【課題】半導体リレー装置において、特殊なプロセスを用いることなく、充放電回路全体の耐圧を向上させることを可能にして、低コストで出力用ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗化を図る。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５のゲート・ソース間に配された複数の充放電回路７ａ、７ｂを直列に接続し、これらの充放電回路７ａ、７ｂの各々に、２つのフォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの各々を並列に接続した。この構成においては、各フォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの光起電力に相当する電圧が、そのフォトダイオードアレイに並列に接続された充放電回路（７ａ又は７ｂ）内のＭＯＳＦＥＴ（８ａ又は８ｂ）のみにかかり、それ以外の充放電回路内のＭＯＳＦＥＴにはかからない。従って、２つの充放電回路７ａ、７ｂの全体の耐圧を、これらの充放電回路７ａ、７ｂに含まれる、複数のＭＯＳＦＥＴ８ａ、８ｂの耐圧の合計にすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、装置全体のチップサイズを小さくして、チップコストの低減と実装面積の縮小化を図る。
【解決手段】従来はｐ型単結晶シリコン島２１３に形成していた（充放電回路における）ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２０８（図（ａ）参照）を、ｎ型単結晶シリコン島１３に形成したｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ８（図（ｂ）参照）に変更した。これにより、ｎ型単結晶シリコン島１３のキャリアの通路の断面積を、ｐ型単結晶シリコン島２１３のキャリアの通路の断面積の２分の１以下にしても、これらのキャリアの通路における抵抗値を同じにすることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ８をｎ型単結晶シリコン島１３にｎチャネル型で形成することにより、オン抵抗を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８に比べて大きくすることなく、ＭＯＳＦＥＴ８のゲート幅Ｗ３を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８のゲート幅Ｗ１より小さくできる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させ、しかも、このオン／オフ動作の速度を、従来よりも速くする。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースと誘電体分離チップの１０の支持基板１４とを電気的に接続したことにより、誘電体分離チップ１０の支持基板１４の電位を、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースの電位に固定することができる。これにより、活性領域・支持基板間容量Ｃ_ＰＣに貯めることが可能な電荷の量の安定化を図れ、しかも、この容量Ｃ_ＰＣの電気的な接続先が固定される。従って、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させることができる。また、従来と異なり、上記容量Ｃ_ＰＣの全てが、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のゲート・ソース間に並列に配置されて寄生容量として働くことがなくなるので、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を、従来よりも速くすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの電流を増加させず、耐ノイズ性を確保したままでフォトカプラの長寿命化を図る。
【解決手段】入力端子１２４と直流電源高電位側との間に接続されて電流を吐き出すための第１の定電流回路（スイッチング素子ＭＰ１，ＭＰ２、電流源Ｉ１，Ｉ２）と、入力端子１２４と直流電源低電位側との間に接続されて電流を吸い込む第２の定電流回路（電流源Ｉ３）と、第１，第２の定電流回路を相補的に動作させるスイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３と、を備え、スイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３を、フォトカプラ２１のオン後に第２の定電流回路により電流を吸い込むように動作させると共に、フォトカプラ２１のオフ後に第１の定電流回路により電流を吐き出すように動作させ、電流吐き出し期間における吐き出し電流値を、吐き出し開始時から一定期間経過後に減少させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサ電極の容量を同時に検出可能な容量電圧変換回路を提供する。
【解決手段】Ｃ／Ｉ変換回路１０_１〜ｎはそれぞれ、センサ容量Ｃｓごとに設けられ、対応するセンサ容量Ｃｓの容量値に応じた検出電流Ｉｓを生成する。電流平均化回路２０は、複数のＣ／Ｉ変換回路１０_１〜ｎにより生成される検出電流Ｉｓ_１〜ｎを平均化する。Ｉ／Ｖ変換回路３０_１〜ｎは、それぞれがセンサ容量Ｃｓごとに設けられ、対応する検出電流Ｉｓ_ｉと平均化された検出電流Ｉ_ＡＶＥとの差分電流を検出電圧Ｖｓ_１〜ｎに変換する。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーを小型化すること。
【解決手段】半導体リレー１は、発光ダイオードＬＤ、フォトダイオードＰＤ、スイッチ素子Ｑ、および抵抗Ｒを備える。フォトダイオードＰＤのアノードには、スイッチ素子Ｑのソースと、端子Ｐ４と、が接続される。フォトダイオードＰＤのカソードには、スイッチ素子Ｑのゲートと、抵抗Ｒの一端と、が接続される。抵抗Ｒの他端には、スイッチ素子Ｑのドレインと、端子Ｐ３と、が接続される。 （もっと読む）

