説明

国際特許分類[H01L23/36]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 冷却,加熱,換気または温度補償用装置 (8,151) | 冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク (3,707)

国際特許分類[H01L23/36]の下位に属する分類

装置の形状により容易になる冷却
装置用材料の選択により容易になる冷却 (910)

国際特許分類[H01L23/36]に分類される特許

51 - 60 / 2,797


【課題】半導体モジュールの放熱板と冷却器の間の熱伝達を維持しつつ、熱伝導性グリスの拡散を防止する構造体を提供する。
【解決手段】冷却器3に熱伝導性グリス5を介して載置された半導体モジュール1は、半導体素子7が取り付けられ、一方の面において前記熱伝導性グリス5を介して前記冷却器3の表面と対向する放熱板9と、前記冷却器3と対向する対向面11aを有し、前記放熱板9の周囲に形成された外周縁部11と、を備える。前記外周縁部11の前記対向面11aは、温度が高いほど前記冷却器3に対して近接するように温度に応じて移動し、且つ、少なくとも予め定められた所定温度(TO)以上の温度(T)で前記放熱板9の前記一方の面よりも前記冷却器3に対して近接する。 (もっと読む)


【課題】金属ヒートシンクの代替として用いる加工性、生産性、軽量性に優れた樹脂ヒートシンクを提供する。
【解決手段】合成樹脂と熱伝導性充填材とを含有してなり、熱伝導率が0.5[W/mK]以上である高熱伝導性樹脂組成物と、金属又はセラミックスの成形体である基材3とを一体化して成形した、高熱伝導性樹脂2を用いたヒートシンク1であって、ヒートシンク1は、熱源に対向する熱源対向面6を有し、熱源対向面6の少なくとも一部は、基材3によって直接形成されるか、あるいは、基材3との間に高熱伝導性樹脂が3mm以下の厚さで介在されている。 (もっと読む)


【課題】 良好な熱伝導性や難燃性を実現するために無機フィラーを多く添加しても、部品固定に際して部品の脱落が生じにくい優れた接着性を有する粘着剤組成物を提供する。
【解決手段】 (メタ)アクリレートを主たるモノマー成分とするアクリル系共重合体と、無機フィラーとを含有する粘着剤組成物であって、前記アクリル系共重合体がモノマー成分として炭素数が2以上の飽和炭化水素基を介してカルボキシ基を分子鎖末端に有する(メタ)アクリレートモノマーを含有し、前記無機フィラーの含有量が、アクリル共重合体100質量部に対して200質量部以上である粘着剤組成物により、多量の無機フィラーを添加した場合にも優れた接着性を実現でき、良好な難燃性や熱伝導性と、好適な接着性とを両立できる。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板(11)の少なくとも一方の面に電子素子(18)を搭載するアルミニウム回路層(12)がろう付された電子素子搭載用基板(1)であって、前記アルミニウム回路層(12)は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされ、かつ引張強さが45N/mm以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造で、製造効率を低下させることなく、薄く、高く、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、同回路基板を製造できるようにする。
【解決手段】セラミック基板10の表裏両面に、アルミニウム板21を接合して金属層を形成する。その後、回路用の金属層ではない方の金属層であるアルミニウム板21の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位40を、コールドスプレーによって追加的に肉盛加工する。その後、この金属部位40に、切り起こし法によってフィン41を形成する。従来のように、フィンが別途製造された部品を、後でロウ付けするのでなく、一体形成された金属部位40を切起こしてフィンを形成するものであるから、フィンに座屈等の変形を生じさせることなく、薄く、微小ピッチのフィン付きの回路基板が得られる。 (もっと読む)


【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ11はサブマウント7とヒートシンク9との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ11はpアップ形態でサブマウント7上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体13を介してサブマウント7に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極15及びパッド電極45を介して低い温度のヒートシンク9に伝わり、この熱は、オーミック電極15から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク9の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ11の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ11の温度はヒートシンク9の温度より低いので、ヒートシンク9の熱はIII族窒化物半導体レーザ11に伝搬する。 (もっと読む)


【課題】硬化反応速度が比較的速く、接着能力の長期持続性に優れた熱硬化性接着剤で絶縁樹脂層が形成された放熱用部材を提供し、放熱性に優れた半導体モジュールを容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素粒子(A)とエポキシ樹脂(B)とフェノール樹脂(C)とを含有する熱硬化性接着剤からなる絶縁樹脂層10を有し、絶縁樹脂層10の一面側を被着体に接着硬化させて被着体の熱を絶縁樹脂層10を通じて放熱する放熱用部材1で、窒化ホウ素粒子が40体積%以上65体積%以下の割合で含有し、エポキシ樹脂としては、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂が含有され、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂の内の少なくとも1種が含有され、さらにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが含有されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを30μm〜60μmとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも5μm以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 (もっと読む)


【課題】従来の回路装置の製造工程において配線基板と一体化したケースに蓄熱材を流し込むには、配線基板およびケースを冶具で適切に支持した上で蓄熱材を流入しなければならず、製造工程が複雑であった。
【解決手段】蓄熱体は、電子回路の発熱により相変化し得る蓄熱材と、蓄熱材を内包する内包フィルムとを備える。電子機器は、電子回路と、電子回路の発熱により相変化し得る蓄熱材および蓄熱材を内包する内包フィルムを備える蓄熱体とを備え、蓄熱体は電子回路に貼り付けられている。 (もっと読む)


【課題】簡易に製造することができると共に自然空冷による冷却性能の優れたヒートシンクを提供する。
【解決手段】ヒートシンク20は、鉛直に立設されるベースプレート22と、ベースプレート22にVの字に取付けられて、それぞれに複数の切起し25が設けられている2枚の仕切り板24A,24Bと、ベースプレート22とは反対側の仕切り板24A,24Bの端部を架橋するカバー板26と、を備える。これにより、ヒートシンク20の内部で煙突効果が生じ、ヒートシンク20の内部に引き込まれる空気の勢いを大きくすることができる。 (もっと読む)


51 - 60 / 2,797