改良されたバイアスを備え、優れた分離および信頼性を有するスイッチが説明される。例示的な設計では、スイッチ（５０Ｄ）は、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットと、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットと、追加の抵抗器（５３０）とを用いて実装される。トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットは積層構造で結合され、入力信号を受信し、出力信号を提供する。抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットは、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのゲートに結合される。追加の抵抗器（５３０）は、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットに結合され、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのための制御信号を受信する。抵抗器は、トランジスタがオンにされると、それらの寄生キャパシタンスによる信号損失を低減する。抵抗器はまた、トランジスタがオフされると、トランジスタにわたって入力信号の信号振幅をほぼ均一に分割するのを助け、それによりトランジスタの信頼性を改善しうる。スイッチ（５０Ｄ）は、スイッチプレクサ、電流増幅器（ＰＡ）モジュールなどで使用されうる。
（もっと読む）

【課題】高周波特性を向上させるとともに、発光素子と制御素子を封止する透光性樹脂の形状を所望の形状に保持しやすい半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、ソース電極同士が接続されたＭＯＳＦＥＴ１１，１２からなり、高周波信号用の信号伝送線路１１０の途中に設けられた半導体スイッチ１と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード３１と、発光ダイオード３１からの光信号を受光する受光素子を有し当該受光素子の出力に応じてＭＯＳＦＥＴ１１，１２のオン／オフを制御する制御ＩＣ３２と、制御ＩＣ３２が備える受光素子および発光ダイオード３１を光学的に結合させた状態で樹脂封止する透光性樹脂８を備える。制御ＩＣ３２は、信号伝送線路１１０を構成する導体パターン１１３から分岐させたランド１３２上に配置され、導体パターン１１３とランド１３２との間にはＬＰＦ４が挿入される。 （もっと読む）

【課題】高周波入力に対して低歪みの半導体装置及び高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁層１２上に第２導電型の第３の半導体領域１５に接して設けられた第２導電型の第４の半導体領域１６と、第３の半導体領域１５及び第４の半導体領域１６上に設けられた絶縁膜１７と、絶縁膜１７上に設けられたゲート電極１８と、第４の半導体領域１６と電気的に接続され直流電圧が印加されるボディ電極２３と、を備え、ゲート電極１８に閾値電圧以上の電圧が印加されたオン状態で、第４の半導体領域１６が空乏化して、ボディ電極２３と第３の半導体領域１５との間の直流の通過を遮断する。 （もっと読む）

【課題】安定したパルス高周波電力を供給することができる高周波電源装置１を提供する。
【解決手段】高周波電源装置１は、パルス高周波電力の出力電圧を検出して包絡線検波を行い、その検波信号をサンプルホールド部６によりサンプリングし、サンプリング電圧Ｖｓを高周波電力生成部３にフィードバックしてパルス高周波電力Ｐｏｕｔの制御を行う。サンプルホールド部６は、サンプルホールド信号のオン期間中、検波信号Ｐａをサンプリング電圧Ｖｓとして出力し、サンプルホールド信号のオフ期間中、サンプルホールド信号がオンからオフへ切り替るタイミングの検波信号Ｐａの電圧レベルをホールドして、サンプリング電圧Ｖｓとして出力する。 （もっと読む）

