【課題】スイッチに接続される回路を保護することができるスイッチ及びスイッチの制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のスイッチ５０は、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第１端子２０と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ１と、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第２端子２２と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ２と、を備え、ＦＥＴ１をオフするためにＦＥＴ１のゲートに印加される電圧の絶対値は、ＦＥＴ２をオフするためにＦＥＴ２のゲートに印加される電圧の絶対値に比べて小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の挿入損失の増加を抑制した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路部と制御回路部とスイッチ部とを備えた半導体スイッチが提供される。前記電源回路部は、内部電位生成回路と第１のトランジスタとを有する。前記内部電位生成回路部は、電源線に接続され、入力電位よりも高い第１の電位を生成する。前記第１のトランジスタは、前記内部電位生成回路の入力と出力との間に接続され、前記第１の電位が前記入力電位よりも低下したときオンして前記第１の電位を前記入力電位以上に保持するようにしきい値電圧が設定されたことを特徴とする。前記制御回路部は、前記第１の電位を供給され、ハイレベルまたはローレベルの制御信号を出力する。前記スイッチ部は、前記制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。 （もっと読む）

【課題】入出力端子と半導体スイッチとの間を接続する配線同士が交差する箇所が発生しても、端子間のアイソレーション特性を向上させつつ、サイズ及びコストを抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ回路（２０）は、複数の入力端子（３１，３２）のうち任意の入力端子を配線層（５１）又は再配線層（２５１）を介して複数の出力端子（４１〜４４）のうち任意の出力端子と接続させるように構成される。複数の入力端子及び複数の出力端子のうち、ある端子と半導体スイッチ回路との間を接続する配線と、他の端子と半導体スイッチ回路との間を接続する配線とが交差している箇所において、交差する配線のうち、一方の配線を配線層とし、他方の配線を再配線層とする。 （もっと読む）

【課題】小型化と高いアイソレーションを実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】装置本体２は、半導体素子搭載部３と、第１の導電体４及び第２の導電体５を有する。第１の導電体４及び第２の導電体５は、半導体素子搭載部３の周囲に互いに近接して設けられている。半導体素子は、半導体素子搭載部に配設される。半導体素子は、第１のスルースイッチＦＥＴ１と、第１のシャントスイッチＦＥＴ１と、第２のスルースイッチＦＥＴ２と、第２のシャントスイッチＦＥＴ２と、を有する。第１のスルースイッチＦＥＴ１は、共通端子ＡＮＴと第１の高周波端子ＲＦ１との間に接続される。第１のシャントスイッチＦＥＴ１は、第１の高周波端子ＲＦ１に接続される。第２のスルースイッチＦＥＴ２は、共通端子ＡＮＴと第２の高周波端子ＲＦ２との間に接続される。第２のシャントスイッチＦＥＴ２は、一端が第２の高周波端子ＲＦ２に接続される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】自励型発振回路を備えるＤ級増幅装置における音質を従来から更に向上させることが可能な自励型発振回路等を提供する。
【解決手段】信号出力端子ＯＵＴに接続されたスイッチング素子１５Ａ及び１５Ｂと、信号入力端子ＩＮと、の間に接続される自励型発振回路ＳＢにおいて、入力端が信号入力端子ＩＮに接続され且つ増幅素子を含む電流駆動型の電圧／電流変換部１０と、電圧／電流変換部１０の出力端に一端が接続され且つ他端が直接接地された積分コンデンサ１１と、スイッチング素子１５Ａ及び１５Ｂの出力段と、積分コンデンサ１１の上記一端と、の間に接続された帰還抵抗１４と、積分コンデンサ１１の上記一端と、ゲートドライバ１３と、の間に接続されたヒステリシスコンパレータ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチの切替時間を短縮できる高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、負電圧発生回路に接続されるとともに、出力ノードが高周波スイッチ回路に接続され、高周波スイッチ回路に供給するローレベルの制御信号として負電位の信号を供給するレベルシフト回路を有し、出力ノードに蓄積されている電荷を、レベルシフト回路が動作する前に放電させる。 （もっと読む）

