説明

国際特許分類[H01L23/36]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 冷却,加熱,換気または温度補償用装置 (8,151) | 冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク (3,707)

国際特許分類[H01L23/36]の下位に属する分類

装置の形状により容易になる冷却
装置用材料の選択により容易になる冷却 (910)

国際特許分類[H01L23/36]に分類される特許

31 - 40 / 2,797


【課題】コストを抑えつつ伝熱シートの位置ずれを防止した回路構成体を提供する。
【解決手段】回路構成体は、電子部品26が接続された回路基板21と、回路基板21および電子部品26から発生する熱を放熱する放熱部材28と、回路基板21と放熱部材28との間に配される熱伝導性材料からなる伝熱シート29と、回路基板21を保持するとともに、放熱部材28が取り付けられる合成樹脂製のケース11と、を備える。ケース11には伝熱シート29を位置決めする位置決め部13Bが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】LED照明が、普及しつつあるが、発熱量が大きいため素子の耐久性が短く、その普及を妨げている。効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を提供することにより、LEDチップの輝度低下、寿命低下の改善によって、マーケットの拡大を実現する。
【解決手段】熱伝導性の悪い絶縁シート層を使用しない構造の基板とする改良と熱伝導性の良好な銅板による放熱を実現するために、ガラエポ基板8上の銅箔3と、LEDチップの電極6とをハンダでつなぎ、電極の端を熱伝導性ゲル12で銅板10と結合させて、放熱し易い構造を実現した。樹脂層の使用をできるだけ避けることにより冷却器に熱を伝えて、効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を確立した。高い放熱性を有する新規なガラエポ基板8を有するLED照明器の製造法である。 (もっと読む)


【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク11は、デバイスを搭載するための搭載面11aを有しており該ベース13の主面13aに設けられた金属領域15を備える。この主面13aには、ダイヤモンド粒子17による突起23a〜23cと突起23a〜23cの間に位置する窪み25a〜25dとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域15は窪み25a〜25dを埋めて、搭載面11aは突起23a〜23c及び窪み25a〜25dによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク11の表面11aとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 (もっと読む)


【課題】優れた強度と高い熱伝導性を有し、実装自動化が可能な高性能の熱伝導性シリコーン複合シートを提供する。
【解決手段】金属箔と該金属箔の両面に積層された熱伝導性シリコーン硬化物とを備え、該熱伝導性シリコーン硬化物は、シリコーン成分100質量部と熱伝導性充填材300質量部以上とを含有する熱伝導性シリコーン組成物の硬化物である、熱伝導性シリコーン複合シート。一実施形態において、該熱伝導性シリコーン複合シートは、少なくとも片面のタックエネルギーが70μJ以下である。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板に大きな反りが生じることがなく、かつ、金属層においてブローホール等の欠陥が発生することなく、回路層が銅板で構成されるとともに金属層がアルミニウム板で構成されたパワーモジュール用基板を安定して製造することができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板11の一方の面に、銅又は銅合金からなる銅板22を接合して回路層12を形成する銅板接合工程と、セラミックス基板11の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板23を接合して金属層13を形成するアルミニウム板接合工程と、を有し、前記銅板接合工程では、銅板22とセラミックス基板11とを、液相温度が前記アルミニウム板の融点未満とされた接合材24を用いて接合する構成とされており、銅板接合工程とアルミニウム板接合工程とを同時に行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】コイル導体の特性を考慮しつつ、IC素子およびコイル導体の放熱性を向上させること。
【解決手段】コイル内蔵基板1は、フェライト基体11と、フェライト基体11内に設けられたコイル導体12と、フェライト基体11の上面に設けられたIC素子用導体層14と、IC素子用導体層14およびコイル導体12に熱的に結合されておりフェライト基体11の表面に熱を伝導するようにフェライト基体11内に設けられた熱伝導経路13とを含んでいる。熱伝導経路13は、フェライト基体11よりも低い比透磁率およびフェライト基体11よりも高い熱伝導率を有する材料を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とアルミニウムからなる回路層および緩衝層との接合界面に余剰ろう材が残存しない電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板(11)の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層(12)がろう付され、他方の面にアルミニウム層(13)がろう付された電子素子搭載用基板(1)であって、前記アルミニウム回路層(12)およびアルミニウム層(13)の少なくとも一方は、母材(20)(22)の絶縁基板側にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる微細結晶層(21)(23)がクラッドされたクラッド材で構成され、ろう付後の前記微細結晶層(21)(23)の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】片面配線基板でありながら、板厚方向の熱伝導性が良好で、両面に露出する導電パターンを異なる形状に設計可能な汎用性を有する発熱素子搭載用基板、その製造方法、及び半導体パッケージを提供する。
【解決手段】発熱素子搭載用基板2は、樹脂フィルム20と、樹脂フィルム20の第1面20a上に形成された複数の配線パターン21と、樹脂フィルム20に形成された複数の貫通孔22に充填された導電性材料からなる複数の充填部23とを備え、複数の配線パターン21のうちの少なくとも1つの面積は、樹脂フィルム20の第1面20aの面積の30%以上であり、充填部23は、第1面20a側から見たとき、配線パターン21からはみ出したはみ出し部を有し、第2面20b側から見たとき、充填部23と配線パターン21とが重なった面積が配線パターン21の面積の50%以上であり、樹脂フィルム20にLED素子3が搭載される。 (もっと読む)


【課題】 セラミック基板にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体モジュール基板1は、矩形状のセラミック基板2と、セラミック基板2の上面に設けられた、半導体素子3が実装される第1金属板4と、セラミック基板2の下面に設けられた第2金属板5とを備え、第2金属板5の下面には、複数の同心円状の溝Dが設けられているとともに、複数の溝Dの最外周に位置する溝D1が、第2金属板5の外周の一部と重なって切欠きになっている。 (もっと読む)


【課題】ケースを固定する接着剤の塗布量を抑え、なおかつパワーデバイスへのはみ出しを防止できるパワーモジュールを提供すること。
【解決手段】パワーデバイス3を載置した複数のベース板5を並べて配置し、これらのベース板5をケース7で囲んだパワーモジュール1において、前記ケース7は、複数の前記ベース板5の全てを囲む外囲壁20と、隣り合う前記ベース板5同士の間に沿って配置される仕切壁21と、を備え、前記外囲壁20、及び前記仕切壁21の底面20A、21Aが前記ベース板5の上面に接着剤40で接着されるとともに、前記仕切壁21の底面21Aには、前記ベース板5同士の間に沿って延在し、隣り合う前記ベース板5同士の間に塗布された接着剤40を封じる溝50を設けた。 (もっと読む)


31 - 40 / 2,797