【課題】制御対象負荷の数が増えたとしてもオンオフ両タイミングをずらすことができ、電源変動勾配を抑制できるようにした負荷制御装置を提供する。
【解決手段】マイコンは、メモリのオンタイミング記憶領域に複数の負荷間で互いに重ならないようにオンタイミングのフラグを記憶させる。また、メモリのオフタイミング記憶領域に対し複数の負荷間で互いに重ならないようにオフタイミングのフラグを記憶させる（Ｓ１０〜Ｓ１４）。マイコンは、これらのオンタイミング、オフタイミングに応じて複数の負荷を駆動制御する（Ｓ１５）。 （もっと読む）

【課題】回路構成の複雑化、消費電流の増加、特性低下を防止することができ、レイアウト面積の削減を図れるレベル変換回路および表示装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】バイアス部１２は、第５のＮＭＯＳトランジスタＮＴ１５と、抵抗素子Ｒ１１を含む降圧部１６と、電圧源１５に接続された電流源Ｉ１１と、を含み、第５のＮＭＯＳトランジスタＮＴ１５のソースが第１電圧源１４に接続され、ドレインが抵抗素子Ｒ１１の一端に接続され、抵抗素子Ｒ１１の他端が電流源Ｉ１１に接続され、第５のＮＭＯＳトランジスタＮＴ１５のゲートが抵抗素子Ｒ１１の他端側に接続され、第１電圧から第１および第２のＮＭＯＳトランジスタＮＴ１１，ＮＴ１２のしきい電圧分高く、または第１電圧より高くこのしきい値電圧より低いバイアス電圧を抵抗素子の一端側に生成し、レベル変換部１１の第１および第２のＮＭＯＳトランジスタＮＴ１１，ＮＴ１２のゲートに供給する。 （もっと読む）

【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオフするタイミング（ｔ６）、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンするタイミング（ｔ７）、及び、オン保持用ＦＥＴ１２３ａがオンするタイミング（ｔ９）の後であって、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング（ｔ５）から一定の時間Ｔｏｆｆの経過後に、オン保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする（ｔ１０）。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障し、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらずＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態であっても、ＩＧＢＴ１１０ｄを確実にオフできる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路を用いずにマージン電圧を改善することができる手段をスイッチ回路に提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ１を、信号をアンテナに同通するスイッチに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ２を、信号を接地するシャント用にそれぞれ用いる。各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。この制御信号の反転信号をスイッチＭ２の接地端に接続することで、各ＭＯＳＦＥＴのゲート端子の電位を接地電圧に設定できる。 （もっと読む）

【課題】回路面積および製造コストの増大を招くことなく、ゲート電圧をクランプ値に収束するまでの応答時間を短くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＱ１１に過電流が流れる異常が生じると異常検出信号ＳａがＨレベルになり、スイッチＳ１１がオンする。その状態において信号線Ｌ１３、Ｌ１２間の電位差がクランプ値を超えて上昇しようとすると、ツェナーダイオードＤ１１が降伏し、その降伏電流の大部分が増幅用トランジスタＴ１２のベース電流となる。増幅用トランジスタＴ１２の増幅作用によって、降伏電流を増幅した電流がクランプ用トランジスタＴ１１のベースに供給される。クランプ用トランジスタＴ１１は、供給されるベース電流に応じたコレクタ電流を信号線Ｌ１１、Ｌ１２間に流す。これにより、信号線Ｌ１１、Ｌ１２間の電位差が低下する。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】最小限の突入電流の発生にとどめることを課題としている。
【解決手段】
本発明は、誘導負荷、特に発電機（１２）の巻き線（１３）を所定の交流中間電圧に接続するための方法に関し、誘導負荷は、ブレーカー（１７）を用いて中間電圧に接続されている。突入電流を減少させるために、中間電圧が所定の位相にある場合に、接続がなされるように調節される。 （もっと読む）

【課題】 内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを精度よく検出し、内部回路が動作を開始するまでの復帰時間を短縮する。