【課題】高周波スイッチ回路において寄生容量による動作特性の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態により、第1線路と第2線路と第1スイッチとを含む第1差動線路と、第3線路とを含む高周波スイッチ回路が提供される。前記第1線路は一端および他端を有する。前記第2線路は一端および他端を有する。前記第1線路および第2線路の前記他端で差動信号を受信、または前記他端から前記差動信号を出力する。前記第1スイッチは前記第1および第2線路の前記一端間の電気的接続を切り替える。前記第3線路は、前記第1スイッチがオンのとき前記第1差動線路と電磁結合するように配置される。前記第1スイッチは、前記第1線路の他端からの電気長と、前記第2線路の他端からの電気長とが略等しくなる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 異なる通信システムに対応可能で、受信感度が高く送信電力の損失が抑制された高周波回路、高周波部品及びこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のアンテナ端子と、第１の通信システム用の送信端子並びに第１及び第２の受信端子と、前記第１及び第２のアンテナ端子を選択して前記送信端子と接続するスイッチ回路を少なくとも備えた高周波回路であって、前記スイッチ回路と第１のアンテナ端子をつなぐ信号経路と、前記スイッチ回路と第２のアンテナ端子をつなぐ信号経路のそれぞれに整合回路を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波信号が通る信号線と、オーディオ信号が通る複数の信号線が合流して使用される場合において、高周波信号およびオーディオ信号に発生する歪成分を抑制する。
【解決手段】高周波信号を伝送可能なケーブルの端子と、オーディオ信号を専用に伝送するケーブルの端子を共通に挿し込むことができる共通端子５０からの信号線は二つに分岐して、高周波系スイッチ（ＵＳＢスイッチ１０）の一端と、第１階層のオーディオ系スイッチ（オーディオスイッチ２０）の一端にそれぞれ接続される。高周波系スイッチの他端からの信号線は目的の回路に接続される。第１階層のオーディオ系スイッチの他端からの信号線は複数に分岐して、それぞれ第２階層のオーディオ系スイッチ（ヘッドホンスイッチ２１、マイクスイッチ２２）の一端に接続される。第２階層の複数のオーディオ系スイッチの他端からのそれぞれの信号線はそれぞれの目的の回路に接続される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とする。
【解決手段】負電圧レベルシフト回路４ａは、第３のレベルシフタ１３ａと、第４のレベルシフタ１４ａとを具備すると共に、レベルシフト基準電圧回路３からの切替信号に応じて第４のレベルシフタ１４ａを短絡、開放するレベルシフト切替スイッチ８ａとを具備してなり、負電圧ＶＳＳの大きさに応じて、レベルシフト切替スイッチ８ａのオン、オフを選択することで、負電圧ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドの拡張が可能に構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】直列に複数個接続されたそれぞれのＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１〜Ｑ_Ｎ５のソース領域とドレイン領域の間に、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に正電圧を印加する場合と、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に負電圧を印加する場合のいずれの状態においても、ソース領域の電位とドレイン電極の電位が同電位の状態よりも容量が減少する電圧依存性を持つ歪補償用容量回路ＣＡＰＣ２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＦＥＴ１の劣化ないし破壊を防止するための保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】
主スイッチ２をＯＮすると＋電源３および−電源４に電圧が供給されコンデンサＣ３およびＣ４により＋電源と−電源は徐々に立ち上がる。この時電子スイッチ２１はＯＦＦに設定されている。−電源４が規定値まで立ち上がると電子スイッチ２１はＯＮとなりＦＥＴ１のドレインに＋電源３が印加される。主スイッチ２をＯＦＦとすると＋電源３と−電源４はコンデンサＣ３およびＣ４により徐々に電圧は下がり始める。−電源が下がり始めると電子スイッチ２１はＯＦＦとなりＦＥＴ１のドレイン電圧７はＯＦＦとなる。
