【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＴＸシリーズトランジスタＳＥ（ＴＸ），ＲＸシリーズトランジスタＳＥ（ＲＸ）およびＲＸシャントトランジスタＳＨ（ＲＸ）を低耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎから構成する一方、ＴＸシャントトランジスタを高耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｈから構成する。これにより、ＴＸシャントトランジスタＳＨ（ＴＸ）を構成する高耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｈの直列接続数を少なくすることで、直列接続された各高耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｈに印加される電圧振幅の不均一性を抑制する。この結果、高次高調波の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦリーク電圧によるスイッチドライバ回路の動作不良を回避する。
【解決手段】ＲＦ信号切替回路は、複数のＲＦ信号ポートを選択的に切替えてアンテナポートに接続するＲＦスイッチ３００ａ，３００ｂと、ＲＦスイッチの制御端子７００に制御信号を供給し、ＲＦスイッチのオン・オフを制御するスイッチドライバ２００と、制御端子７００と接地端子との間に設けられ、制御端子のＥＳＤ電圧が所定値を超えた時、制御端子を接地するＥＳＤ保護回路６００と、制御端子と接地端子との間に設けられ、制御端子のＲＦリーク電圧が所定値を超えた時、制御端子から接地へＲＦリーク電圧をショートするＲＦリーク電圧抑圧回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失なスイッチ回路及び受信装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１個以上の入力ポート（Ｐ１〜Ｐｎ）と、前記１個以上の入力ポートのそれぞれに接続される１個以上の単極単投スイッチ（６０１ａ〜６０１ｎ）と、前記１個以上の単極単投スイッチを介して前記１個以上の入力ポートに接続される１個の出力ポート（Ｐｎ＋１）と、前記出力ポート及び基準電位ノード間に接続され、第１の制御電圧では前記出力ポート及び前記基準電位ノード間を開放状態にし、第２の制御電圧では前記出力ポート及び前記基準電位ノード間を第１の抵抗値での接続状態にするトランジスタ（６０２）とを有することを特徴とするスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチの電圧生成回路へのＲＦ送信信号の供給に際し、ＲＦ送信出力信号の高調波成分のレベルの増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路２００は、電圧生成回路１００と送信スイッチ１０１と受信スイッチ１０２を有するアンテナスイッチを含む。送信端子２０３と入出力端子２０１の間の送信スイッチ１０１のトランジスタ２１１のオン・オフは送信制御電圧Ｖ_Txcにより制御され、入出力端子２０１と受信端子２０５の間の受信スイッチ１０２のトランジスタ２１５ａ〜ｄのオン・オフは受信制御電圧Ｖ_Rxcによって制御される。電圧生成回路１００の高周波信号入力端子１０は送信端子２０３に接続され、ＤＣ出力端子１０４から生成される負電圧のＤＣ出力電圧Ｖoutが受信スイッチ１０２のトランジスタ２１５ａ〜ｄのゲート制御端子に供給可能とされる。 （もっと読む）

【課題】従来のスイッチング回路は、安定動作のために端子を増加しなければならなかった。
【解決手段】本発明は、高周波信号を伝達する第１の伝達経路及び第２の伝達経路と、前記第２の伝達経路で高周波信号が伝達される場合、前記第１の伝達経路と第２の伝達経路との共通ノードと前記第１の伝達経路を電気的に遮断する第１のトランジスタと、前記第１の伝達経路で高周波信号が伝達される場合、前記共通ノードと前記第２の伝達経路を電気的に遮断する第２のトランジスタと、前記第１の伝達経路と第２の伝達経路のどちらかで高周波信号が伝達される場合、ハイレベルの制御電圧を入力する第１の制御電圧入力端子と、前記ハイレベルの制御電圧に応じた電圧を前記共通ノードに供給する第１の電圧供給経路と、を有するスイッチング回路である。 （もっと読む）

