【課題】熱伝導性に優れる伝熱シートを製造する製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性樹脂を含む硬化性組成物と磁性体を含む粒子とを含有するシート成形材料に交流磁場を印加する磁場印加工程と、前記磁場印加工程によって交流磁場が印加された前記シート成形材料を硬化させる硬化工程と、を含む、伝熱シートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ロジックチップとメモリチップとを実装しながら、メモリチップで誤動作を生じさせない電子部品及びその製造方法を提供することにある
【解決手段】 放熱部材３００がロジックチップ９０Ａ及びメモリチップ９０Ｂ上に取り付けられる。放熱部材３００には、メモリチップ９０Ｂの上面と当接する部位に開口３０８が設けられている。このため、ロジックチップ９０Ａからの熱が放熱部材３００を介してメモリチップ９０Ｂへ伝わり難いため、ロジックチップからの熱的影響でメモリチップが誤動作し難くなる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く放熱性の良い放熱用部品、並びに、前記放熱用部品を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本放熱用部品１は、凹部１０ｘ、及び外面と前記凹部１０ｘの底面とを繋ぐ第１の貫通孔１０ｙを有する放熱板１０と、前記凹部１０ｘの底面に林立するように形成された線状の熱伝導性物質と、前記線状の熱伝導性物質の先端部を覆うとともに、前記凹部１０ｘが形成されている凹部１０ｘ形成面の少なくとも一部に延在し、前記凹部１０ｘの底面に対向する面の反対面に前記半導体素子と接触する半導体素子接触領域を有する金属層２２と、を備え、前記反対面の垂直方向から視て、前記金属層２２の前記半導体素子接触領域の外側には、前記反対面と前記凹部１０ｘの底面に対向する面とを繋ぐ第２の貫通孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その金属フィルムが接着剤を介せずに黒鉛の表面に直接且つ緊密に形成されている放熱装置、及び該放熱装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、電子部品を搭載し、作動中の該電子部品から生じる熱を発散させるための放熱装置であって、積層構造を有する黒鉛により平板状に形成された本体と、電気メッキによって前記本体の表面に形成されている金属層とからなっている放熱装置、及び、本体を洗浄する本体の洗浄工程と、本体の洗浄工程において洗浄した本体の表面に、電気メッキによって金属層を形成する金属電気メッキ工程とを備える、放熱装置の製作方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】優れた熱伝導性及び絶縁性が安定して得られ、且つ生産性にも優れる樹脂封止型半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース材２上に、少なくとも、エポキシ樹脂と、紫外線硬化型硬化剤及び熱硬化型硬化剤、又は熱紫外線硬化型硬化剤と、無機フィラーとを含有し、前記無機フィラーの含有量が５０〜８０体積％であるエポキシ樹脂組成物で、Ｂステージ状態の絶縁層２ｂを形成して、金属ベース基板１とする。 （もっと読む）

【課題】冷却水の流れ圧力損失を最小化するとともに、放熱効果を増大できるだけでなく、発熱部の全体面積の温度偏差を最小化することができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンク１００は、冷却水の流入部分に連結され、第１フィン１０１が多数個配列された第１領域と、冷却水の排出部分に連結され、第１フィン１０１より表面積が大きい第２フィン１０３が多数個配列された第２領域とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】発熱素子とヒートシンクの間に挿入して使用するカーボンナノチューブを使用した放熱シートの熱伝導性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１の上にカーボンナノチューブ４を成長させて形成したカーボンナノチューブの束の上に、ナノシリカ１１を８〜７０ｗｔ％で含有させたシート状の樹脂６を置き、これを加熱してカーボンナノチューブ４の隙間に含浸させた後に硬化してシート状のカーボンナノチューブ４０を形成し、カーボンナノチューブ４０の表面をアルカリ処理して樹脂６の表面にあるナノシリカ１１を溶出させ、樹脂６の表面に現れた空孔１２内にカーボンナノチューブ４の先端部を露出させることにより、カーボンナノチューブ４と発熱体との間の熱伝導性を良くした放熱シートである。 （もっと読む）

【課題】回路層を、変形抵抗が大きな銅または銅合金で構成しても、セラミックス基板の一方側と他方側とで絶縁性を確保することができるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面側に回路層１２が形成され、この回路層１２の一方の面に電子部品３が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、銅または銅合金で構成されており、セラミックス基板１１と回路層１２との間には、セラミックス基板１１の一方の面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる緩衝アルミ層１６と、回路層１２の他方の面に接合された補助セラミックス板１７と、が介装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体１は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と、熱伝導体２の表面に積層されている第１の絶縁層３と、第１の絶縁層３の表面に積層されている第２の絶縁層４とを備える。積層体１は、第２の絶縁層３に導電層が積層されて用いられる。第１の絶縁層３が、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを８６重量％以上、９７重量％未満で含み、かつ第２の絶縁層４が、無機フィラーを６７重量％以上、９５重量％未満で含む。第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、かつ第１の絶縁層３の硬化率が第２の絶縁層４の硬化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】装置全体の小型化及び製造工程の簡素化を図りつつも、優れた放熱効果を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１０と、その配線基板１０上に実装された半導体素子２０と、半導体素子２０と熱的に接続された放熱板３０と、前記放熱板３０と熱的に接続されたヒートシンク４０とを有する。放熱板３０には、溝部３４を有する取付部３３が、放熱板３０を平面視した状態で、放熱板３０の中心点Ｃ１に対して同心円となる円周上に複数形成されている。また、ヒートシンク４０には、溝部３４内に沿って移動される突出部４４を有する取付部４３が、ヒートシンク４０を平面視した状態で、ヒートシンク４０の中心点Ｃ２に対して同心円となる円周上に複数形成されている。 （もっと読む）