【課題】送信時における高次高調波歪の発生を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】トランジスタのオフ時の電位Ｖｇｓ１を−Ｖａｎｔから−Ｖａｎｔ＋１に大きくすることにより、オフ状態からオン状態に遷移したトランジスタのオン抵抗Ｒｏｎを小さくすることができる。言い換えれば、トランジスタのオフ時の電位Ｖｇｓ１の絶対値をＶａｎｔからＶａｎｔ−１に小さくすることにより、オフ状態からオン状態に遷移したトランジスタのオン抵抗Ｒｏｎを小さくすることができる。この結果、オンしたトランジスタから発生する高次高調波歪の増加を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】コストおよび消費電力の増大をともなう高速の演算増幅器に依存することなく、ＩＣ化に適した回路でもって、高い周波数領域での静電容量挙動を高感度かつ高確度に検出できるようにし、これにより、高周波領域での誘電率挙動による物性の検査や分析を的確に行うことを可能にする。
【解決手段】２つのセンサ容量素子Ｃｘ１，Ｃｘ２を高周波クロック信号＋Φ１に同期して相補的に充放電させる通電回路５０と、その２つのセンサ容量素子の通電電流差分ΔＩｘと上記高周波クロック信号＋Φ１とのアナログ乗算操作によって、上記通電電流差分に応じた直流成分を有する電圧Ｖｏ１を出力する同期検波回路１０と、この同期検波回路１０の検波出力電圧を平滑処理しながら増幅する演算増幅器３０とを備え、この演算増幅器３０の出力から上記２つのセンサ容量素子の静電容量差分ΔＣｘに対応する直流出力電圧を得る。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも２つの通信システムに共用可能なマルチバンド高周波回路を提供する。
【解決手段】 通信周波数が異なる複数の通信システムの無線通信を行うマルチバンド高周波回路であって、マルチバンドアンテナと送信側回路及び受信側回路との接続を切り替える高周波スイッチ回路と、高周波スイッチ回路と送信側回路との間に、送信信号を分波する第１の分波回路と、低周波側に接続される第１の増幅器及び第１の平衡−不平衡変換回路と、高周波側に接続される第２の増幅器及び第２の平衡−不平衡変換回路とを有し、高周波スイッチ回路と受信側回路との間に、受信信号を分波する第２の分波回路と、低周波側に接続された第３の平衡−不平衡変換回路と、高周波側に接続された第４の平衡−不平衡変換回路とを有するマルチバンド高周波回路。 （もっと読む）

【課題】低歪み特性、低消費電流のスイッチ回路を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの第１の端子、複数の第２の端子及び前記第１の端子を前記第２の端子のいずれか１つと接続させるスイッチ素子を有するスイッチ部と、外部からの端子切替信号により前記スイッチ素子を駆動するドライバ部と、負荷変動に対する応答特性が第１の状態と、負荷変動に対する応答特性が前記第１の状態よりも遅い第２の状態とを有し、前記ドライバ部に電源を供給するＤＣ−ＤＣ変換部と、前記端子切替信号の変化に対応した第１の時間は前記ＤＣ−ＤＣ変換部を前記第１の状態に制御し、前記第１の時間以外の第２の時間は前記ＤＣ−ＤＣ変換部を前記第２の状態に制御することにより前記ＤＣ−ＤＣ変換部の前記第２の状態を定常状態とするように制御する電源制御部と、を備えることを特徴とするスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時間を短縮し、スイッチ回路の安定動作を可能にする高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】高周波スイッチ回路であって、送信用ＦＥＴ１０１ａ（第１スイッチ素子）と、シャント用ＦＥＴ１０４ａ（第２スイッチ素子）と、送信用ＦＥＴ１０１ａの制御端子に接続される第１バイアス抵抗素子２０１ａと、シャント用ＦＥＴ１０４ａの制御端子に接続される第２バイアス抵抗素子２０４ａと、制御信号出力端子５１０から出力される制御信号に応じて送信用ＦＥＴ１０１ａ及びシャント用ＦＥＴ１０４ａを制御する制御回路６１０とを備える。送信用ＦＥＴ１０１ａの制御端子の容量をＣ１、シャント用ＦＥＴ１０４ａの制御端子の容量をＣ２、第１バイアス抵抗素子２０１ａの抵抗値をＲｂ１、第２バイアス抵抗素子２０４ａの抵抗値をＲｂ２としたときに、Ｃ１＞Ｃ２、Ｒｂ１＜Ｒｂ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でセルフミキシング信号の発生を低減する高周波スイッチ及びこれを用いた受信回路を提供する。
【解決手段】ゲート端子が入力端子側に接続され、ドレイン端子が出力端子側に接続され、ソースが接地された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲート端子側に接続されるゲートバイアス電圧調整手段とドレイン端子側に接続されるドレインバイアス電圧調整手段の少なくともいずれか一方を備え、前記ゲート端子と入力端子との間及び前記ドレイン端子と出力端子との間の少なくともいずれか一方に整合回路を備え、導通状態における反射特性と前記遮断状態における反射特性とが略等しくなるように、スイッチを構成している。 （もっと読む）

