【課題】ディジタル回路から出力される制御信号電圧が低電圧化した状況においても、高出力信号に対して低歪、高アイソレーション特性を実現する信号切替装置を提供することである。
【解決手段】外部から高周波スイッチ１００の導通・遮断を制御するために与えられる制御入力信号を入力し、制御入力信号を電圧変換して高周波スイッチ１００へ高周波スイッチ１００の導通・遮断を制御する制御信号として出力する電圧変換回路１０１を設ける。電圧変換回路１０１は、外部から電源電圧端子にレギュレータ電圧が印加され、レギュレータ電圧をその電圧値の絶対値の範囲内の所定の電圧値に変換した電圧を、高周波スイッチ１００に制御信号として供給することによって、制御信号のハイレベル信号の電位とローレベル信号の電位との電位差を、制御入力信号のハイレベル信号の電位とローレベル信号の電位との電位差に比べて、大きくする。 （もっと読む）

【課題】オフ状態における高周波信号の絶縁性を向上すると共に、オン状態における挿入損失および線形性を損なわない高周波スイッチ装置を提供する。
【解決手段】高周波信号を入出力する第１の端子、第２の端子と、制御電圧を印加する第３の端子１０５、および第３の端子１０５にハイレベル電圧もしくはローレベル電圧を選択的に印加して、ソース・ドレイン間を電気的に導通もしくは遮断するスイッチトランジスタ１０１を備え、スイッチトランジスタ１０１のゲート１０５と第４の端子１０６に接続され、第５の端子１０７に印加された電圧によって抵抗値の制御をすることのできる可変抵抗装置１０２により構成され、可変抵抗装置１０２はスイッチトランジスタ１０１のオン、オフ状態に応じてその抵抗値を変化させることを特徴とする高周波スイッチ装置。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の歪みの発生が少ない半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】高周波信号の導通及び遮断の制御を行う半導体スイッチ回路１０１において、直列に接続された複数段の電界効果型トランジスタ１〜４のうちの少なくとも一つの電界効果型トランジスタの閾値電圧を、他の電界効果型トランジスタの閾値電圧よりも高く設定した。
このように半導体スイッチ回路１０１を構成することによって、複数段の電界効果型トランジスタ１〜４の寄生容量の容量変化量を減少させることが可能となり、高調波歪みの発生を減少させ、ＩＭＤの発生を減少させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 バイパスコンデンサの占有面積の小さい半導体スイッチ集積回路を提供する。
【解決手段】 高周波スイッチ回路部の高周波信号スイッチ素子を制御する制御信号を伝達する制御線それぞれに、バイパスコンデンサ切換スイッチ素子を介して一つのバイパスコンデンサを接続する構成とする。そしてバイパスコンデンサ切換スイッチ素子を高周波信号スイッチ素子と共に制御することで、制御線がバイパスコンデンサを介して接地させ、高周波信号の漏洩によるデコーダ回路の誤動作を防止する。 （もっと読む）

【課題】電源数の増加やチップ面積の大幅な増加なく、高いアイソレーションかつ最大入力電力の大きなスイッチ回路を提供すること。
【解決手段】スイッチ回路は、信号が入出力される複数の端子と、印加された制御電圧のレベルに応じて、複数の端子間の経路を開閉する複数のスイッチ部と、複数のスイッチ部に印加された２種類のレベルが異なる制御電圧の内、高いレベルの制御電圧を複数の端子のいずれか１つに印加する制御電圧印加部と、複数の端子の各電位を同電位に固定する電位固定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の歪みの発生が少ない半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】高周波信号の導通及び遮断の制御を行う半導体スイッチ回路１０１において、直列に接続された複数段の電界効果型トランジスタ１〜４のうち、一部の電界効果型トランジスタ１のゲート幅を他の電界効果型トランジスタ２〜４のゲート幅Ｗｇよりも狭く設定するとともに、ゲート幅Ｗｇを狭く設定した電界効果型トランジスタ１のゲートＧ−ドレインＤ間、及びゲートＧ−ソースＳ間に固定容量のコンデンサＣｐを接続した。 （もっと読む）

【課題】 半導体スイッチ回路の信号経路を簡略化する。
【解決手段】 高周波スイッチ１０には、制御回路１、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２、ＲＦ端子Ｐ_ＲＦ１乃至Ｐ_ＲＦ６、共通ＲＦ端子Ｐ_{ＲＦＣＯＭ}、制御端子Ｐ_Ｖ１乃至Ｐ_Ｖ３、高電位側電源端子P_ＶＤＤ、低電位側電源端子Ｐ_ＶＳＳ、及び接地端子Ｐ_ＶＳが設けられている。ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２は、制御回路１から出力されるスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６にもとづいて、共通ＲＦ端子Ｐ_{ＲＦＣＯＭ}とＲＦ端子Ｐ_ＲＦ１乃至Ｐ_ＲＦ６のいずれか１つのＲＦ端子間を活性化して高周波（ＲＦ）信号を伝播させる。 （もっと読む）

