【課題】寄生容量による信号漏れを抑制する。
【解決手段】高周波スイッチ回路３０には、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１乃至４、抵抗Ｒ１乃至９、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ、ＲＦ端子ＰＲＦ１、ＲＦ端子ＰＲＦ２、制御端子ＰＶＣＯＮ１、及び制御端子ＰＶＣＯＮ２が設けられる。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ２は、他端が共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ側に接続される。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ２のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ４は、他端が共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ側に接続される。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ３のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ６は、他端がＲＦ端子ＰＲＦ１側に接続される。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ４のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ８は、他端がＲＦ端子ＰＲＦ２側に接続される。高周波スイッチ回路３０では、信号線と接地線が交差する部分がない。 （もっと読む）

【課題】インバータを構成する抵抗器を高抵抗とすることなく、消費電流の低減とスイッチング時間の向上を図る。
【解決手段】半導体スイッチ回路は、第１及び第２のスイッチ用ＦＥＴ９，１０を用いてなるスイッチ回路３８と、このスイッチ回路３８の動作を、外部から印加される外部制御信号に基づいて制御する制御回路３７とを具備し、制御回路３７のインバータ２８，２９，３０は、インバータ用ＦＥＴ６と負荷抵抗器１３とを具備してなり、インバータ用ＦＥＴ６と負荷抵抗器１３の相互の接続点には、第１及び第２のバッファ用ＦＥＴ７，８が直列接続されて構成されたバッファ３１，３２がそれぞれ接続されて、負荷抵抗器１３における消費電力の低減と、スイッチング時間の向上が図られたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオフ状態でのアイソレーション特性を向上させる。
【解決手段】高周波スイッチ回路３０には、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１乃至１２、抵抗Ｒ１乃至８、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ、ＲＦ端子ＰＲＦ１、ＲＦ端子ＰＲＦ２、制御端子ＰＶＣＯＮ１、及び制御端子ＰＶＣＯＮ２が設けられる。抵抗Ｒ１及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ５と、抵抗Ｒ３及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ７と、抵抗Ｒ５及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ９と、抵抗Ｒ７及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１１とは、スルー又はシャントＦＥＴのゲートに並列接続され、抵抗Ｒ２及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ６と、抵抗Ｒ４及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ８と、抵抗Ｒ６及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１０と、抵抗Ｒ８及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１２とは、スルー又はシャントＦＥＴのバックゲートに並列接続される。 （もっと読む）

印加されるＲＦ電圧Ｖｓｗに制御可能に耐えるＲＦスイッチ、又はこのようなスイッチの製造方法に関する。スイッチは直列接続された構成ＦＥＴのストリングを有し、このストリングのノードは隣接するＦＥＴの各対の間にある。方法は、各構成ＦＥＴにわたって分布するＲＦスイッチ電圧の不一致を減らすよう、容量的にストリングを有効に調整すべくストリングの異なるノードの間のキャパシタンスを制御し、それによって、スイッチ・ブレイクダウン電圧を高める。キャパシタンスは、例えば、ストリングのノードの間に容量特性配置することによって、及び／又は異なる構成ＦＥＴの設計パラメータを変化させることによって、制御される。各ノードについて、ノードに現れるＶｓｗの比率による各有意なキャパシタの積の和は、おおよそ零になるよう制御され得る。
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【課題】高周波スイッチ回路を介して伝達される高周波信号の二次高調波歪みを低減する。
【解決手段】高周波スイッチ回路において、受信側トランスファー回路（８）を構成するＦＥＴ（１１−２０）を奇数段の直列構成とする。各ＦＥＴ段は、ソース電極とドレイン電極（Ｓ，Ｄ）の位置が交換されたＭＯＳＦＥＴの並列体で構成するとともに、各ＭＯＳＦＥＴ（１１−２０）のゲート幅を、一列のＭＯＳＦＥＴで受信側トランスファー回路を構成する場合に比べて半減する。 （もっと読む）