【課題】 高周波信号を制御するスイッチング回路の動作試験のコストを低減すること。
【解決手段】 本発明は、複数の入出力端子３４及び３６の間に接続されるＦＥＴ５と、複数の入出力端子３４及び３６のうち少なくとも一つとＦＥＴ５との間に接続されるキャパシタＣ５及びＣ６と、キャパシタＣ５及びＣ６と並列に接続され、ゲート電極が接地端子３８に接続されるＦＥＴ６及びＦＥＴ７と、を有するスイッチング回路の試験方法であって、接地端子３８にＦＥＴ６及びＦＥＴ７を接続状態にする電位を印加するステップと、ＦＥＴ６及びＦＥＴ７を介して、ＦＥＴ５の直流試験を実施するステップと、を備えることを特徴とするスイッチング回路の試験方法である。 （もっと読む）

【課題】リアクタンスによる挿入損失を生じさせずに、高周波信号の漏洩を防止できる、導通切替回路、導通切替回路の動作方法、及び導通切替回路ブロックを提供する。
【解決手段】第１ＭＯＳＦＥＴと、第１ノードを介して前記第１ＭＯＳＦＥＴと接続された第２ＭＯＳＦＥＴと、前記第１ノードに接続された第１制御端子とを具備する。前記第１ＭＯＳＦＥＴと前記第２ＭＯＳＦＥＴとは、オン時に前記第１ノードを介して電気的に直列に接続されるように設けられる。前記第１制御端子は、前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳＦＥＴとがオフ状態であるときに、前記第１ノードに対して、前記第１ＭＯＳＦＥＴ及び前記第２ＭＯＳＦＥＴに生じる容量が少なくなるような電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】許容電力と挿入損出との特性を両立させるとともに、アンテナスイッチ回路の小型化を可能とし、且つスイッチング状態の更なる安定化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明によるアンテナスイッチ回路は、送信ポートとアンテナポートとの間に直列に接続された直列トランジスタ回路と、前記送信ポートと前記アンテナポートとの間に並列に接続された並列トランジスタ回路と、前記送信ポートと前記並列トランジスタ回路との間に設けられ、インピーダンス変換を行うことによって、前記送信ポートから入力された送信信号の電圧振幅を所定の変換比率で縮小するインピーダンス変換回路とを備え、前記インピーダンス変換回路は、前記並列トランジスタ回路に出力される端子間電圧が当該並列トランジスタ回路の閾値以下となるように前記所定の変換比率が設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号の電力漏洩を抑制することができる切替回路を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の端子（Ｐ１）と、第２の端子（Ｔｘ）と、第３の端子（Ｒｘ）と、前記第１の端子及び前記第２の端子間に直列に接続される第１のトランジスタ（３０１）と、前記第１の端子及び前記第３の端子間において前記第１の端子側から順に接続される第１のインピーダンス変換素子（３１２）、第２のトランジスタ（３０２）、第３のトランジスタ（３０３）及び第２のインピーダンス変換素子（３１３）とを有し、前記第２のトランジスタは、前記第３のトランジスタ及び前記第１のインピーダンス変換素子の相互接続点と基準電位ノードとの間に接続され、前記第３のトランジスタは、前記第１のインピーダンス変換素子及び第２のインピーダンス変換素子間に直列に接続される切替回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】素子特性の変動による遮断特性の悪化を防止することのできる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】入出力端子Ｐｏｒｔ１、Ｐｏｒｔ２を有する高周波スイッチ回路１１は、一端がＰｏｒｔ２に接続されたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１の他端に、直列接続された可変容量キャパシタ２とインダクタ３とが、直列に接続され、インダクタ３の他端がＰｏｒｔ１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】シリーズＦＥＴおよびシャントＦＥＴとして４端子ＮＭＯＳＦＥＴを用いるＳＰＳＴスイッチ回路では、シリーズＦＥＴがオン状態で、シャントＦＥＴがオフ状態のときに、ＳＰＳＴスイッチ回路はオン状態になる。ＦＥＴのバックゲートには寄生ダイオードが存在し、入力交流信号電圧が所定の閾値を超えると、寄生ダイオードがオン状態になる。その結果、ＳＰＳＴスイッチ回路はスイッチ・デバイスとしての線形動作を維持できなくなり、挿入損失特性やゆがみ特性が悪化する場合がある。
【解決手段】ＦＥＴのバックゲートに、バイアス電圧を印加するためのバイアス電源を設ける。このバイアス電源として、ＤＣ−ＤＣ変換回路を用いることで、ＳＰＳＴスイッチ回路をシリコン半導体チップ化することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で受信系の性能を維持しつつ、受信時の入力電力に応じて信号を切り替えることができる半導体スイッチを提供する。
【解決手段】第１入出力端子Ｐ１と第２入出力端子Ｐ２との間に直列に接続された第１ＦＥＴ２と、第１入出力端子Ｐ１と第３入出力端子Ｐ３との間に接続された伝送線路４と、伝送線路４と平行に配置され、伝送線路４を通過する高周波信号の一部を分岐させる伝送線路７と、伝送線路７の一端に接続され、分岐された高周波信号の電力レベルに応じた直流電圧を出力する検波回路８とを備え、検波回路８からの出力に応じて第１ＦＥＴ２がスイッチング制御されることにより、第１入出力端子Ｐ１から第２入出力端子Ｐ２または第３入出力端子Ｐ３までの経路が切り替えられる。 （もっと読む）