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【課題】通過損失が少なく出力特性が良いＳＯＩ基板上の高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の高周波スイッチ回路は、シリコン基板２０上に形成された酸化膜２１上に、第１の端子１と、入出力端子２と、第１の電極４ｂが前記第１の端子１に電気的に接続され、第２の電極４ｃが前記入出力端子２に接続されたＦＥＴ４とを備える。第１の層間絶縁膜２２が前記ＦＥＴを周囲から離間分離し前記酸化膜２１に達する溝に埋め込まれて配置され、前記酸化膜２１と接続され、前記ＦＥＴ４を周囲から絶縁する。導電体層１０が、前記溝内の前記第１の層間絶縁膜２２上に形成され、接地端子ＧＮＤに接続される。第２の層間絶縁膜２３が、前記導電体層１０上及び前記ＦＥＴ４上に形成される。直流電圧を供給する配線層７が、前記溝内の第１の層間絶縁膜２２上且つ前記導電体層１０上に前記第２の層間絶縁膜２３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑え、ひずみ特性の良好な高周波スイッチ回路およびその設計方法を提供する。
【解決手段】共通端子と個別端子との間に高周波スイッチ部を備え、高周波スイッチ部は、スタック段数ｎ段の直列スイッチ素子群と、スタック段数ｎ＋１段以上の直列スイッチ素子群で構成されている。スタック段数の異なる直列スイッチ素子群は、レイアウト面積と高調波特性に関連するコスト係数のトレードオフ関係を微調整し、最適なひずみ特性を実現しつつ、チップ面積の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】一つの切替信号によってスイッチ動作を制御可能とする。
【解決手段】デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１が直列接続されて設けられ、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１のゲートが第１のゲート抵抗器を介して接地される一方、エンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１のゲートには、第２のゲート抵抗器を介して外部から切替信号が印加可能とされ、前記切替信号の電圧レベルを変化させることで、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１の導通、非導通を相補的に切替可能にし、第１乃至第３の高周波入出力端子１０１〜１０３における高周波信号の入出力を制御可能としてなるものである。 （もっと読む）

【課題】低周波帯域において線形性劣化のない半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】入出力端子間に直列にソースおよびドレインを接続した１又は２以上の電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲートに接続した抵抗を備えた半導体スイッチ回路において、電界効果トランジスタのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間に、キャパシタをそれぞれ接続可能とした。
【効果】ＦＥＴのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間すべてにキャパシタを接続したことにより、従来より低い周波数帯域においてゲート電極に接続する抵抗よりＦＥＴのインピーダンスが十分低くなるため、線形性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力波形のリップルを低減可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】例えば、高周波スイッチ回路ＲＦＳＷと、そのオン・オフを制御するスイッチ制御回路ＳＷＣＴＬを備え、ＳＷＣＴＬは、２個のダウンコンバータ回路ＶＧＥＮ１，ＶＧＥＮ２と、レベルシフト回路ＬＳ［１］〜ＬＳ［４］を備える。各ＬＳ［ｎ］は、レベルシフト段ＬＳＳＧ［ｎ］とその後段に接続された出力段ＯＴＳＧ［ｎ］を持ち、ＲＦＳＷは、ＯＴＳＧ［ｎ］からの制御信号ＯＵＴ［ｎ］によって制御される。ＬＳＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ１からの負の電源電圧（−ＶＳＳ１）を用いて動作し、ＯＴＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ２からの負の電源電圧（−ＶＳＳ２）を用いて動作する。−ＶＳＳ１では、ＬＳＳＧ［ｎ］のレベルシフト動作に伴いリップルが生じ得るが、−ＶＳＳ２ではＯＴＳＧ［ｎ］の動作がスイッチング動作であるためリップルが生じ難い。 （もっと読む）