【課題】休止時のゲート−ドレイン間の電圧が小さくなるようにし、また運転／休止の切替え時に低ドレイン電圧領域を通過させないようにする。
【解決手段】高周波回路に含まれる能動素子に対し駆動電圧を与えることにより、この能動素子の運転と休止を切り替える高周波回路及びそのスイッチング方法で、休止状態の能動素子のドレインに、定常運転レベルの電圧Ｖｄを印加し、その後、能動素子のゲートに、定常運転レベルの電圧Ｖｇを印加することにより運転に切り替え、一方、運転状態の能動素子のゲートに、定常運転レベルの電圧Ｖｇに換えてピンチオフ電圧Ｖｐを印加し、その後、能動素子のドレインに印加されている定常運転レベルの電圧Ｖｄを切断することにより、休止に切り替える。 （もっと読む）

【課題】各ＦＥＴの端子間にかかる電圧を抑えつつ、高周波特性の優れた高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】高周波スイッチ部１に制御信号を供給する駆動回路は、第１のレベルシフト回路１１と第２のレベルシフト回路１２とを有し、これらはＳＯＩ構造の半導体装置に設けられ、第１のレベルシフト回路１１のクロスカップルＰＭＯＳＰ１１、Ｐ１２に、ゲートに第１のバイアス電位Ｖｂ１（＞０）が与えられるカスコード接続ＰＭＯＳＰ１３、Ｐ１４を接続し、これらの接続ノードを第２のレベルシフト回路１２の入力とし、第２のレベルシフト回路１２にＰＭＯＳＰ２３、Ｐ２４およびＮＭＯＳＮ２１、Ｎ２２のカスコード接続段を設け、ＰＭＯＳＰ２３、Ｐ２４のゲートには第１のバイアス電位Ｖｂ１が、ＮＭＯＳＮ２１、Ｎ２２のゲートには第２のバイアス電位Ｖｂ２（＞Ｖｂ１）が与えられる。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプの出力容量を低減してチップ面積を縮小できる高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】アンテナ端子ＡＮＴと、各高周波端子ＴＸ、ＲＸとの間の接続を切り換える回路であって、アンテナ端子ＡＮＴと各高周波端子ＴＸ、ＲＸとの間にそれぞれ接続されたスルーＦＥＴＴ１、Ｔ２を有する高周波スイッチ回路１と、各スルーＦＥＴＴ１、Ｔ２のゲートを駆動する駆動回路１１、１２と、駆動回路１１、１２の高電位電源端子に正側出力端子ＣＰ＿ｏｕｔ１が接続され、駆動回路１１、１２の低電位電源端子に負側出力端子ＣＰ＿ｏｕｔ２が接続された正負両極性チャージポンプ回路１５と、を備え、各スルーＦＥＴＴ１、Ｔ２のゲート容量はそれぞれ概略等しく、正負両極性チャージポンプ回路１５の正側出力端子ＣＰ＿ｏｕｔ１と負側出力端子ＣＰ＿ｏｕｔ２との間に容量Ｃｘが設けられている。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド又はマルチモードに適した高周波回路、高周波電力増幅装置、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波回路は、高周波信号を増幅する高周波回路であって、高周波信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、増幅回路の出力と接続された負荷回路と、複数の伝送線路と、増幅信号の所定パラメータに応じて、複数の伝送線路の中から負荷回路の出力と接続する伝送線路を選択する選択回路と、選択回路で選択された伝送線路毎に、増幅回路から増幅回路の出力側をみたときの負荷インピーダンスを所定の負荷インピーダンスに変換する変換回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増大させることなく相互変調歪を低減可能な高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の高周波スイッチ回路は、アンテナ端子ＡＮＴと、各高周波端子ＲＦ１〜ＲＦ６のそれぞれとの間に直列にｎ段（ｎは自然数）接続され、ＳＯＩ構造に形成されたスルーＦＥＴＴ｛ｉ，ｊ｝と、スルーＦＥＴＴ｛ｉ，ｊ｝のそれぞれのゲートに接続された高周波漏洩防止抵抗ＲＴ｛ｉ，ｊ｝と、同じ高周波端子に接続されたＮ段のスルーＦＥＴのゲートに共通に接続された制御信号線Ｃｏｎ１ａ、Ｃｏｎ２ａと、制御信号線Ｃｏｎ１ａ、Ｃｏｎ２ａのそれぞれに高周波漏洩防止抵抗ＲＴ｛ｉ，ｊ｝とは別に直列に挿入された抵抗Ｒ１、Ｒ２と、を備え、抵抗Ｒ１、Ｒ２におけるスルーＦＥＴＴ｛ｉ，ｊ｝側の端子間が容量性結合している。 （もっと読む）