【解決手段】 第１電源スイッチは、内部電源電圧を受けて動作する内部回路の動作を開始させるための第１電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源電圧が供給される内部電源線に接続する。第２電源スイッチは、第２電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源線に接続する。検知部は、第１電源スイッチのオンにより上昇する内部電源電圧を受けて動作する回路を含む。検知部は、内部電源電圧が第１電圧を超えることにより、内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを検出したときに第２電源オン信号を活性化する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成の信号処理部で、複雑な波形の電流信号を発生させ、ドライバーを介して該電流信号に応じた波形の電流を各電磁石の励磁コイルに通電できる電磁石制御装置を提供すること。
【解決手段】複数の電磁石１０を備え、各電磁石１０の励磁コイルＸに所定波形の励磁電流を通電することにより、隔壁で仕切られた空間内に発生したプラズマ分布を能動的に制御する電磁石制御装置であって、所定波形の励磁電流信号を生成する信号処理部１３と、該信号処理部１３からの所定波形の励磁電流信号Ｓ２を増幅して各電磁石１０の励磁コイルに通電するドライバー１１と、当該電磁石装置の各部に電力を供給する電源部１７とを備えた電磁石制御装置。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの容量を小さくでき安価にＩＣ化できるゲート駆動回路。
【解決手段】直流電源V1の正極に起動抵抗R1を介して一端が接続された第１コンデンサC1と、第１電極と第２電極と第１制御電極とを有し第１コンデンサの一端に第１電極が接続され第２電極が直流電源の負極であるグランドに接続された第１スイッチQ3と、第３電極と第４電極と第２制御電極とを有し第３電極が第１スイッチの第２電極と直流電源の負極であるグランドに接続され第４電極が第１コンデンサの他端に接続された第２スイッチQ4と、第２スイッチの第３電極と第４電極とに並列に接続され一端が直流電源の負極であるグランドに接続された第２コンデンサC2と、パルス信号に基づきスイッチング素子のターンオフ時にスイッチング素子のゲートを第１コンデンサの他端及び第２コンデンサの他端に接続することによりスイッチング素子のゲートを負電圧にさせる負電圧制御部Q1,Q2とを有する。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】動作速度の速いルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイを提供する。
【解決手段】ルックアップテーブル回路１は、入力信号に基づいて複数の抵抗変化型素子の中から一つの抵抗変化型素子を選択する抵抗変化回路２と、抵抗変化回路２の最大抵抗値と最小抵抗値との間の抵抗値を有する参照回路４と、抵抗変化回路２の他端にソースが接続された第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６と、参照回路の他端にソースが接続された第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレインを通して抵抗変化回路２に電流を供給する第１の電流供給回路１０と、第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレインを通して参照回路４に電流を供給する第２の電流供給回路１２と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレイン電位と第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電位を比較する比較器１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所定の電流値以上の電流が流れることを検出すると、電源から遮断する過電流保護回路の偶発的な故障に起因して、所定の電流値以上の電流を継続して出力装置に流れるのを未然に防止することが可能な過電流保護装置を提供する。
【解決手段】この過電流保護装置５は、レーザ出力装置４に供給する電流値を監視するとともに過電流が流れた際に電流を遮断する過電流保護回路５ａと、過電流保護回路５ａが正常に動作するか否かを確認するトランジスタ３２（ＴＲ２）、抵抗３３（Ｒ４）、接点ＲＹ１−３、接点ＲＹ１−２、電源２３、接点ＲＹ１−１、および、フォトカプラ３４（ＰＨＣ１）とを設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体スイッチを並列に接続して負荷の駆動、停止を制御する回路において、各半導体スイッチのオフ動作時間中に過電流が発生した場合に、いち早く半導体スイッチを遮断して、回路を保護することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のオフ動作時間中においても該ＦＥＴ（Ｔ１）に流れる電流を検出する電流センサ１７を備え、この電流センサ１７で検出される電流Ｉｄが予め設定した閾値電流Ｉthを上回った場合に、立ち下げ回路１６により、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電圧を低下させる。従って、ＦＥＴ（Ｔ１）オフ動作時間を長く設定した場合で、このオフ動作時間中にショート故障が発生した場合であっても、即時にＦＥＴ（Ｔ１）を遮断して負荷回路全体を過電流から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作可能なリセット回路を提供する。
