【課題】本発明は、劈開時の結晶欠けを抑制できる半導体レーザダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザダイオードは、基板１４と、該基板１４の上方に形成された活性層２６と、該活性層２６の上に形成された半導体層２８と、該半導体層２８のうち該前端面１２ａを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる前端面高抵抗部２８ａと、該半導体層２８のうち該後端面１２ｂを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる後端面高抵抗部２８ｂと、該前端面１２ａにおいて該前端面高抵抗部２８ａと直接接しない部分を有し、かつ該後端面１２ｂにおいて該後端面高抵抗部２８ｂと直接接しない部分を有するように、該半導体層２８の上に形成された電極３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】容易且つ確実にＴＥ−ＴＭ偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置を実現する。
【解決手段】ＳＯＡは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、量子ドット３を有する光学的に結合した単一の活性層５を備えた光導波路１１とを含み、光導波路１１は、ＴＥモード偏波利得及びＴＭモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第１の領域１１ａと、他方が一方よりも大きい第２の領域１１ｂとを備えており、全体としてＴＥモード偏波利得とＴＭモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されている。 （もっと読む）

【課題】光出力の低減を抑制しつつ比較的に低い閾値電圧で駆動可能な半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の作製方法とを提供する。
【解決手段】端面発光型の半導体レーザ素子１１であって、六方晶系半導体からなる支持基体１の主面１ａの上に設けられた活性層３と、活性層３上に設けられたｐ型窒化物半導体領域４と、ｐ型窒化物半導体領域４上に設けられたＩＴＯ電極５ａと、を備え、ｐ型窒化物半導体領域４のｐ側クラッド層４ｃは、０．１８μｍ以上０．２２μｍ以下の範囲の膜厚を有し、ＩＴＯ電極５ａは、活性層３の発振波長の光に対し２．５×１０^３ｃｍ^−１以上３．０×１０^３ｃｍ^−１以下の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体レーザ素子を同時に精度よく位置決めすることができる。
【解決手段】半導体レーザチップ６の端面に対して垂直な方向と当該端面に平行な少なくとも１方向とにおける位置決めを行い、当該位置決めした位置に吸引固定する治具４と、半導体レーザチップ６を位置決め固定した状態の複数の治具４を、各半導体レーザチップ６のコーティングを施す端面の位置が揃うように、それらの端面を上向きに並べて固定する台座８、Ｙ方向押さえ３０、および、Ｚ方向押さえ３１，３２とを備えた半導体レーザ素子の製造装置である。また、台座８およびＹ方向押さえ３０に、露光用マスクとの位置決めを行うためのアライメント９も設けた。これにより、半導体レーザチップ６の端面に、マスクパターンを用いて高精度に区分けされたコーティングを施すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】窓領域の形成による動作電流や導波損失の増加を抑制することができるとともに、製造歩留まりの良好な半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、量子井戸構造を有する活性層を含む半導体積層部を設けた半導体レーザ素子において、半導体積層部の上部にストライプ状の導波路を形成し、劈開により共振器端面を形成する。基板の主面に対して垂直上方からみた平面視において、共振器端面を形成するための劈開位置に沿う帯状の領域に、活性層の量子井戸構造よりもバンドギャップを広くした窓領域を形成するとともに、窓領域の一部を除去するための溝部を劈開位置に形成する。また、窓領域は、基板の主面と垂直な方向において、少なくとも活性層と同じ高さの位置に形成する。溝部は、基板の主面と平行であって導波路の長手方向と垂直な方向に導波路の端から離れるように形成する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造の分布反射レーザ装置である半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１半導体層と、第１半導体層上の第１領域に形成された活性層と、第１半導体層上の第２領域に形成され、活性層から放出された光を導波する光導波層と、活性層および光導波層の近傍に配置され、活性層および光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、活性層上および光導波層上に形成された第２半導体層と、光導波層上方で、第２半導体層上に形成された絶縁層と、第２半導体層上方に形成され、活性層上方から光導波層上方に延在し、活性層上方では第２半導体層に電気的に接続し、光導波層上方では第２半導体層との間に絶縁層が介在し、光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】 閾値電流密度Ｊ_ｔｈを低減し最高動作温度Ｔ_ｍａｘを高めた量子カスケードレーザー素子を作製する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、一対の電極２０、３０に挟まれている半導体超格子構造１００ＡのＱＣＬ構造１００を備えるＴＨｚ−ＱＣＬ素子１０００が提供される。半導体超格子構造１００Ａ（ＱＣＬ構造１００）は、例えば一対の電極間に電圧が印加された際のサブバンド間の電子の遷移により、ＴＨｚ領域の電磁波を放出する活性領域１０を備えている。その活性領域１０は、交互に積層されたウェル層１０Ｗとバリア層１０Ｂをいくつか含むある厚みの単位構造１０Ｕを繰り返し有しており、ウェル層１０Ｗは、ＡｌＡｓとＧａＡｓとの混晶であるＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ＜１）からなる。 （もっと読む）