【課題】１入力多出力スイッチおよび多入力１出力スイッチとして、広帯域化ならびに小型化・低コスト化が可能なＦＥＴスイッチを提供する。
【解決手段】第１の端子とｎ個(ｎ:正整数、図１の場合ｎ＝４)の第２の端子との間の切替制御を行うＳＰｎＴスイッチとして、第１の端子と接続した配線２１_０を分岐点Ａにてｎ分岐した配線２１_１〜２１_４に、それぞれ、ｎ個のＦＥＴ４_１〜４_４のソースまたはドレインを接続し、ｎ個のＦＥＴ４_１〜４_４のドレインまたはソースには、それぞれ、配線２２_１〜２２_４を介して第２の端子を接続するとともに、少なくとも、配線２１_１〜２１_４を、それぞれ、直線で形成し、かつ、それぞれの長さを互いに等しくする。 （もっと読む）

【課題】１入力多出力スイッチおよび多入力１出力スイッチとして、広帯域化ならびに小型化・低コスト化が可能な多端子半導体スイッチを提供する。
【解決手段】第１の端子と、ｎ個(ｎ:２以上の正整数、図１の場合ｎ＝４)の第２の端子およびｍ個(ｍ:２以上の正整数、図１の場合ｍ＝４)の第３の端子との間の切替制御を行うＳＰ（ｎ＋ｍ）Ｔスイッチとして、第１の端子と配線２０_１により共通端子を接続したＳＰＤＴスイッチ８の各個別端子からの配線２０_２、２０_３をそれぞれｎ分岐、ｍ分岐した配線２１_１〜２１_４、配線２１_５〜２１_８に、それぞれ、ｎ個のＦＥＴ４２_１〜４２_４、ｍ個のＦＥＴ４２_５〜４２_８のソースまたはドレインを接続し、それらのＦＥＴのドレインまたはソースを、それぞれ、第２、第３の端子に接続するとともに、配線２１_１〜２１_４および配線２１_５〜２１_８を、それぞれ、直線で形成し、かつ、それぞれの長さを互いに等しくする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時間を短縮化する。
【解決手段】スイッチ１０は、スイッチングトランジスタ１２と、スイッチングトランジスタの制御端子１４とスイッチング制御端子１６との間に接続されたスイッチング抵抗器Ｒと、加速素子１８とを備えている。加速素子は、スイッチング抵抗器の抵抗値よりも小さい抵抗値を有している。加速素子は、スイッチングトランジスタのスイッチング時に、スイッチングトランジスタの上記制御端子における電圧が所定の値に達するまで、スイッチング抵抗器に対し並列に接続されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成され、オン／オフ特性が高く、高周波信号の歪が少ない高周波信号用スイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上に形成された高周波信号用スイッチ回路１において、高周波入出力端子ＡＮＴを高周波端子ＴＸに接続するか高周波端子ＲＸに接続するかを切替えるスイッチ部１１と、負電位Ｖｓｓを生成する負電位発生回路と、スイッチ部１１を制御する制御部１３とを設ける。制御部１３には、正電位Ｖｄｄと負電位Ｖｓｓが供給され、スルートランジスタＴ１のゲート及びシャントトランジスタＴ３のゲートの一方に正電位Ｖｄｄを出力し他方に負電位Ｖｓｓを出力する差動回路１６と、スルートランジスタＴ１及びシャントトランジスタＴ３のバックゲートに対して、接地電位ＧＮＤ又は負電位Ｖｓｓを出力するＣＭＯＳインバータＩＮＶ１３及びＩＮＶ１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の歪が少ない高周波信号用スイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上に形成された高周波信号用スイッチ回路において、１つのアンテナ端子ＡＮＴと複数の高周波端子との間にそれぞれスルースイッチ部を設ける。スルースイッチ部Ｍ４Ｔにおいては、アンテナ端子ＡＮＴと高周波端子ＲＦ４との間にｎ個（ｎは２以上の整数）の電界効果型トランジスタＭ１〜Ｍｎを直列に接続する。トランジスタＭ１〜Ｍｎは、共通の制御信号Ｃｏｎｔ４に基づいてオン状態とオフ状態とを切替える。