【課題】広帯域で高周波特性に優れ、かつ静電サージ等の高電圧信号が流れ込んだ場合の耐破壊性に優れた、安価な高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１１〜１８及びＦＥＴ２１〜２８を駆動する制御端子Ｖ１１及びＶ１２に負バイアス電圧及び０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧のいずれかを用いて、第１の入出力端子Ｐ１１から第２の入出力端子Ｐ１２へ伝達される経路、及び第１の入出力端子Ｐ１１から第３の入出力端子Ｐ１３へ伝達される経路の、ＯＮ／ＯＦＦを切り替える。これにより、ＤＣカット用のコンデンサが不要となる。 （もっと読む）

【課題】従来では、１つのスイッチ回路装置において特定周波数におけるアイソレーションを改善しており、異なる２種類の周波数を無線ＬＡＮで使用する場合には、それぞれ専用のスイッチ回路装置を使用しなければならず、汎用性が悪い問題があった。
【解決手段】シャント経路において、シャントＦＥＴのオン時の容量も考慮して共振回路設計を行う。スイッチング素子およびシャントＦＥＴ、シャントＦＥＴおよび容量、容量および接地端子パッドがそれぞれ５０μｍ以内の距離でお互いに隣接するように配置する。これにより、互いの間を接続する配線のインダクタンスを最小にすることができる。共振周波数を、５ＧＨｚ帯、具体的には４〜６ＧＨｚの間に設定する。これらにより、２ＧＨｚから６ＧＨｚにかけて、アイソレーションレベルは所定の−２５ｄＢ以上のレベルを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】サンプリング周波数より高い周波数の動作制御信号を用いることなく、通過損失の無い周波数選択特性の高いミキサを提供する。
【解決手段】制御信号を供給するタイミング制御部と、積分制御信号によって入力信号の離散時間サンプルストリームを出力する第１のスイッチトキャパシタ回路と、電荷共有による高次ＩＩＲフィルタを構成する第２のスイッチトキャパシタ回路とを備え、積分制御信号の周波数は他の制御信号の周波数よりも高い。 （もっと読む）

【課題】チャネル間のアイソレーションを大幅に改善する。
【解決手段】本発明は、選択的アイソレーションと、マルチメディア端子のための選択的アイソレーションを備えたスイッチング装置とに関する。２つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）によって形成されたスイッチ（５３〜５８）は、所定周波数でフィードバック制御信号Ｖｔｕｎｅによってフィードバック制御されて、この周波数での選択的アイソレーションを保証する。マルチメディア端子の送受信チャネルを切り替えるスイッチング装置は、ＭＭＩＣ技術により集積可能な選択的アイソレーション・スイッチによって形成される。 （もっと読む）