【課題】耐電圧性に優れた半導体スイッチング素子を効果的に活用して、さらなる小型化を追求すること。
【解決手段】容量素子３と、容量素子３の一端側に設けられた入力端子１と、容量素子３の他端側に設けられた出力端子２と、一端が容量素子３の一端側に接続され、他端が接地されるスイッチング素子７ａと、一端が容量素子７ａの他端側に接続され、他端が接地されるスイッチング素子７ｂと、スイッチング素子７ａ，７ｂを同時に制御する制御端子６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 超音波診断システム等に用いられる送信回路を、小面積で振動子駆動回路部高圧電源の高電位側及び低電位側とも0〜±200V程度まで可変とし、もって複数チャネルの送信回路を集積化した半導体集積回路装置を実現する。
【解決手段】 ゲート駆動回路部10において入力電圧パルスを電流パルスに変換し、振動子駆動回路部20に印加される高電位側電圧+HV及び低電位側電圧-HVを基準として、再び電流パルスを電圧パルスに変換することによって入力電圧パルスの電圧レベルシフトを実現すると共に、そのシフトされた電圧パルスを入力とするゲート駆動回路部10の出力バッファの電圧パルス振幅を、同じく振動子駆動回路部20に印加される高電位側電圧+HV及び低電位側電圧-HVを基準としてゲート駆動回路部10にて生成する構成とする。ゲート駆動回路部10と出力負荷駆動回路部20とは直流的に結合される。 （もっと読む）

【課題】運用中にスイッチを動作させる必要が無い場合に、あらかじめ必要なスイッチを動作させて、ある一つの状態を決め、同時にスイッチを物理的に固定し、以後、高電圧を加えることなく、その状態を保持することができる。
【解決手段】ばね状の梁３をもつスイッチと、スイッチの梁３を駆動するための駆動電極４と、スイッチ側高周波接点５と、スイッチ側高周波接点５に対向して、基板に設けられた基板側高周波接点６と、駆動電極４の駆動により高周波接点５，６が接触したときに、高周波を伝送する高周波線路と、高周波接点５，６を構成している金属を溶融させ、固着させるに十分な電流をながすための直流電源１４と、高周波線路と直流電源１４との間に設けられたインダクタ９，１０と、高周波線路に直列に装荷されたコンデンサ７，８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】出力ポートに接続された後段回路のインピーダンスが変動した場合でも、定在波比、及び、通過特性の周波数特性の悪化を低減することができる分配器を提供する。
【解決手段】 １つの入力ポートＰｉｎと、後段回路２１、２２が接続される２つの出力ポートＰｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２とを有し、前記入力ポートＰｉｎから入力された信号を前記２つの出力ポートＰｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２に分配して出力する分配器１であって、前記入力ポートＰｉｎから分岐した２つの出力端であるノードＮ１、Ｎ２を有し、入力ポートＰｉｎからみたインピーダンスを、前記後段回路２１、２２の第１インピーダンスに整合する分配回路１０を備え、前記２つのノードＮ１、Ｎ２のそれぞれに、互いに等しい電気長Ｌｃ及び所定の特性インピーダンスＺｃを有する移相器１３、１４を設け、前記移相器１３、１４の出力端のそれぞれを前記出力ポートＰｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２に接続する構成とした。 （もっと読む）

【課題】効果的な超音波出力を安定して得ることができる超音波発振器を提供する。
【解決手段】超音波出力である力率補正された出力トランス２次側スイッチング高周波電力の電圧部分である出力トランス２次側スイッチング高周波電圧と電流部分である出力トランス２次側スイッチング高周波電圧とをそれぞれ出力電圧値検出電圧と出力電流値検出電圧とに変換し、変換された出力電圧値検出電圧と出力電流値検出電圧とから出力電力値検出電圧を算出するといった動作を、所定の時間間隔で周波数を初期設定発振周波数を中心として所定の周波数幅で掃引し、掃引する際の各周波数における出力電力値検出電圧が最大となる時の周波数を発振周波数として設定する。 （もっと読む）

【課題】低損失でかつ小型な移相回路を実現する。
【解決手段】一端が高周波信号入力端子１に接続され、かつ他端が高周波信号出力端子２に接続され、オン時に抵抗性を示し、オフ時に容量性を示す第１のＦＥＴ３ａ、オン時に抵抗性を示し、オフ時に容量性を示す第２のＦＥＴ３ｂと、第１のＦＥＴに並列接続された第１のスパイラルインダクタ４と、第２のＦＥＴに並列接続された第２のスパイラルインダクタ６と、第１のＦＥＴの一端に接続された第１のＭＩＭキャパシタ７と、第１のＦＥＴの他端に接続された第２のＭＩＭキャパシタ８と、第１及び第２のＭＩＭキャパシタの他端同士と接続された第３のスパイラルインダクタ５とを備え、第２のＦＥＴは、一端を第３のスパイラルインダクタ５の他端に接続し、他端をスルーホール１１に接続した。 （もっと読む）