【課題】入力信号電圧が変化する場合にも、オン抵抗の変動によって入力信号波形に生ずる歪みを低減し、入力連続信号の広い周波数帯域に渡ってオン抵抗を一定に保つことができるアナログスイッチ回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ソースが第１のスイッチ端子に接続され、ドレインが第２のスイッチ端子に接続される第１の電界効果トランジスタ（ＭＮ）と、電荷を充電するための第１の容量（ＣＰ）と、電荷を充電するための第２の容量（ＣＡ）と、直流電圧ノードと基準電位ノードとの間に第１の容量を接続するための第１のスイッチ回路（Ｓ１ＨＰ，Ｓ１ＬＰ）と、第１の容量及び第２の容量を並列に接続するための第２のスイッチ回路（Ｓ１ＨＳ，Ｓ１ＬＳ）と、第１の電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に第２の容量を接続するための第３のスイッチ回路（Ｓ２ＨＳ，Ｓ２ＬＳ）とを有するアナログスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】小型で高いアイソレーション特性を有する高周波スイッチを提供する。
【解決手段】高周波スイッチ１００は、非線形な入出力特性を有するデバイスとして逓倍器１１０を備え、さらに逓倍器１１０の電源を制御する制御手段１２０を備えている。逓倍器１１０は、高周波源１０から所定周波数の第１の高周波信号１１を入力し、周波数が第１の高周波信号１１のｎ（整数）倍に逓倍された第２の高周波信号１２を生成して出力する。第２の高周波信号１２の出力を停止するときは、制御手段１２０により、逓倍器１１０をオフ状態にすることにより、高いアイソレーションが得られる。 （もっと読む）

【課題】小型でかつ所要の移相量が得られる移相器を提供する。
【解決手段】第１および第２の高周波信号入出力端子1a,1bと、前記第１および第２の高周波信号入出力端子とグランド間に並列に接続された少なくとも１つの移相ユニット7a,7bと、を備え、前記各移相ユニットが、前記第１および第２の高周波信号入出力端子の間に接続された第１のインダクタ3a、前記第１のインダクタに並列接続された第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子の直列回路2a,2b、前記第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子との接続点とグランドとの間に接続された第２のインダクタと第３のインダクタの直列回路3b,3c、前記第３のインダクタに並列接続された第３のスイッチング素子2cを含む。 （もっと読む）