【課題】減衰器、移相器の動作制御に用いられ、減衰量および移相量を切替えるのに制御電圧が１つで済むことより、ＩＣの小型化、低コスト化が可能なスイッチ回路を提供する。
【解決手段】スイッチ回路は、回路部１、２と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４、ＲＴ０と、キャパシタＣ１、Ｃ２と、ＮＭＯＳトランジスタＴ０とから構成されている。また、ＲＦ入出力端子Ｖｉｏ１、Ｖｉｏ２から信号の入出力が行われる。Ｖｒｅｆは基準となる電位であり、定電位に保持されている。また、不図示の制御手段により制御電圧Ｖｃを変える事によりＮＭＯＳトランジスタＴ０のドレインーソース間抵抗が制御される。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域で使用され、広帯域で高いＯＮ−ＯＦＦ比が得られると共に、低損失、回路面積の小型化が可能なスイッチ機能つき増幅器を提供する。
【解決手段】スイッチ機能つき増幅器は、入力整合回路部Ｂ１と、増幅回路部Ｂ２、Ｂ３とから構成され、入力整合回路部Ｂ１は、容量性リアクタンスＣ１１と、入力整合回路素子Ｚｍ１１〜Ｚｍ１３と、ゲート側回路素子Ｚｇ１１、Ｚｇ１２とから構成されている。増幅回路部Ｂ２は、容量性リアクタンスＣ１２〜Ｃ１４と、ＦＥＴ素子Ｆ１１と、誘導性リアクタンスＬ１１、Ｌ１２と、抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１２と、ソース側回路素子Ｚｓ１１とから構成されている。増幅回路部Ｂ３は、容量性リアクタンスＣ１５〜Ｃ１７と、ＦＥＴ素子Ｆ１２と、誘導性リアクタンスＬ１３、Ｌ１４と、抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１４と、ソース側回路素子ＺＳ１２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失特性及びアイソレーション特性が向上したスイッチ回路装置を提供する。
【解決手段】ゲートが互いに接続され、ドレイン及びソースが直列接続される複数のｎ−ｃｈＭＯＳＦＥＴと、ゲートが、ｎ−ｃｈＭＯＳＦＥＴの各ゲートに接続され、ドレインが、少なくとも１組の隣合うｎ−ｃｈＭＯＳＦＥＴの互いに接続されたソース及びドレインに接続されるｐ−ｃｈＭＯＳＦＥＴと、ｐ−ｃｈＭＯＳＦＥＴのソースに印加する電圧を、ゲートに印加される制御電圧によるｐ−ｃｈＭＯＳＦＥＴのオン／オフ動作と同期して切替える電圧切替回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 挿入損失の抑制が可能な高周波半導体スイッチを提供する。
【解決手段】 ドレインＤ、ソースＳ、ゲートＧ、及びバックゲートＢＧを有するＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ６、一端がドレインＤに、他端がバックゲートＢＧに接続された第１のインダクタ２８、及び、一端がソースＳに、他端がバックゲートＢＧに接続された第２のインダクタ２９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失とサージ電圧の両者を同時に抑制できるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】 トランジスタのゲート電圧を切り換えることによってトランジスタの主電極間を導通状態と非導通状態の間で時間的に切り換えるスイッチング回路であり、トランジスタのドレインまたはコレクタとゲートの間、もしくは、トランジスタのドレインまたはコレクタとソースまたはエミッタの間を、ツエナーダイオードとコンデンサーの直列回路で接続する。ドレイン電圧が低い間は、ツエナーダイオードによってコンデンサーの容量が寄与しない状態とされ、ドレイン電流とドレイン電圧は高速に変化し、スイッチング損失を小さくする。ドレイン電圧が上昇すると、ツエナーダイオードが降伏し、コンデンサーの容量が加わり、ドレイン電流とドレイン電圧は低速に変化し、サージ電圧が低く抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 複数の送受信系を取り扱うスイッチモジュールにおいて、多層基板を小型化しても回路相互の干渉が生じ難いスイッチモジュールを提供する。
【解決手段】 異なる通信方式に使用するスイッチモジュールであって、アンテナに接続し、アンテナを異なる通信方式の送信回路、受信回路に対して切換え接続する高周波スイッチと、高周波スイッチに接続する分波回路とローパスフィルタとを少なくとも有し、これらの回路の少なくとも一部を構成する受動素子を内蔵した多層基板に、高周波スイッチとチップ部品を搭載して一体化し、分波回路はハイパスフィルタとローパスフィルタとを少なくとも有し、これらフィルタ回路を並列接続し、多層基板の平面方向の略中央位置に、分波回路のハイパスフィルタ用パターンを配置し、該分ハイパスフィルタ用パターンの周囲に、複数のローパスフィルタ用パターンを配置した。 （もっと読む）

【課題】部品点数を削減し、回路規模を低減させることが可能な電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電圧制御発振器は、発振回路(2)と、複数の共振回路(5,6)と、前記複数の共振回路のいずれか１つを選択的に前記発振回路と接続させる切り替え手段(4)と、を備える。ここで、各共振回路は、例えば、所定の共振周波数に対応するＬＣ共振回路と当該共振周波数を制御する可変容量ダイオードと、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 非導通状態にあるトランジスタが導通状態になるような振幅の大きい信号が印加する場合においても、そのトランジスタを非導通状態に保ち、アイソレーション特性の劣化を起こさないスイッチ回路を提供する。
【解決手段】 共通端子と個別端子各々との間にソース電極およびドレイン電極を接続したスイッチ用トランジスタと、このスイッチ用トランジスタのゲート電極と共通端子との間に、ソース電極およびドレイン電極を接続した制御用トランジスタと、制御用トランジスタのゲート電極と個別端子との間に、ソース電極およびドレイン電極を接続した第１の切替用トランジスタと、制御用トランジスタのゲート電極と接地端子との間に、ソース電極およびドレイン電極を接続した第２の切替用トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】高調波歪やＦＥＴの挿入損失を抑制しつつ、入力電力を無理なく増加させることが可能な高性能の高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】入出力端子と接地端子との間、あるいは、入出力端子間に、多段接続されたＦＥＴによって構成された基本スイッチ部（スイッチ回路）を設けると共に、１つの基本スイッチ部に含まれる複数のＦＥＴのうち、基本スイッチ部がオフ状態であるときに信号電力が印加される入出力端子側のＦＥＴのゲート幅を、その入出力端子から、より遠い位置にある残余のＦＥＴのゲート幅よりも大きく設定する。 （もっと読む）