【課題】充分な昇圧電圧を確保しながら、挿入損失の低下を防ぐことによりアンテナスイッチの高調歪みを低減させる。
【解決手段】制御端子Ｔｘ１ｃＬにオン電圧が印加されて、アンテナ端子と送信端子Ｔｘ１との間に設けられたアンテナスイッチ部がオンとなり、ＰＣＳ／ＤＣＳ方式の送信信号が送信端子Ｔｘ１からアンテナ端子を通過する。その際、送信信号の一部分が供給された昇圧回路３０は、ダイオード３２，３３の整流作用により制御部から出力される制御電圧よりも高い昇圧電圧を出力端子ＤＣｇａｔｅに発生させ、アンテナスイッチ部のトランジスタ回路のゲートに印加する。この昇圧回路３０では、抵抗３６が出力端子ＤＣｇａｔｅに接続されているので入力された送信電力のＲＦ信号経路における抵抗通過が１個だけとなり、送信信号の減衰を小さく抑えて挿入損失特性を良好にする。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグ等、無線でデータの送受信を行い、かつ搬送波を利用して内部で電力の生成を行う半導体装置において、搬送波の受信電力が下がった場合にも所望の電源電圧を生成することができる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】複数の容量部によって形成された保持容量部において、前記複数の容量部の接続を並列接続した状態で充電を行い、回路動作の際にはそのときに必要とされる電源電圧に応じて、前記複数の容量部の一部もしくは全てを直列接続として高電圧を取り出す。これにより、搬送波の受信電力が下がった際、つまりはタグとリーダ／ライタの距離が離れた際にもタグ内部の回路動作に必要な電圧を保証することが出来るため、通信距離の向上に大きく寄与する。同時に、タグ内で高い駆動電圧を必要とする回路にも良好な電源供給を可能とする。 （もっと読む）

【課題】低周波領域から高周波領域までの広い周波数領域に亘って低歪みであり、信号ラインのＤＣ電位の変動も抑制することができるスイッチ回路等を提供する。
【解決手段】スイッチ回路１は、入力端Ｔ１１と出力端Ｔ１２との間の信号ラインＬ１に対して直列に（シリーズに）接続されたＧａＡｓ ＦＥＴ１１を備える。ＧａＡｓ ＦＥＴ１１のゲート電極には、スイッチ回路１の高周波領域での歪み改善のための抵抗１２の一端が接続されており、信号ラインＬ１と抵抗１２の他端との間には、スイッチ回路１の低周波領域での歪み改善のための抵抗１３が設けられている。また、スイッチ回路１は、抵抗１２，１３にアノード電極が接続され、信号ラインＬ１の導通及び非導通を切り替えるための制御電圧が入力される制御端Ｔ１３にカソード電極が接続されたダイオード１４を備える。 （もっと読む）

【課題】ベースバンドＩCから出力される制御信号電圧を低電圧化した状況においても、高出力信号に対してより低歪特性を実現する信号切替装置を提供することを目的とする。
【解決手段】高周波スイッチ１００は、電界効果トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３と抵抗Ｒｃで構成されており、電圧変換回路１０１ｂは、電界効果トランジスタＦＥＴ１ｂ〜ＦＥＴ３ｂと定電流源１〜３から構成されている。高周波スイッチ１００には、アンテナ端子ＡＮＴと高周波信号端子ＲＦ１〜ＲＦ３が配置されている。電源電圧端子Ｖｄｄにレギュレータ等から制御入力端子Ｖｃ１〜Ｖｃ３より高い電圧を印加する。この場合、電界効果トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３のゲート端子には、制御入力端子Ｖｃ１〜Ｖｃ３の電圧より高く電源電圧端子Ｖｄｄの電圧以下の電圧が印加され、制御入力端子Ｖｃ１〜Ｖｃ３の電圧を直接印加する場合に比べて、高出力信号に対してより低歪特性を実現できる。 （もっと読む）