【課題】 既存のハードウェア構成を極力変更せず、ＯＮ抵抗の切替後の変動を迅速に収束させることが可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】 本発明の代表的な構成は、波形発生器または波形測定器に適用される信号処理回路１００であって、信号経路の切替を行う半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌと、信号経路上の半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌに、波形発生時または波形測定時に流れる電流よりも大きな電流をその直前に一時的に流す制御部１４２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】専有面積が小さくかつ多数の半導体リレーを搭載可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】半導体リレー１の発振回路１０と、昇圧回路２０と、充放電回路３０とが１チップで構成されている。この半導体リレー１は、第１及び第２の入力端子Ｔ_ｉ１、Ｔ_ｉ２に接続され、入力信号に応答して発振し、信号を生成する発振回路１０と、この発振回路１０の信号を受信して電圧を発生する昇圧回路２０と、この昇圧回路２０によって発生した電圧を充放電する充放電回路３０と、充放電回路３０にゲート及びソースが接続された出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂからなる出力部４０とを具備している。そして、この出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂのドレイン端子を第１及び第２の出力端子Ｔ_ｏ１、Ｔ_ｏ２とする構成である。 （もっと読む）

【課題】低電流下で使用可能であり、高温側での使用が可能で安全でかつ駆動電力効率の高い半導体リレーを提供する。
【解決手段】半導体リレー１は、第１及び第２の入力端子Ｔ_ｉ１、Ｔ_ｉ２に接続され、入力信号に応答して発振し、信号を生成する発振回路１０と、この発振回路１０の信号を受信して電圧を発生する昇圧回路２０と、この昇圧回路２０によって発生した電圧を充放電する充放電回路３０と、充放電回路３０にゲート及びソースが接続された出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂからなる出力部４０とを具備している。そして、この出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂのドレイン端子を第１及び第２の出力端子Ｔ_ｏ１、Ｔ_ｏ２とする構成である。 （もっと読む）

【課題】矩形波の信号入力に応じて出力する出力電流の波形を矩形波に近づけることが可能な電流源回路を提供する。
【解決手段】電流源回路は、電圧端子に一端が接続された第１のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され、出力端子に他端が接続された第２のＭＯＳトランジスタと、電圧端子に一端が接続された第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され、出力端子に他端が接続された第４のＭＯＳトランジスタと、を備える。この電流源回路は、第１のＭＯＳトランジスタおよび第４のＭＯＳトランジスタに電流が流れるように第１の入力端子にバイアス電圧が印加された状態で、第２の入力端子に印加されるスイッチ電圧に応じて、第２のＭＯＳトランジスタおよび第３のＭＯＳトランジスタのオン／オフを同期して制御する。 （もっと読む）

【課題】使い勝手が良く、低消費電力な光センサを用いた近接センサを提供すること。
【解決手段】第１の光センサを用いて、指が近づくことで光センサに入射される周囲光量が変化したことを検出し、この検出結果をもとに検出信号を出力する構成とした。光センサは、例えば一つ又は並列に接続された複数のＰＮ接合素子で構成されている （もっと読む）

【課題】高周波特性を向上させるとともに、発光素子と制御素子を封止する透光性樹脂の形状を所望の形状に保持しやすい半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、ソース電極同士が接続されたＭＯＳＦＥＴ１１，１２からなり、高周波信号用の信号伝送線路１１０の途中に設けられた半導体スイッチ１と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード３１と、発光ダイオード３１からの光信号を受光する受光素子を有し当該受光素子の出力に応じてＭＯＳＦＥＴ１１，１２のオン／オフを制御する制御ＩＣ３２と、制御ＩＣ３２が備える受光素子および発光ダイオード３１を光学的に結合させた状態で樹脂封止する透光性樹脂８を備える。制御ＩＣ３２は、信号伝送線路１１０を構成する導体パターン１１３から分岐させたランド１３２上に配置され、導体パターン１１３とランド１３２との間にはＬＰＦ４が挿入される。 （もっと読む）

【課題】消費電流が極めて少ない光検出回路を提供すること。
【解決手段】ゲートが相対するＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインに夫々接続された２個の相対するＰチャネルＭＯＳトランジスタを有し、一方のＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインは、光発電素子で発生した電圧でオンするＮチャネルＭＯＳトランジスタで放電し、もう片方のＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインは、ゲートに基準電源端子の電圧が入力され、ソースに光発電素子で発生した電圧が入力されるディプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタのオン電流で放電される構成とした。 （もっと読む）