【課題】光共振器端面の熱拡散を促進することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板にｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記ｐ型半導体層の上のｐ側電極を有するレーザ構造部と、前記半導体積層構造の対向する二つの側面に設けられた一対の共振器端面と、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成され、前記レーザ構造部の上面のうち前記共振器端面の位置を含む領域に設けられた膜とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸調整が容易であり、且つ小型化が可能な半導体レーザ集積素子および半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ集積素子１０と、半導体レーザ素子４０とを備える。半導体レーザ集積素子１０では、２つの半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂが半導体基板１１上に形成されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ青色レーザ光及び緑色レーザ光を出力する。半導体レーザ素子４０は赤色レーザ光を出力し、半導体レーザ構造２０Ａ上にフェースダウン実装されている。半導体レーザ集積素子１０は、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各共振端面を覆う誘電体膜を更に備える。各共振端面上における誘電体膜の厚さは略等しく、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各発振波長における誘電体膜の反射率の差は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】静電容量を減らして応答性を良くした窒化物半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１０は、活性層１６と、活性層１６の上方に積層された上部クラッド層１９と、上部クラッド層１９の上方に積層された低誘電率絶縁膜２２と、低誘電率絶縁膜２２の上方に積層されたパッド電極２３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子１０は、以下の構成を備えている。基板１００上には、ｎ型の第１半導体層２００、活性層３００、ｐ型の第２半導体層４００が順に設けられている。また、２つの第１端面８４０は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、２つの溝部８２０は、平面視で第１端面８４０と直交する方向に、２つの第１端面８４０まで延在している。さらに、溝部８２０は、底部が少なくとも活性層３００の下面よりも下まで位置している。また、第２端面８６０は、第１端面８４０と直交する方向で、かつ、溝部８２０よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低減される窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１５ｂと、ｎ側光ガイド層２９と、活性層２７と、ｐ側光ガイド層３１と、ｐ型クラッド層２３と、を備え、活性層２７の発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂは、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｐ型クラッド層２３は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１は、何れも、インジウムを含有し、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１のインジウムの組成は、何れも、２％以上６％以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚は、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚とｐ型クラッド層２３の膜厚との合計の６５％以上８５％以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ構造の光導波路を有するリッジ型の半導体光デバイスのレーザ活性層または光吸収層の特性を向上させる。
【解決手段】メサストライプ上に設けられた電極２９を、応力低減用スリット２９‐１によって光伝搬方向に少なくとも２つ以上の領域に分離することにより、レーザ活性層または光吸収層２４に加わる応力を低減し、さらに、必要に応じて当該電極２９のメサストライプ端部付近における分離領域のサイズを小さくすることで、特に応力が集中するメサストライプ端部付近の応力を低減させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶基板上にモフォロジーが良好で均一な物性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層が成長された高特性のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ結晶基板１００と、ＧａＮ結晶基板１００の主面１００ｍ上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００と、を含み、ＧａＮ結晶基板１００は、マトリックス結晶領域１００ｓとｃ軸反転結晶領域１００ｔとを含み、主面１００ｍと｛０００１｝面１００ｃとの間のオフ角θについて、＜１０−１０＞方向および＜１−２１０＞方向のうちいずれか一方の方向を第１方向とし他方の方向を第２方向とするとき、第１方向のオフ角成分の絶対値｜θ₁｜が０．０３°以上１．１°以下、かつ、第２方向のオフ角成分の絶対値｜θ₂｜が０．７５×｜θ₁｜以下である。 （もっと読む）