【課題】光半導体装置及びその製造方法に関し、アクティブ素子部分の特性の向上とスポットサイズ変換器による結合効率の向上を両立させる。
【解決手段】少なくとも第２の積層構造からなるスポットサイズ変換器部６の両側に第２の積層構造と同じ積層構造の上に少なくとも第２上部クラッド層５を積層したテラス構造８を設け、スポットサイズ変換器とモノリシックに結合する導波路メサ部７の両側面のみを埋め込むとともに、スポットサイズ変換器部の両側面及び頂部を埋め込む埋込層９を設ける。 （もっと読む）

【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体レーザ素子部２の活性層２０４と一体に形成されており、半導体光変調素子部４のコア層４０４がバットジョイント接合されている。このため、その接合部の異常成長部Ｐ１に電流が流入することに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光遷移領域において伝搬損失が抑制される構造とすることにより、変換特性が向上されるスポットサイズ変換器、それを備える半導体光素子、及びそれらの製造方法の提供。
【解決手段】下部コア層と、前記下部コア層より屈折率が大きい上部コア層と、を含む複数層が積層される多層構造が、ｎ型半導体基板上に形成され、前記多層構造は、光遷移領域において、光の出射方向に沿って前記上部コア層の幅が徐々に小さくなり、前記下部コア層の幅が徐々に大きくなっており、一方の端面より入射される光が、前記上部コア層を伝搬し、前記光遷移領域において光が前記上部コア層から前記下部コア層へ遷移し、さらに、前記下部コア層を伝搬して、他方の端面より出射する、スポットサイズ変換器であって、前記光遷移領域において、前記多層構造の両側と上側が、半絶縁性半導体層によって埋め込まれている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有する第一のマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、第一のマスクの周辺に第一のマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマを第一のマスク１９００および第二のマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】光損失の発生および消費電力の増加を同時に抑制した半導体光導波路素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、活性コア層と、前記活性コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有する能動部と、前記能動部に接続し、該能動部の活性コア層から出力する光のスポットサイズを拡大するようにテーパー状に形成したコア層と、前記コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有するスポットサイズ変換部と、を備え、前記コア層の上部のクラッド領域の厚さが、前記活性コア層の上部のクラッド領域の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングの進行が発現する水素の相対濃度を０．４程度とすると、マスク端での相対濃度が０．５、１．０、２．０それぞれに対して、開口部幅が１μｍのときは水素の相対濃度が０．４以上になるのでエッチングが生じる。開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】結合損失が低いとともに値のばらつきが少なく、かつ結晶品質が良好な半導体光導波路素子および半導体光導波路アレイ素子、ならびにその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、第１端部から第２端部に向かって幅と厚さとがテーパー状に減少するコア層を有するテーパー導波路を備え、前記コア層は、前記第１端部における層厚と前記第２端部における層厚との層厚比が１．５〜２．５であり、前記第２端部における幅が０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。
【解決手段】エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ₂マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１領域１０と、該第１領域と隣接する第２領域２０と、を含む発光装置１００であって、第１領域１０および第２領域２０に形成された基板１０２と、第１領域１０の基板の上方に形成された第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８と、第２領域２０の基板の上方に形成されたガイド層１２０とコア層１２２とを含み、前記活性層は第１側面１０５と第２側面１０７とを有し、活性層の少なくとも一部は利得領域１６０を構成し、少なくとも第２側面１０７には利得領域の端面１７２が設けられ、コア層１２２は、利得領域の第２側面１０７側の端面１７２と隣接する第３側面１２１と、第３側面１２１と反対側の第４側面１２３とを有し、利得領域に生じる光は、第２側面１０７側の端面１７２から、コア層１２２内を進行し、第４側面１２３まで至り、出射される。 （もっと読む）

【課題】曲げ導波路における高次モードの励振そのものを防止できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、第１の幅を有する第１光導波路１と、第１光導波路１に接続され、曲げ部２Ａを有すると共に第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２光導波路２と、第２光導波路２に接続され、第２の幅よりも広い第３の幅を有する第３光導波路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のＰＤＧ又はＰＤＬがばらついていても、安定して偏波無依存な特性が得られる光モジュールを実現する。
【解決手段】光モジュールの製造方法であって、異なる偏波方向の光導波モードに偏波間利得差又は偏波間損失差を有する半導体素子３を配置する工程と、半導体素子３との光結合損失に基づいて半導体素子３の一方の端面側にレンズ６Ａを配置する工程と、半導体素子３の偏波間利得差又は偏波間損失差に基づいてレンズ６Ａを再配置する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶中の導波路と該導波路での導波モードとは異なる導波モードで光を伝播する領域とを接続する場合に、接続部において発生する反射波を抑制し、かつ結合効率を向上させる。
【解決手段】３次元構造は、３次元フォトニック結晶中に線状欠陥部として形成され、第１の導波モードで光を伝播させる第１の導波路と、第１の導波路内に設けられ、該第１の導波路を伝播する光の一部を反射する反射部と、反射部を介して第１の導波路を伝播してきた光の少なくとも一部を第１の導波モードとは異なる第２の導波モードで伝播させるように第１の導波路に接続された第１の領域とを有する。反射部は、第１の導波路を構成する媒質の屈折率とは異なる屈折率を有する媒質によって形成され、第１の導波路が延びる方向に直交する断面の全体において均一な屈折率分布を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＡとゲートスイッチ等を集積し高い飽和光出力を有する光素子を簡単なプロセスで提供する。
【解決手段】半導体光増幅器（ＳＯＡ）と光導波路を集積した光素子において、前記光導波路は前記ＳＯＡ部分と同じ活性層を含んでリッジ構造により光導波させ、前記ＳＯＡ部分とは異なるリッジ幅若しくはリッジ深さとした。 （もっと読む）

【課題】 スポットサイズの小さい光導波路と導波路型光機能部品との間の光結合効率の高い光導波回路を提供することにある。
【解決手段】 光導波路と導波路型光機能部品のコアをそれぞれ近接させ、導波路型光機能部品のコアに連続して実効的屈折率が接続対象の導波路に向かい低くなるような層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】 量子井戸構造を有する光学的活性領域（例えば、レーザ活性領域）の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子（半導体レーザ）を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。
【効果】 半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。 （もっと読む）

【課題】単純な構造を有すると共に発光効率の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、第１導電型のＧａＡｓ基板１２と、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１４と、III−Ｖ族化合物半導体層１４上に設けられた活性層１６と、活性層１６上に設けられた第２導電型の上部クラッド層１８とを備える。III−Ｖ族化合物半導体層１４のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ２）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも大きい。活性層１６のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ３）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも小さい。III−Ｖ族化合物半導体層１４の厚さは０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体発光装置では一定動作電流での光出力が小さい上、それを電界吸収型光変調器などの光素子と集積する際にリッジ幅に制限ができ、本来得られるはずの特性を低くして集積しなくてはならず、低コストかつ低消費電力化ができなかった。
【解決手段】リッジを有する半導体発光装置において、リッジとそれ以外の構成要素との屈折率差を低くすることにより単一横モードのままリッジ幅の拡大を可能にし、かつリッジ両側に沿ってほぼ垂直の溝を形成することにより、拡散電流防止と屈折率差増大を防ぎ、かつリッジに回折格子を形成することにより、再成長による特性劣化を防ぎ、かつそれらを電界吸収型光変調器などの光素子と集積する際、成長回数を増大させることなく、テーパー状の導波路を用いることによりリッジ幅に制限なく電界吸収型光変調器などの光素子と上記発光装置とを集積する。 （もっと読む）