【解決手段】リセット回路５０Ａは、Ｐチャネルの第１トランジスタ１１を備え、第１電流ｉ１が第１の値を超えると第１信号Ｄ１をアクティブとする第１回路１０Ａと、Ｎチャネルの第２トランジスタ２１を備え、第２電流ｉ２が第２の値を超えると第２信号Ｄ２をアクティブとする第２回路２０Ａと、電源電圧Ｖｄｄの供給開始から、所定時間が経過した後に第３信号Ｄ３をアクティブとする第３回路３０Ａと、第１信号Ｄ１、第２信号Ｄ２、及び第３信号Ｄ３の全てがアクティブになるとリセット解除を指示するリセット信号ＲＥＳを生成する論理回路４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインＬＳに、サブ電源１０１側をソースとして第１ＭＯＳＦＥＴ１０２を直列に接続し、第１ＭＯＳＦＥＴ１０２のドレインにドレインを接続させて第２ＭＯＳＦＥＴ１０３を直列に接続する。制御ユニット２００内のサブ電源供給ラインＬＳにも、サブ電源１０１側をソースとして第３ＭＯＳＦＥＴ２０２を直列に接続し、第３ＭＯＳＦＥＴ２０２のドレインにドレインを接続させて第４ＭＯＳＦＥＴ２０３を直列に接続し、第１〜第４ＭＯＳＦＥＴを制御することで、サブ電源１０１の電力を負荷２０１に対して供給する。各ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧、及び、第２ＭＯＳＦＥＴ１０３と第３ＭＯＳＦＥＴ２０２との間の電圧をモニタし、ＭＯＳＦＥＴの故障及びサブ電源供給ラインＬＳの故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因した書込電流の変動を抑制する。
【解決手段】ドライブ回路２５において、第１のＭＯＳトランジスタＰＭは、第１および第２の電源ノード２８，２９間にデータ書込線ＤＬと直列に設けられる。第２のＭＯＳトランジスタＰＳは、第１のＭＯＳトランジスタＰＭと並列に設けられる。第３および第４のＭＯＳトランジスタＰａ，Ｐｂは、互いに同じ電流電圧特性を有する。第１の素子Ｅａは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第３のＭＯＳトランジスタＰａと直列に接続される。第２の素子Ｅｂは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第４のＭＯＳトランジスタＰｂと直列に接続され、第１の素子Ｅａの電流電圧特性曲線と交差する電流電圧特性を有する。比較器３０は、第１の素子Ｅａにかかる電圧と第２の素子Ｅｂにかかる電圧とを比較し、比較結果に応じて第２のＭＯＳトランジスタＰＳをオンまたはオフにする。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の挿入損失の増加を抑制した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路部と制御回路部とスイッチ部とを備えた半導体スイッチが提供される。前記電源回路部は、内部電位生成回路と第１のトランジスタとを有する。前記内部電位生成回路部は、電源線に接続され、入力電位よりも高い第１の電位を生成する。前記第１のトランジスタは、前記内部電位生成回路の入力と出力との間に接続され、前記第１の電位が前記入力電位よりも低下したときオンして前記第１の電位を前記入力電位以上に保持するようにしきい値電圧が設定されたことを特徴とする。前記制御回路部は、前記第１の電位を供給され、ハイレベルまたはローレベルの制御信号を出力する。前記スイッチ部は、前記制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】スイッチングノイズの少ない電圧出力回路を提供する。
【解決手段】電圧出力回路１０では、出力トランジスタ１１は、入力電圧Ｖｉｎが印加される第１端子１６と負荷ＲＬが接続される第２端子１７の間に接続され、ゲート電極が第１ノードＮ１に接続される。第１プルアップ回路１２は、制御信号ＶｃがＬｏｗのときに、第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。プルダウン回路１３は、制御信号ＶｃがＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き下げる。ゲート電圧監視回路１４は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、差電圧ΔＶ＝Ｖｉｎ−Ｖｎ１が基準電圧Ｖｒｅｆより大きいときに導通して第２ノード電圧Ｖｎ２をＨｉｇｈにする。第２プルアップ回路１５は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、制御信号ＶｃがＬｏｗで且つ第２ノード電圧Ｖｎ２がＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。 （もっと読む）