【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、高い発振歩留まりのレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がａ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ａ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ａ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】活性層２９は波長５００ｎｍ以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域２９に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、２層構造の第１の光ガイド層２７と２層構造の第２の光ガイド層３１とを用いる。ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】発光素子層を有する半導体層の表面の平坦性をより一層向上させることが可能な窒化物系半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体層の形成方法は、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面（（１−１００）面）に溝部２０を形成する工程と、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面（（１−１００）面）上に、溝部２０の内側面２０ａを起点として（０００−１）面からなる光出射面３０ａを有する半導体レーザ素子層１２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光半導体デバイスにおける光出射面等の基材表面に存在する未結合手を低減させて、光半導体デバイスの性能向上を図る。
【解決手段】 劈開面に代表される光出射面または光反射面が形成されている光半導体デバイス１０が、シアン化合物を含む溶液に浸漬、噴霧、またはその蒸気に曝露されることにより、光出射面等の表面に存在する未結合手がシアノ基（−ＣＮ）の結合により終端される。これにより、活性な光出射面や光反射面の表面の酸化等による変質や、これらの表面近傍の非発光部の広がりが抑制されるため、安定性、信頼性の優れた光半導体デバイスが得られる。 （もっと読む）

【課題】 高い光出力が得られるとともに、広い変調帯域を有し高速変調が可能な面発光レーザを提供する。
【解決手段】 正及び負のキャリアを注入する各々１つ以上の電極を有する面発光レーザ本体と、フォトニック結晶レーザとを備え、前記面発光レーザ本体は、前記電極から注入されたキャリアと前記フォトニック結晶レーザからのポンピング光とにより励起されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 高出力の窒化物系半導体レーザ素子の信頼性を改善する。
【解決手段】 窒化物系半導体レーザ素子（１０）は、基板（１０１）上の窒化物系半導体積層構造（１０２−１０９）を含み、この半導体積層構造に形成されたリッジストライプ（１１０）によってその半導体積層構造内にストライプ状導波路が生じ、そのリッジストライプ（１１０）が安定化ジルコニア（１１１）または部分安定化ジルコニア（１１１）により埋め込まれていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハ等の被加工物を切断形成すると同時に断面を研磨することができるブレード加工方法を提供する。
【解決手段】高速回転するブレード１１の砥石１１Ｂおよびその周辺領域１２に対してノズル１３からスラリー１４を吐出しつつ、ダイシング台１５上の半導体ウェハ２０をスライドさせて、切断すると同時に、その切断面２０Ａを研磨する。このとき、高速回転しているブレード１１に付着して加速された研磨剤１４Ａが低入射角で切断面２０Ａに対して衝突することにより高精度の研磨がなされる。ノズル１３に対して超音波振動を付与してスラリー１４中の研磨剤１４Ａを分散させることにより、より精度が向上する。 （もっと読む）

【課題】光導波路などの半導体素子の前段階である角柱状ウェハの端面に薄膜を均一な膜厚で被着することができず、余分な部分に成膜されたものを除去する必要があり、工程が多くなる問題を有している。
【解決手段】チップ状の半導体素子となる角柱状ウェハの両端面に薄膜を形成するために、上記各角柱状ウェハを両側面から狭持するセラミックス製のマスキングスペーサ１であって、上記角柱状ウェハと当接する両側面１ａをセラミック粒子が突出し、表面粗さＲａが０．３〜０．９μｍの焼肌面とし、かつ、両端面１ｂを研磨面とすることで、反射鏡となる薄膜形成のために、交互に狭持し、中空に吊しても十分なグリップ効果があるために落下させてしまうのを防止できるとともに、治具上に接触させて薄膜形成する必要がないことから、角柱状ウェハの薄膜形成面を汚損或いは損傷するという問題を防止できる。 （もっと読む）

【課題】窓領域を正確に形成することができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板１上に半導体多層膜３を備えると共に光出射端部に窓領域５を備える半導体レーザ素子において、半導体多層膜３上の窓領域５近傍にマーカ部４を備えることを特徴とする。 （もっと読む）