【課題】接点がオンになったときにオン抵抗が変化しない半導体リレーおよびその駆動回路を実現する。
【解決手段】第１の発光素子が封入されたパッケージと同じパッケージに、この第１の発光素子と相補的に動作し、同程度に発熱する発熱体を封入するようにした。半導体リレーがオンオフを繰り返してもパッケージの温度が一定になり、従ってオン抵抗も一定になる。高速で多数の端子を切り替えて電圧を測定するＩＣテスタに用いると正確に電圧を測定でき、またパッケージの温度が一定になるのを待つ必要がないので、試験時間を短縮できる。 （もっと読む）

本発明は、物体の接近を検出する、特にジェスチャを認識する静電容量式センサシステムに関する。本発明の課題は、部品が簡単で、低コスト、空間要件も小さく実装でき、また、消費電力量が少なく低用量バッテリでも長時間作動できる、静電容量的に動作するセンサシステムの提供である。上記課題を解決する回路構成は、センサ電極周囲の誘電特性変化に基づいて、近似処理に関連する出力信号を生成する回路構成であって、少なくとも幾つかのセクションで、観察領域に隣接するセンサ電極と、交流電圧を出力するマイクロコントローラ（μＣ）と、該μＣが出力した交流電圧のレベルを調整する分圧回路と、インピーダンス変換器として機能する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、を有し、該ＦＥＴを、分圧回路が出力した電圧を、そのゲート入力に存在させると同時に、センサ電極（Ｅ_S）でも存在するように、回路構成に組込むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リレー回路の出力段のスイッチング素子のオン抵抗特性が増加するという問題が生じる。
【解決手段】本発明は、入力電気信号に応じて光信号を出力する発光素子と、前記光信号を電気信号に変換し、両端に電位差を生成する光電変換素子と、所定の閾値を有し、前記所定の閾値を超える前記光電変換素子が生成する電位差に応じて、出力状態を決定するスイッチング素子と、前記光電変換素子の両端に接続され、前記光電変換素子が生成する電位差を前記スイッチング素子に伝達する第１の経路および第２の経路と、前記光電変換素子の生成する電位差が所定の値まで低下した場合、前記第１の経路と前記第２の経路とを、導通する放電回路と、前記放電回路と前記スイッチング素子間に配置され、前記第１の経路と前記第２の経路との間に接続される第１の抵抗素子と、を有するリレー回路である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＰＷＭ駆動のリニアリティ低下やダイナミックレンジ縮小を招くことなく、単一の外部制御信号のみを用いて装置自体のオン／オフ制御と負荷のＰＷＭ駆動の双方を実現することが可能な負荷駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＬＥＤドライバＩＣ１は、ＰＷＭ駆動される輝度制御信号ＰＷＭからイネーブル信号ＥＮを生成するイネーブル制御部１０Ａ（図１では平滑回路）と；イネーブル信号ＥＮに応じてオン／オフ制御され、かつ、輝度制御信号ＰＷＭに応じてＬＥＤ２のＰＷＭ駆動を行う負荷駆動部２０と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】低コストで確実に同時オンを防止できる、リレー駆動装置における同時オン防止回路を提供すること。
【解決手段】２つの半導体リレー（一方向通電駆動型リレー）１，２が互いに逆方向となるように接続された両接続点に、それぞれ、制御部（駆動制御手段）３からのパルス制御信号が入力されるＮＡＮＤゲート素子（第１および第２のロジック素子）６ａ、６ｂの出力端子が接続され、ＮＡＮＤゲート素子（第１および第２のロジック素子）６ａ、６ｂは、それぞれ、一方がハイレベルの時他方がローレベルとなる駆動出力信号を出力するように制御部（駆動制御手段）３で制御される。 （もっと読む）

【課題】負荷短絡状態を検出することで、負荷短絡に起因する焼損を回避する。
【解決手段】半導体集積回路２０は、負荷２４に接続され、かつ負荷２４を介して電源Ｖｃｃを受ける端子Ｔ３と、電源Ｖｓｓを受ける端子Ｔ４と、電源Ｖｃｃを用いて、電源Ｖｒｅｇを生成するレギュレータ３０と、電源Ｖｒｅｇが供給されるセンサ２１からの検知信号に基づいて、電源Ｖｃｃを降下電圧Ｖｄｅｓ以下に設定するシャント回路３２と、シャント回路３２によるシャント動作時に、負荷２４が短絡したか否かを判定し、かつ負荷２４が短絡したと判定した場合に負荷２４が短絡したことを示す出力信号ＳＴＰを出力する保護回路３３とを含む。 （もっと読む）