電気的に接続された第１配線とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板３と、前記半導体基板３における一方の面に設けられた第１の電極５と、前記半導体基板３における反対側の面に設けられた、第１の分布反射ミラー７、第１のクラッド層９、活性層１１、第２のクラッド層１３、第２の分布反射ミラー１５、及び第２の電極１７と、を備え、前記第１の電極５と前記第２の電極１７のうち、一方は、開口部Ａを有する出射側電極であり、他方は、コンタクト部１７ａを有する非出射側電極であり、前記活性層１１と前記出射側電極との間に、前記コンタクト部１７ａよりも小さい開口部２１ａを有する電流狭窄層２１を備えることを特徴とする面発光レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でスペックルノイズを低減することができるレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】全体のレーザ発振波長幅が５ｎｍ〜１０ｎｍに制御され、全体のレーザ発振波長幅の範囲内で０．１〜０．２ｎｍを１刻みとし、１刻み毎に対応する波長のレーザ光を発振する柱状のエミッタを少なくとも１００本以上ずつ有するナノコラムレーザダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

本発明は、第１ＤＢＲ９と第２ＤＢＲ７との間に配設される光学利得媒体８を有するＶＣＳＥＬ装置に関する。前記第１ＤＢＲ及び前記第２ＤＢＲは、レーザキャビティを形成し、前記レーザキャビティにおける自己完結レージングを可能にするよう設計され、前記第２ＤＢＲ７は、前記レーザキャビティにおいて共振するレーザ放射線に対して部分的に透明である。前記第２ＤＢＲ７の側の、前記レーザキャビティの外側の、前記レーザキャビティの光軸上には、光学素子が配設される。前記光学素子は、前記第２ＤＢＲ７に面する凹面５を持ち、前記第２ＤＢＲ７を通して放射されるレーザ放射線の一部を前記レーザキャビティ内へ後方反射するよう設計される。前記凹面５の曲率半径Ｒと、前記凹面５及び前記利得媒体８の間の距離ｄとの比Ｒ／ｄは、１と２との間の範囲内である提案ＶＣＳＥＬ装置では、改善されたモード分布及びモード安定化と共に、ハイパワー出力が達成される。
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【課題】信頼性を向上できるフォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザ１０ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板と、ｎ型クラッド層１２と、発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、フォトニック結晶層１３とを備えている。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面１１ａと裏面１１ｂとを含み、Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含んでいる。ｎ型クラッド層１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面１１ａ上に形成される。発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 （もっと読む）

本発明の目的は、高質ビーム又は低いM2因子の両方及び低減されたミラーの厚さを有するVCSELを提供することであり、該ミラーの厚さは、その低減された厚さによって熱消散及び生産コストを改善する。レーザー・キャビティから見たように、ブラッグ反射器の遠位側の終わりにある金属反射体と組み合わせたブラッグ反射体を利用することが提案されており、その金属反射体は、光軸の周りの中心に局所的に配置される。
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【課題】半導体発光装置を構成する一の半導体発光素子から他の半導体発光素子に対する断熱性や遮光性を高めることにより、発振特性の安定性を高めた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１００において、複数個の半導体発光素子５０は、溝９７を介して個々に分離されている。また、溝９７の内側の側面上には、半導体発光素子５０から漏れ出す光を反射するための反射膜２１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光のスポットの対称性が高い２次元フォトニック結晶レーザを提供する。
【解決手段】 板状部材１５１内に該板状部材１５１とは屈折率が異なる同一形状の異屈折率領域（空孔）１５２Ａ〜１５２Ｄが周期的に多数配置された２次元フォトニック結晶１５と、該２次元フォトニック結晶の一方の側に設けた活性層と、を備え、前記異屈折率領域が少なくとも２方向に同じ周期を有する格子の格子点に設けられており、前記異屈折率領域が、前記格子が有する２つの基本逆格子ベクトルの方向についてフィードバック強度が異なる形状を有し、を含むスーパーセル１５４を単位とする周期構造を有し、スーパーセル１５４内の全ての異屈折率領域１５２Ａ〜１５２Ｄによるフィードバック強度の和が前記２つの基本逆格子ベクトルの各方向において等しくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】低速信号を送信する可視光ＬＥＤと高速信号を送信するＶＣＳＥＬを集積した２波長発光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光デバイスは、面発光レーザと、前記面発光レーザと一体化された発光ダイオードとを備え、前記面発光レーザから出射される光と、前記発光ダイオードから出射される光とが互いに異なる波長を有するものである。これにより、前記面発光レーザからの信号と、前記発光ダイオードからの信号のクロストークを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】クラッド層による電気抵抗を低減すると共に、電極による光の吸収を抑制することが可能となるフォトニック結晶構造体を用いた面発光レーザを提供する。
【解決手段】青色帯の波長λで発振する面発光レーザであって、
フォトニック結晶構造体を含むフォトニック結晶層と、
前記フォトニック結晶層の一方の面側に設けられた活性層と、
前記フォトニック結晶層の他方の面側に設けられ、前記活性層に電流を注入するための電極とを有し、
前記フォトニック結晶構造体は、１００ｎｍ以上の厚さを有し、
前記フォトニック結晶層の前記電極が設けられている側と反対方向に、レーザ光が出射される構成を備える。 （もっと読む）

