【課題】熱サイクル負荷時において、金属層の表面にうねりやシワが発生することを抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面にアルミニウムからなる回路層１２が配設され、セラミックス基板１１の他方の面にアルミニウムからなる金属層１３が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、金属層１３は、セラミックス基板１１と接合する一方の面と、その反対面である他方の面を有しており、前記他方の面に露呈するように形成された硬化層１３Ａを有しており、金属層１３の前記他方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、金属層１３のうち、前記他方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上のインデンテーション硬度を有する領域が硬化層１３Ａとされている。 （もっと読む）

【課題】 導流面を有する放熱器であり、従来の放熱装置中で使用する放熱器の放熱効果がよくないことを解決する放熱器を提供する。
【解決手段】 ファンを搭載して使用するのに適する。放熱器は接続部材及び接続部材上で間隔をあけて設けられる複数個の導流用のフィンを含み、それぞれの導流用のフィン上には導流面を有する。導流面はファンによって発生される気流をガイドし、気流の流動方向を第１軸方向から第２軸方向に変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】山状熱歪みを抑制し、被接合部材の剥離を抑制し、熱拡散性の低下を抑制する。
【解決手段】金属放熱板１は、一方の面に絶縁性放熱板１３（被接合部材）または電子部品１１（被接合部材）が接合され、他方の面にヒートシンク１５（冷却部材）が接触される放熱板であって、絶縁性放熱板１３よりも熱膨張率が大きい金属板２０と、金属板２０に埋め込まれた埋込金属３０と、を備える。金属板２０は、絶縁性放熱板１３または電子部品１１が接合される中央部２１と、中央部２１を囲むように旋回放射状に形成された複数の線状のスリット２６と、を備える。埋込金属３０は、スリット２６に埋め込まれるとともに、スリット２６に沿ったせん断応力に対して金属板２０よりも塑性変形しやすい。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクを用いた車両用半導体回路の冷却を行う上で、車両の停車時および低速走行時の冷却性能の低下を抑えることができる車両用半導体冷却装置を提供する。
【解決手段】車両用半導体冷却装置は、受熱ブロック群、複数の半導体素子、放熱フィン群、封止カバー４、通風路を有する。受熱ブロック群は受熱ブロック３を、上下に２列平行に、各列所定幅の隙間を空けて２つずつ配列させている。複数の半導体素子は受熱ブロック群の各受熱ブロックの互いに対向する第１の面に配設されている。放熱フィン群は受熱ブロック群の第１の面と反対側の第２の面に、平板状の放熱フィン２ａを所定間隔で複数配設されている。封止カバーは受熱ブロック群の外縁を構成する各受熱ブロックの上下の縁部の対向面間に介挿されている。通風路は配列された受熱ブロック間の隙間に封止カバーを上下に貫通するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール１０は、セラミックス多層基板１００と、接合層１１０と、拡散層１２０と、半導体素子１３０を備える。接合層１１０は、セラミックス多層基板１００の第１の面１０５上に配置され、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを電気的に接続する導電接合部１１１と、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを絶縁する絶縁接合部１１２とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子１３０からセラミックス多層基板１００への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板１００と半導体素子１３０との接合強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレームＲＭの主面側ＭＦに搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、を備えている。回路素子Ｄには、モノリシック集積回路であるＭＩＣ１８が含まれる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率、接着強度及び絶縁性のすべてに優れる樹脂シート硬化物を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１１０と、前記半導体素子１１０上に配置され、エポキシ樹脂モノマー、硬化剤及びフィラーを含み、前記フィラーが、レーザー回折法を用いて測定される粒子径分布において、０．０１μｍ以上１μｍ未満、１μｍ以上１０μｍ未満、及び１０μｍ以上１００μｍ以下のそれぞれの範囲にピークを有し、１０μｍ以上１００μｍ以下の粒子径を有するフィラーが、窒化ホウ素フィラーを含む樹脂シートの硬化物１０２と、前記半導体素子１１０が、前記樹脂シート硬化物１０２を介して、せん断強度３ＭＰａ〜１２ＭＰａにて接着している被着体とを備える半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】簡単に放熱性に優れる発熱デバイスを製造することのできる発熱デバイスの製造方法、および、簡単な構成で放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の発熱デバイスの製造方法は、ベース基板２の下面に凹部を形成することにより、ベース基板２にヒートシンク２２を一体的に形成する第１の工程と、ベース基板２の上面に絶縁層３を介して導体パターン７を形成する第２の工程と、通電により発熱する発光体４を導体パターン７と電気的に接続するように絶縁層３上に配置する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】インバータの対地浮遊容量を低減するとともに、インバータに対する冷却性能の低下防止の構造体を提供する。
【解決手段】互いに直列に接続された一対の半導体素子１６，１８と、ヒートシンク７と、前記第１の端子の一方の第１の端子１２と、前記一対の半導体素子の一方の半導体素子１６の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された第１の電極１０と、前記第２の端子１３と、前記一対の半導体素子の他方の半導体素子１８の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された出力電極１１と、前記第１の端子の他方の第１の端子１４に電気的に接続された第２の電極９と、を備える半導体モジュールであって、前記第２の電極９が、第１の絶縁部材８ａを介して前記ヒートシンク７に接続され、前記出力電極１１が、第２の絶縁部材８ｂを介して前記第２の電極９に接続されている。 （もっと読む）