【課題】高周波用の多入力１出力の吸収型スイッチを提供する。
【解決手段】２入力１出力の高周波スイッチ２００は、Ｖ_ccに接続された出力マッチング回路ＭＣ_oと、ＭＣ_oに接続された高周波出力端子Ｏｕｔと、コレクタにＶ_ccが接続され、エミッタに他端が接地されたキャパシタＣ_ceが接続された共通トランジスタＱ_cと、コレクタにＭＣ_oが接続され、ベースにスイッチ前段電圧Ｖ'_ctl-1(Ｖ'_ctl-2)が印加され、エミッタに共通トランジスタＱ_cのエミッタがインダクタＬ₁(Ｌ₂)を介して接続されたスイッチ用トランジスタＱ_sw1(Ｑ_sw2)と、コレクタにスイッチ用トランジスタＱ_sw1(Ｑ_sw2)のエミッタが接続され、エミッタに高周波入力端子Ｉｎ１(Ｉｎ２)が接続された入力用トランジスタＱ_i1(Ｑ_i2)とを有し、スイッチ電圧Ｖ_ctl-1(Ｖ_ctl-2)の高低を切り替えて、高周波入力端子Ｉｎ１(Ｉｎ２)から高周波出力端子Ｏｕｔへの経路の接続及び遮断を切り替える。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小と、消費電流の低減を図る。
【解決手段】第１乃至第３の個別入出端子８〜１０の所望する１つと共通入出力端子７とを接続するため第１乃至第３のパススイッチＦＥＴ１１〜１３が設けられると共に、アイソレーションを確保するため、第１乃至第３のパススイッチＦＥＴ１１〜１３に対応して第１乃至第３のシャントスイッチＦＥＴ１４〜１６が設けられており、これら第１乃至第３のシャントスイッチＦＥＴ１４〜１６を駆動する第１乃至第３のバッファ４６〜４８の終段は、エンハンスメント型電界効果トランジスタを用いたプルダウントランジスタのみで構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】昇圧回路がオフ状態であっても高い入力３次インターセプトポイント値を実現する。
【解決手段】昇圧回路２２及びバイアス回路２３は、外部から入力される昇圧ＯＮ／ＯＦＦ切替信号に応じて動作するよう構成されており、昇圧ＯＮ／ＯＦＦ切替信号が論理値Ｈｉｇｈの場合、昇圧回路２２は動作状態となり、電源電圧よりも高い電圧をスイッチ回路２１へ切替電圧として供給すると共に、バイアス回路２３は非動作状態とされる一方、昇圧ＯＮ／ＯＦＦ切替信号が論理値Ｌｏｗの場合には、昇圧回路２２は非動作状態とされると共に、バイアス回路２３は動作状態とされて、電源電圧に等しい電圧をバイアス抵抗器４４を介してスイッチ回路２１に接続されたアンテナ端子１３Ｂに供給するようになっている。 （もっと読む）

【課題】従来のスイッチ回路では、複数のスイッチ回路を組み合わせて１つのスイッチ装置を構成する場合において、スイッチ回路の出力端子は、スイッチ内部で必ずいずれかの入力端に接続されているため、意図しない入力端子からの信号を遮断するために余分なスイッチを後段に直列に接続させることが必要であった。
【解決手段】スイッチ回路は、複数の単位スイッチ素子を備え、全単位スイッチ素子を同時に遮断する機能を有するものである。 （もっと読む）

【課題】消費電流を削減することができるアンテナスイッチ半導体集積回路を提供する。
【解決手段】複数のスイッチ用ＦＥＴ４〜１１のオンオフを制御する論理回路１７に与える制御入力信号ＩＮＡ，ＩＮＢのうち、送信モードと受信モードと切り替える制御入力信号ＩＮＡを発振回路１８に入力し、高い電圧が論理回路１７に必要な送信モードのときにのみ、発振回路１８を動作させ、これによって昇圧回路１６を動作させ、論理回路１７に昇圧された電圧を供給し、受信モードのときには、発振回路１８を停止させ、これによって昇圧回路１６を停止させる。そして、論理回路３２によって、スイッチ２０１をオンにすることで、昇圧回路１６の停止時には、電源電圧を論理回路１７に供給する。これによって、昇圧回路の動作期間が少なくなり、消費電流を削減することができる。 （もっと読む）