本発明は、基板ベース部（１）と、前記基板ベース部の上および／または横に配設されたメサ（Ｍ）とを有する垂直共振器を備える表面放射半導体レーザーにおいて、前記メサが本質的に基板ベース面に対して垂直に見て：第１の、前記基板ベース部に対向して配設されたドープ領域（２）の少なくとも一部と、第２の、前記基板ベース部と離隔して配設されたドープ領域（４）の少なくとも一部と、本質的に活性層に対して垂直に放射するレーザー放射ゾーンを有する少なくとも１つの活性層（Ａ）を有する前記第１および第２ドープ領域の間に配設された活性領域（３）とを含む表面放射半導体レーザーに関し、メサ（Ｍ）がその側面フランクの少なくとも一部分区間に少なくとも１つの狭隘部（Ｅ）を有することを特徴とする。
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【課題】 波長可変光源の波長可変幅が大きく制限されない波長可変制御方式を実現する。
【解決手段】 ダイヤフラム上に設けられた第１の光学多層膜と、第２の光学多層膜とを活性層を介して対向させることにより、この第１および第２の光学多層膜とにより光共振器を形成する面発光レーザにおいて、少なくとも前記ダイヤフラムにおける前記光共振器側の面に、この光共振器を密閉する空間を形成するとともに、この密閉する空間の圧力を変化させ、発振波長を変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、面発光半導体レーザであって、ポンプレーザ（７）を有する第１の半導体積層体（２０）と、第１の半導体積層体（２０）の上に配置されており縦型発光部（１）を有する第２の半導体積層体（３）と、を備えている面発光半導体レーザ、に関する。この縦型発光部（１）は、放射放出活性層（４）と、放射放出側（５）と、放射放出側（５）とは反対の固定側（６）と、を備えており、縦型発光部（１）の放射放出側（５）にポンプレーザ（７）が配置されており、縦型発光部（１）の固定側（６）の上に支持体（２）が配置されている。さらに、本発明は、面発光半導体レーザを製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素としたシリコン・レーザー素子及びその製造方法を提供する事にある。
【解決手段】電子を注入する第１の電極部と、正孔を注入する第２の電極部と、第１の電極部及び第２の電極部と電気的に接続された発光部を備え、発光部を単結晶のシリコンとし、発光部が第１の面（上面）と第１の面に対向する第２の面（下面）を有し、第１及び第２の面の面方位を（１００）面とし、第１及び第２の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くし、発光部の近傍に配置された、第1の誘電体から構成される導波路と、第１及び第２の誘電体を交互に隣接させる事によって形成したミラーを有する極薄シリコン・レーザーである。 （もっと読む）

【課題】電気的なクロストークを抑制することの可能な半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】表面上に金属層１４の形成された支持基板１０における金属層１４の表面に、複数の柱状の半導体レーザ素子２０が接合されている。半導体レーザ素子２０は、金属層１４側から、下部コンタクト層２１、下部ＤＢＲ層２２、下部スペーサ層２３、活性層２４、上部スペーサ層２５、電流狭窄層２６、上部ＤＢＲ層２７および上部コンタクト層２８をこの順に積層してなる柱状の垂直共振器構造となっており、半導体基板４０上での結晶成長により上記垂直共振器構造を形成したものから半導体基板４０が除去されたものである。つまり、各垂直共振器構造に直列に接続されていた半導体基板４０の抵抗成分が各垂直共振器構造から切り離されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させた光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】支持体１１と、支持体１１に載置された半導体レーザチップ１２とを備えた光源装置１であって、半導体レーザチップ１２は、光を射出するエミッタ１２ａと、支持体１１に対向する面に形成されたアノード電極１４とを有し、支持体１１は、半導体レーザチップ１２と対向する面に形成された支持体電極９を有し、アノード電極１４と支持体電極９とが、接合材５と、接合材５中に接合材５より熱伝導率の大きな伝熱部材６とを含む接合部材７を介して導電接続されていることを特徴とする光源装置１とした。 （もっと読む）