また、スルースイッチ部Ｍ４Ｔには電界効果型トランジスタＭｘを設け、トランジスタＭｎに対して並列に接続する。トランジスタＭｘのゲートには常時電源電位Ｖｄｄを印加し、常時オン状態とする。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成でスイッチングノイズの発生を抑制できる駆動トランジスタ制御回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ２に対して並列に小サイズのＦＥＴ３を接続し、導通制御回路１４を、ＦＥＴ２をオンさせる場合はＦＥＴ３を先にオンさせ、ＦＥＴ２をオフさせる場合にはＦＥＴ３を後にオフにさせるように構成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタに逆バイアスが生じることを防止することができる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の高周波スイッチ回路１は、第１および第２のベース接地回路１１、２１、エミッタ接地回路３１、第１および第２のベース用スイッチ素子４１、４２、第１および第２の短絡用スイッチ素子５１、５２を備える。４つのスイッチ素子については、第１および第２のベース用スイッチ素子４１、４２のオン・オフ状態を互いに異ならせ、第１のベース用スイッチ素子４１および第２の短絡用スイッチ素子５２のオン・オフ状態を同一状態にし、かつ、第２のベース用スイッチ４２素子および第１の短絡用スイッチ素子５１のオン・オフ状態を同一状態にする。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチの各トランジスタに流れる高周波電流の変化量を低く抑え、高調波歪みを大幅に低減する。
【解決手段】ＳＰ６Ｔスイッチのシャント部３１（，３２）は、ＦＥＴなどからなるトランジスタ５３〜５６、抵抗５７〜６６、およびＤＣカット容量となる静電容量素子６７〜６９から構成されており、抵抗６１〜６５の抵抗比は、たとえば、１：２：２：２：１となるように設定されている。このように、抵抗比を１：２：２：２：１として抵抗分割することによって、オフ時の基本スイッチを構成する多段に接続されたトランジスタ５３〜５６にかかるゲート−ソース間電圧、ゲート−ドレイン間電圧、ドレイン・ソース間電圧を均等化でき、特定のトランジスタのゲート−ソース間容量、およびゲート−ドレイン間容量に流れる高周波電流変化が大きくなることを防ぎ、歪を低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの動作に必要な抵抗素子をレイアウト面積の増加を招くことなく設けることができるようにする。
【解決手段】半導体スイッチ集積回路の基本単位となる基本ユニットは、直列接続された２つの電界効果トランジス（ＦＥＴ）の各々のドレイン・ソース間に接続される抵抗素子１０１ａ〜１０１ｄを有してなり、２つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、ドレイン、ソースを形成する層が向かい合うように配設されたレイアウトを有し、抵抗素子１０１ｃ，１０１ｄは、この向かい合う２つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の間に配設されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】移動体通信端末の出荷時に限らず、出荷後においてもＦＥＴのドレイン電流−ドレイン電圧特性を測定し、当該測定結果に基づいてバイアス条件をレジストリに書き込むことによって、ＦＥＴの周囲温度が変化した場合や経年変化をした場合であっても、適切なバイアス条件に基づいて所望の出力制御ができ、高周波切り替えスイッチにおける高調波の歪み特性を改善する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１００は、ＦＥＴのドレイン電流−ドレイン電圧特性を測定し、多項式近似した第２次の項をキャンセルすることで第２次の高調波歪みを減少させ、第３次の項をキャンセルすることで第３次の高調波歪みを減少させることができるため、適切なバイアス条件に基づいて所望の出力制御ができる。 （もっと読む）